存储技术的前世今生

作者：鲜枣课堂 小枣君

说到存储，大家都会想到硬盘。

硬盘

其实，存储既是一个微观的概念，也是一个宏观的概念。

微观上来说，它就是指的数据存储、计算机存储、硬盘存储。而宏观上呢，所有物品、信息的保管和保存，皆可称为存储。

人类文明的发展史，其实就是建立在存储技术的演进之上的。

在远古时期，早期人类通过结绳记事、龟甲兽骨，点燃了人类文明的火种。

后来，随着工艺技术的进步，逐渐有了竹简木牍、纸张缣帛，人们可以更好地记录信息（历史、文化和技能），从而将文明不断地延续和传承下去。

到了 18 世纪，工业革命开始萌芽，从而将人类信息存储技术推向了一个全新阶段 ——打孔卡时代。

打孔卡时代

1725 年，法国人巴斯勒・布乔（Basile Bouchon）发明了打孔卡（穿孔卡），用于织布机。

打孔卡织布机（模型）

大家对这个东西可能有点陌生，它有点像我们现在考试使用的答题卡。

织布机在编织过程中，编织针会往复滑动。根据打孔卡上的小孔，编织针可以勾起经线（没有孔，就不勾），从而绘制图案。换言之，打孔卡是存储了 “图案程序” 的存储器，对织布机进行控制。

这一发明，标志着人类机械化信息存储形式的开端。

1801 年，法国织机工匠约瑟夫・马里尔・雅卡尔（Joseph Marie Jdakacquard）对打孔卡进行了升级。

他将打孔卡按一定顺序捆绑，变成了带状，创造了穿孔纸带（Punched Tape）的雏形。这种纸带，被应用于提花织机。

1846 年，传真机和电传电报机的发明人亚历山大・贝恩（Alexander Bain）将穿孔纸带技术引入自己的电报机，大幅提升了工作效率。

这个东西，小编在多年前亲眼见过（暴露年龄了）

到了 1890 年，一个牛人的出现，让打卡孔技术进一步发扬光大。这个人，就是德裔美国人 ——赫尔曼・何乐礼（Herman Hollerith）。

赫尔曼・何乐礼（1860-1929）

这位老兄在打孔卡的基础上，发明了打孔卡制表机，专门用于收集并统计人口普查数据。

打孔卡制表机

这种制表机的统计速度更快。根据史料记载，在 1890 年的美国人口普查中，通过打孔制片和打孔机，仅 6 周就完成了统计工作。而此前 1880 年的美国人口普查，数据全靠手工处理，历时 7 年才得出最终结果。

如此巨大的效率提升，使得制表机在各个行业迅速普及。它标志着半自动化数据处理系统时代的开始。

打孔卡技术，直到 1960 年代都还在广泛使用

后来，1896 年，赫尔曼・何乐礼创办了制表机器公司（Tabulating Machine Company）。这家公司，也就是大名鼎鼎的IBM 公司的前身。

磁存储时代

打孔卡和制表机属于机械式存储技术，虽然比传统人力有了大幅的效率提升，但仍然存在故障率高、存储量低的问题。

于是，在 19 世纪电信号技术的推动下，一种新型存储技术逐渐开始崛起，那就是 ——磁介质存储。

最早的磁介质的相关文章，发表在 1888 年 9 月 8 日的英国《电气世界》杂志上。在 “一些可能形式的留声机” 一文中，作者奥伯林・史密斯（Oberlin Smith）发表了最早的关于磁记录的观点，他建议：“采用磁性介质来对声音进行录制”。

奥伯林・史密斯（1840-1926）

1898 年，丹麦工程师瓦蒂玛・保尔森（Valdemar Poulsen）将奥伯林・史密斯的想法付诸实施。

他在自己的电报机中首次采用了磁线技术，使之成为人类第一个实用的磁声记录和再现设备。

瓦蒂玛・保尔森的磁线电报机

这个磁记录设备的工作原理并不复杂：设备有一个磁头，声音的电信号传输到磁头，产生与信号相似的磁化模式，进行记录。读取时，磁头从磁线中获取磁场的变化，并将它们转换成电信号。

1928 年，德国工程师弗里茨・普弗勒默（Fritz Pfleumer）发明了录音磁带，可以存储模拟信号，标志着磁性存储时代的正式开启。

这个录音磁带的工作原理也很简单：将粉碎的磁性颗粒用胶水粘在纸条上，制备成磁带。磁带在移动过程中，随着音频信号强弱，磁带被磁化程度也会发生变化，从而记录声音。

有趣的是，后来德国人之所以大力推动磁带技术的改进，是为了更好地传播希特勒的讲话。而美国人后来积极引进了这项技术，则是为了传播流行音乐。

1932 年，磁存储技术再次有了重大突破。

这一年，奥地利工程师古斯塔夫・陶谢克（Gustav Tauschek）发明了磁鼓存储器。

磁鼓存储器

这个存储器有点像电动机。它包含一个大型金属圆柱体，外表面涂有铁磁记录材料。

在存储器外壳的内侧，有大量的静态磁头。这些磁头不寻找数据，而是等待磁扇旋转就位，进行读取。大家可以看到，磁线变成了磁面，越来越像后来的磁盘了。

当时，古斯塔夫・陶谢克的这个原始磁鼓存储器，容量约为 500,000bit（62.5KB）。

进入 20 世纪 40 年代后，人类的电子数字计算机技术开始了大爆发。

1942 年，美国爱荷华州立学院的约翰・文森特・阿塔纳索夫（John Vincent Atanasoff）教授和他的学生克利福特・贝瑞（Clifford Berry）发明了世界上第一台电子数字计算机（此前的都是机械式计算机）——ABC（Atanasoff–Berry Computer）。

ABC（复制品）

ABC 使用二进制数字来表示所有数字和数据，使用电子元件进行计算（而非机械开关），计算和内存分离…… 所有这些，这都是现代计算机的要素。

很多读者肯定会问：世界上第一台数字电子计算机，不是 ENIAC 吗？

其实不是的，ENIAC 只能排第 11。而且，ENIAC 的设计者盗窃了 Atanasoff 的设计。1973 年，美国法院裁定取消了 ENIAC 的专利。

ABC 使用了 IBM 的 80 列穿孔卡，作为输入和输出，使用真空管处理二进制格式的数据。数据的存储，则是使用的再生电容磁鼓存储器（Regenerative Capacitor Memory）。

第一台电子计算机之后，美国科技管理体系的奠基人、IEEE 爱迪生奖得主万尼瓦尔・布什（Vannevar Bush）放出预言：

“人类终将发明存储书籍、记录、沟通等所有人类知识的机器”。

点歪的科技树

除了磁存储之外，在 20 世纪 40 年代，人类还拓展了其它几条存储科技线。

1946 年，波兰天才发明家扬・亚历山大・拉奇曼（Jan A. Rajchman）发明了一种选择性静电记忆管 ——Selectron Tube。

扬・亚历山大・拉奇曼和他的 Selectron Tube

它是人类第一个真正的数字、随机存取高速存储器（RAM），使用静电荷存储数据在真空管内，能够短暂存储大约 4000 字节的数据。

1947 年，弗雷迪・威廉姆斯（Freddie Williams）和汤姆・基尔伯恩（Tom Kilburn）发明了类似原理的威廉姆斯 - 基尔伯恩管（Williams–Kilburn tube）并商用。

IBM 的第一台商用科学计算机 701，就使用了 72 个该管，作为内存。

比上面两种存储器更知名的，是二战期间约翰****・皮斯普・埃克特（J. Presper Eckert）发明的汞（水银）延迟线存储器（Delay Line Memory）。

这个延迟线存储器的原理，是通过用压力波的传播延迟来存储数据。

拿一个管子，装满汞（水银）。管子一端放扬声器，另一端放麦克风。

扬声器发出脉冲时会产生压力波，压力波需要时间传播到另一端的麦克风，麦克风将压力波转换回电信号。

有压力波代表 1，没有代表 0。通过内部电路，连接麦克风和扬声器，再通过放大器来弥补信号衰弱，从而实现一个存储数据的循环。

研究出这个技术之后，埃克特和同事约翰・莫奇利（John Mauchly）一起设计了 ENIAC。后来，他们又做了一个更大更好的计算机，叫 EDVAC。

EDVAC

EDVAC 总共用了 128 条延迟线，每条能存 352bit，总共能存 45,000bit，是最早的 “存储程序计算机” 之一。

延迟线存储器有一个很大的缺点：每一个时刻只能读一位 (bit) 数据，并且只能顺序读取（所以又叫 “顺序存储器” 或 “循环存储器”）。

因此，到 1950 年代中期，延迟线存储器基本就过时了。

一种新型存储技术的崛起，实现了对延迟线存储器的替代，那就是 —— 性能、可靠性更高，而成本更低的**“磁芯存储器”**。

说白了，存储技术还是绕回了磁存储这条科技线。

1947 年，美国工程师弗雷德里克・菲厄（Frederick Viehe）第一个申请了磁芯存储器的专利。

1948 年，华裔传奇科学家王安发明了 “脉冲传输控制装置（Pulse transfer controlling device）”，实现了对磁芯存储器的读后写（Write-after-Read）。1949 年，王安申请了专利，并以 50 万美元的价格卖给了 IBM。

大家应该听说过这个王安，他是后来传奇 IT 公司王安电脑的创始人。

磁芯存储器原理其实和磁鼓存储器类似，都是利用通电时磁化的变化来代表 0 和 1，以此记录数据。

给磁芯绕上电线，并施加电流，可以将磁化在一个方向。如果关掉电流，磁芯保持磁化。如果沿相反方向施加电流，磁化的方向（极性）会翻转，这样就可以用来区别存储 1 和 0。

磁芯存储器

磁芯存储器的第一次大规模运用，是 1953 年麻省理工学院的 Whirlwind 1 计算机。

后来，杰・福雷斯特（Jay Forrester）完善了磁芯存储技术，推出第一个可靠的计算机高速随机存取存储器。

磁芯存储器在 20 世纪 70 年代被广泛用作计算机的主存储器，直到 Intel 的半导体 DRAM 内存批量生产。

值得一提的是，1951 年，磁带首次被用于商用计算机上存储数据，在 UNIVAC 计算机上作为主要的 I/O 设备。

UNIVAC

UNIVAC 的磁带机

UNIVAC 采用了磁带技术，引起了 IBM 公司的注意。

不久后，IBM 发明了新的磁带机制，使用真空柱隔离，保证磁带在加速或者减速过程中不易被撕裂。

1952 年，IBM 发布了一台全新的磁带存储设备（型号 726），与 IBM 701 计算机一起销售。

姗姗来迟的硬盘时代

1956 年 9 月 14 日，在 IBM 公司的一场新闻发布会上，展示了一个硕大无比的机柜。

这个机柜看上去像一个水族箱，高约 2 米，重量接近 1 吨。在机柜的里面，有一层一层的盘片（直径 61cm），有点像堆叠起来的唱片。

这个机柜是干啥用的呢？

答案揭晓：它就是后来被称为人类历史上第一块硬盘的 IBM 350 RAMAC。

（全名很长，叫做统计控制随机存取法，Random Access Method for Accounting Control。）

IBM 350 RAMAC

更准确来说，它是一台使用了移动头硬盘驱动器（HDD）的商用计算机。

IBM 350 RAMAC 的存储空间极小，仅仅只有 5MB。它的读写速率更是低得可怕，只有 97.6Kb/s。

然而，就是这么一台 “弱鸡” 的设备，当时售价高达 35400 美元（相当于现在的 30 多万美元），还不一定能买得到。

我们现在都知道，IBM 350 RAMAC 的诞生，意义极为深远 —— 它标志着人类正式进入了硬盘时代。数字技术的高速发展，又完成了一块重要的拼图。

此后，作为存储技术的开山鼻祖和龙头老大，IBM 继续引领着硬盘这个产品的发展。

1962 年，IBM 发布了第一个可移动硬盘驱动器 1311，它有六个 14 英寸的盘片，可存储 2.6MB 数据。

IBM1311，看上去有点像一个灶台

1973 年，IBM 又发明了Winchester（温彻斯特）硬盘 3340，使用了密封组件、润滑主轴和小质量磁头。

其特点是工作时磁头悬浮在高速转动的盘片上方，而不与盘片直接接触，这便是现代硬盘的原型。

之所以这个硬盘会叫做 “温彻斯特”，主要是因为它的两个 30MB 存储单元，恰好是当时著名的 “温彻斯特来福枪” 的口径和填弹量。

温彻斯特架构，已经和现在的硬盘很像了。

“温彻斯特” 磁盘驱动器诞生后，现代硬盘的基本架构被确立。此后，硬盘的主要发展方向，就是容量的不断增加，以及体积的不断减小。

换句话说，你现在用的 HDD 硬盘，架构上和 1973 年没有太大区别。

1980 年，IBM 推出了第一块 GB 级别的存储硬盘。同样是这一年，一家名不见经传的小公司，发明了一款便宜的硬盘产品，开始挑战 IBM 的地位。

这家公司，就是成立于 1979 年的希捷（Seagate）。

希捷推出的硬盘型号，是 ST-506。盘片尺寸为 5.25 英寸，比 IBM 的 3340 小得多。这个硬盘可以存储 5MB 的数据，价格大概 1500 美刀。不久后，希捷又推出了 10MB 容量的 ST-412。

ST-412

1983 年，苏格兰公司 Rodime 发布了世界上第一款 3.5 英寸硬盘，意义同样深远。

小尺寸硬盘的出现，为个人 PC的诞生奠定了基础，也为家庭和中小企业的数字化创造了条件。

大家都知道半导体领域有一个摩尔定律。其实，硬盘也有自己的定律，那就是 —— 硬盘的容量密度，每年增加约 1 倍。

到 90 年代，诺贝尔物理学奖得主艾尔伯・费尔（Albert Fert）和彼得・格林贝格（Peter Grunberg）发现了巨磁电阻效应。

基于该效应研究的GMR 巨磁阻效应磁头技术，以及SMR 瓦楞式堆叠磁盘技术，成功将机械硬盘的磁道密度提升上百倍。

2007 年，日立（2003 年收购了 IBM 硬盘事业部）率先推出了 TB 级别的硬盘，是存储技术的一个重要里程碑。

该硬盘采用了垂直存储技术，将平行于盘片的磁场方向改变为垂直，更充分地利用了存储空间。此外，垂直存储技术能耗小，发热量减小，改善了数据抵抗热退减的能力，提高了硬盘的可靠性。

2010 年，氦气封装技术量产，除了让硬盘的容量变大外，温度和耗电能够再降低，耐用度和稳定性获得了大幅提升。

软盘和光盘

接下来，我们再来简单说说软盘和光盘。

世界上第一个软盘，同样来自 IBM，诞生于 1971 年。当时，这个软盘的直径是 8 寸，容量 80KB，只读不可写。四年后，可读性的软盘诞生，容量增加到 256KB。

后来，随着技术的发展，又诞生了 5.25 寸的软盘，并广泛使用在 Apple II、IBM PC 及其他兼容电脑上。

1980 年，日本索尼开发了 3.5 寸软盘，并成为市场标准。1984 年，苹果公司开始在 Mac 上开始采用 3.5 寸软盘。当时，软盘的容量还不到 1MB。后来，1.44MB 的软盘，成为市场主流。

2005 年，小编还在上大学的时候，就用着这种软盘，极易损坏。

再后来，软盘容量最高做到 250MB。然而，随着光盘和 U 盘的出现，软盘迅速从市场消失。

再看看光盘。

相比软盘，光盘的寿命要坚挺很多。

1965 年美国物理学家罗素 Russell 发明了第一个 Compact Disk/CD（数字 - 光学记录和回放系统），1966 年提交了专利申请，这是后来 CD/DVD 的前身。

1982 年，索尼和飞利浦公司发布了世界上第一部商用 CD 音频播放器 CDP-101，光盘开始普及。普通标准 120 型的光盘，最大容量已经可以达到 700MB。

DVD 原是 Digital Video Disc（数字视频光盘）的首字母缩略。1995 年，IBM 牵头将高容量光盘标准统一合并成为 DVD，重新定义为 Digital Versatile Disc（数字多用途光盘）。当时，DVD 的容量，可以达到 4.7GB。

蓝光 DVD 上市后，每片光盘的容量高达 25G 或 27GB。采用多层的话，更是可以达到惊人的 400GB（16 层）。

光盘的工作原理其实不是利用磁性，而是刻坑 —— 光盘表面有很多小坑，造成光的不同反射，光学传感器会捕获到，并解码为 1 和 0。

结语

进入 21 世纪后，信息技术以爆炸式的速度发展。

互联网的普及，手机的崛起，使得整个社会的数字化进展大幅加快。由此带来的数据增长，也是惊人的。

传统 HDD 硬盘尽管在不断提升自己的容量和性能，但仍然无法满足时代的需要。

于是，一种新型的存储技术迅速崛起，开始了对 HDD 的取代。这个技术，就是半导体存储。

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上文，我给大家仔细介绍了 HDD 硬盘、软盘和光盘的发展史。

大家应该都注意到了，在我们的日常生活中，其实远远不止上面三种存储介质。

我们经常使用的 U 盘、TF 卡、SD 卡，还有电脑上使用的 DDR 内存、SSD 硬盘，都属于另外一种存储技术。

这种技术，我们称之为**“半导体存储”**。

半导体存储的分类

现代存储技术，概括来看，就分为三大部分，分别是磁性存储、光学存储以及半导体存储。

半导体存储器，简而言之，就是以 “半导体集成电路” 作为存储媒介的存储器。

大家如果拆开自己的 U 盘或 SSD 硬盘，就会发现里面都是 PCB 电路板，以及各自各样的芯片及元器件。其中有一类芯片，就是专门存储数据的，有时候也称 “存储芯片”。

SSD 硬盘的构造

相比传统磁盘（例如 HDD 硬盘），半导体存储器的重量更轻，体积更小，读写速度更快。当然了，价格也更贵。

这些年，整个社会对芯片半导体行业的关注度很高。但是，大家主要关注的其实是 CPU、GPU、手机 SoC 等计算类芯片。

殊不知，半导体存储器也是整个半导体产业的核心支柱之一。2021 年，全球半导体存储器的市场规模为 1538 亿美元，占整个集成电路市场规模的 33%，也就是三分之一。

2022 年全球半导体主要品类占比情况

存储器有所下降，但仍有 26%

半导体存储器也是一个大类，它还可以进一步划分，主要分为：易失性（VM）存储器与非易失性（NVM）存储器。

顾名思义，电路断电后，易失性存储器无法保留数据，非易失性存储器可以保留数据。

这个其实比较好理解。学过计算机基础知识的童鞋应该还记得，存储分为内存和外存。

内存以前也叫运行内存（运存），计算机通电后，配合 CPU 等进行工作。断电后，数据就没有了，属于易失性（VM）存储器。

而外存呢，也就是硬盘，存放了大量的数据文件。当计算机关机后，只要你执行了保存（写入）操作，数据就会继续存在，属于非易失性（NVM）存储器。

请大家注意：现在很多资料也将半导体存储器分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM），大家应该很耳熟吧？

ROM 只读存储器：很好理解，可以读取，不可以写入。

RAM 随机存取存储器：指的是它可以 “随机地从存储器的任意存储单元读取或写入数据”，这是相对传统磁存储必须 “顺序存取（Sequential Access）” 而言的。

有些人认为，易失性存储器就是 RAM，非易失性存储器就是 ROM。其实，这是不严谨的，原因待会会讲。

易失性存储器（VM）

在过去几十年内，易失性存储器没有特别大的变化，主要分为 DRAM（动态随机存取存储器，Dynamic RAM）和 SRAM（静态随机存取存储器，Static RAM）。

DRAM

DRAM 由许多重复的位元格（Bit Cell）组成，每一个基本单元由一个电容和一个晶体管构成（又称 1T1C 结构）。电容中存储电荷量的多寡，用于表示 “0” 和 “1”。而晶体管，则用来控制电容的充放电。

图片来源：Lam Research

由于电容会存在漏电现象。所以，必须在数据改变或断电前，进行周期性 “动态” 充电，保持电势。否则，就会丢失数据。

因此，DRAM 才被称为 “动态” 随机存储器。

DRAM 一直是计算机、手机内存的主流方案。计算机的内存条（DDR）、显卡的显存（GDDR）、手机的运行内存（LPDDR），都是 DRAM 的一种。（DDR 基本是指 DDR SDRAM，双倍速率同步动态随机存储器。）

值得一提的是，显存这边，除了 GDDR 之外，还有一种新型显存，叫做 HBM（High Bandwidth Memory）。它是将很多 DDR 芯片堆叠后，与 GPU 封装在一起构成的（外观上看不到显存颗粒了）。

SRAM

SRAM 大家可能比较陌生。其实，它就是我们 CPU 缓存所使用的技术。

SRAM 的架构，比 DRAM 复杂很多。

SRAM 的基本单元，则最少由 6 管晶体管组成：4 个场效应管（M1， M2， M3， M4）构成两个交叉耦合的反相器，2 个场效应管（M5， M6）用于读写的位线（Bit Line）的控制开关，通过这些场效应管构成一个锁存器（触发器），并在通电时锁住二进制数 0 和 1。

因此，SRAM 被称为 “静态随机存储器”。

SRAM 存储单元

SRAM 不需要定期刷新，响应速度快，但功耗大、集成度低、价格昂贵。

所以，它主要用于 CPU 的主缓存以及辅助缓存。此外，还会用在 FPGA 内。它的市场占比一直都比较低，存在感比较弱。

非易失性存储器（NVM）

接下来，再看看非易失性存储器产品。

非易失性存储器产品的技术路线，就比较多了。最早期的，就是前面所说的 ROM。

最老式的 ROM，那是 “真正” 的 ROM—— 完全只读，出厂的时候，存储内容就已经写死了，无法做任何修改。

这种 ROM，灵活性很差，万一有内容写错了，也没办法纠正，只能废弃。

掩模型只读存储器（MASK ROM），就是上面这种 ROM 的代表。说白了，就是直接用掩膜工艺，把信息 “刻” 进存储器里面，让用户无法更改，适合早期的批量生产。

后来，专家们发明了 PROM（Programmable ROM，可编程 ROM）。这种 ROM 一般只可以编程一次。出厂时，所有存储单元皆为 1。通过专用的设备，以电流或光照（紫外线）的方式，熔断熔丝，可以达到改写数据的效果。

PROM 的灵活性，比 ROM 更高一些，但还是不够。最好是能够对数据进行修改，于是，就有专家发明了 EPROM（Erasable Programmable，可擦除可编程 ROM）。

擦除的方式，可以是光，也可以是电。电更方便一点，采用电进行擦除的，就叫做 EEPROM（电可擦除可编程 EEPROM）。

**EEPROM 是以 Byte 为最小修改单位的。**也就是说，可以往每个 bit 中写 0 或者 1，就是按 “bit” 读写，不必将内容全部擦除后再写。它的擦除操作，也是以 “bit” 为单位，速度还是太慢了。

上世纪 80 年代，日本东芝的技术专家 —— 舛冈富士雄，发明了一种全新的、能够快速进行擦除操作的存储器，也就是 ——Flash（闪存）。

舛冈富士雄

Flash 在英文里，就是 “快速地” 的意思。

限于篇幅，FLASH 的具体原理我们下次再专门介绍。我们只需要知道，Flash 存储是以 “块” 为单位进行擦除的。

常见的块大小为 128KB 和 256KB。1KB 是 1024 个 bit，比起 EEPROM 按 bit 擦除，快了几个数量级。

目前，FLASH 的主流代表产品也只有两个，即：NOR Flash 和 NAND Flash。

NOR Flash

NOR Flash 属于代码型闪存芯片，其主要特点是芯片内执行（XIP，Execute In Place），即应用程序不必再把代码读到系统 RAM 中，而是可以直接在 Flash 闪存内运行。

所以，NOR Flash 适合用来存储代码及部分数据，可靠性高、读取速度快，在中低容量应用时具备性能和成本上的优势。

但是，NOR Flash 的写入和擦除速度很慢，而且体积是 NAND Flash 的两倍，所以用途受到了很多限制，市场占比比较低。

早期的时候，NOR Flash 还会用在高端手机上，但是后来，智能机开始引入 eMMC 后，连这块市场也被排挤了。

近年来，NOR Flash 的应用有所回升，市场回暖。低功耗蓝牙模块、TWS 耳机、手机触控和指纹、可穿戴设备、汽车电子和工业控制等领域，使用 NOR Flash 比较多。

NAND Flash

相比之下，NAND Flash 的市场占比就大了很多。

NAND Flash 属于数据型闪存芯片，可以实现大容量存储。

它以页为单位读写数据，以块为单位擦除数据，故其写入和擦除速度虽比 DRAM 大约慢 3-4 个数量级，却也比传统的机械硬盘快 3 个数量级，被广泛用于 eMMC/EMCP、U 盘、SSD 等市场。

前面提到了 eMMC。前几年，这个词还是挺火的。

eMMC

eMMC 即嵌入式多媒体卡（embedded Multi Media Card），它把 MMC（多媒体卡）接口、NAND 及主控制器都封装在一个小型的 BGA 芯片中，主要是为了解决 NAND 品牌差异兼容性等问题，方便厂商快速简化地推出新产品。

而 eMCP，是把 eMMC 与 LPDDR 封装为一体，进一步减小模块体积，简化电路连接设计。

2011 年，UFS（Universal Flash Storage，通用闪存存储）1.0 标准诞生。后来，UFS 逐渐取代了 eMMC，成为智能手机的主流存储方案。当然了，UFS 也是基于 NAND FLASH 的。

这些年主流手机的标配

SSD，大家应该很熟悉了。它基本上都是采用 NAND 芯片的，目前发展非常迅猛。

SSD 内部构造

根据内部电子单元密度的差异，NAND 又可以分为 SLC（单层存储单元）、MLC（双层存储单元）、TLC（三层存储单元）、QLC（四层存储单元），依次代表每个存储单元存储的数据分别为 1 位、2 位、3 位、4 位。

由 SLC 到 QLC，存储密度逐步提升，单位比特成本也会随之降低。但相对的，性能、功耗、可靠性与 P/E 循环（擦写循环次数，即寿命）会下降。

这几年，DIY 装机圈围绕 SLC/MLC/TLC/QLC 的争议比较大。一开始，网友们觉得 SSD 硬盘的寿命会缩水。后来发现，好像缩水也没那么严重，寿命仍然够用。所以，也就慢慢接受了。

早期的 NAND，都是 2D NAND。工艺制程进入 16nm 后，2D NAND 的成本急剧上升，平面微缩工艺的难度和成本难以承受。于是，3D NAND 出现了。

图片来源：electronics-lab

简单来说，就是从平房到楼房，利用立体堆叠，提升存储器容量，减小 2D NAND 的工艺压力。

2012 年，三星推出了第一代 3D NAND 闪存芯片。后来，3D NAND 技术不断发展，堆叠层数不断提升，容量也越来越大。

新型存储器（非易失性）

2021 年，美国 IBM 提出 “存储级内存”（SCM， Storage-Class Memory）的概念。IBM 认为，SCM 能够取代传统硬盘，并对 DRAM 起到补充作用。

SCM 的背后，其实是行业对新型存储器（介质）的探索。

按行业的共识，新型存储器可以结合了 DRAM 内存的高速存取，以及 NAND 闪存在关闭电源之后保留数据的特性，打破内存和闪存的界限，使其合二为一，实现更低的功耗，更长的寿命，更快的速度。

目前，新型存储器主要有这么几种：相变存储器（PCM），阻变存储器（ReRAM/RRAM），铁电存储器（FeRAM/FRAM），磁性存储器（MRAM，第二代为 STT-RAM），碳纳米管存储器。

结语

汇总一下，小枣君画了一个完整的半导体存储分类图：

上面这个图里，存储器类型很多。但我前面也说了，大家重点看 DRAM、NAND Flash 和 NOR Flash 就可以了。因为，在现在的市场上，这三种存储器占了 96% 以上的市场份额。

其实，所有的存储器，都会基于自己的特性，在市场中找到自己的位置，发挥自己的价值。

一般来说，性能越强的存储器，价格就越贵，会越离计算芯片（CPU/GPU 等）越近。性能弱的存储器，可以承担一些对存储时延要求低，写入速度不敏感的需求，降低成本。

计算机系统中的典型存储器层次结构

图片来源：果壳硬科技

半导体存储技术演进的过程，其实一直都受益于摩尔定律，在不断提升性能的同时，降低成本。今后，随着摩尔定律逐渐失效，半导体存储技术将会走向何方，新型存储介质能够崛起？让我们拭目以待。

下一期文章，小枣君将站在历史的角度，详细介绍一下半导体存储的技术演进历程，以及行业格局的风雨变幻。

参考文献：

1.《数据存力白皮书》，华为、罗兰贝格；

2.《中国存力白皮书》，2022 算力大会；

3.《计算机存储历史》，中国存储网

4.《硬盘发展简史》，SunnyZhang 的 I 世界；

5.《存储技术发展历程》，谢长生；

6.《存储介质发展史》，B 站，阴冷未遂；

7.《下一代数据存储技术研究报告》，信通院；

8.《存储芯片行业研究报告》，国信证券；

9.《国产存储等待一场革命》，付斌，果壳；

10.《关于半导体存储，没有比这篇更全的了》，芯师爷

11.《科技简章 035 - 半导体存储之闪存》，悟弥津，知乎 12、维基百科相关词条。

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本文来自微信公众号：鲜枣课堂 （ID：xzclasscom），作者：小枣君

• 【全网首发】存储技术的前世今生（上篇）原创 小枣君 鲜枣课堂 2022年09月14日 21:03 江苏

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• 关于半导体存储的最强入门科普（存储技术的前世今生（下篇） 原创 小枣君 鲜枣课堂 2022年09月27日 22:16 江苏

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