一、氮化镓(GaN)FET GAN041-650WSBQ、GAN063-650WSAQ
应用
用于工业和数据通信电源的硬开关和软开关转换器
无桥图腾柱PFC
光伏和UPS逆变器
伺服电机驱动器
1、GAN041-650WSBQ氮化镓(GaN)FET具有650V漏源电压、47.2A漏极额定电流以及41mΩ最大电阻。 GAN041采用TO-247封装,是一款常关型器件,将高压GaN HEMT H2技术和低压硅MOSFET技术结合在一起。这些技术组合可以提供出色的可靠性和性能。Nexperia GAN041-650WSB GaN FET非常适合用于无桥图腾柱PFC、伺服电机驱动器以及工业和数据通信电源用硬开关和软开关转换器。
FET 类型:N 通道
技术:GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
漏源电压(Vdss):650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):47.2A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):41 毫欧 @ 32A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):22 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1500 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):187W
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
封装/外壳:TO-247-3
2、GAN063-650WSAQ 650V、50mΩ氮化镓 (GaN) FET是一款常关型器件,结合了Nexperia的最新高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术。GAN063-650WSA FET具有卓越的可靠性和性能。GAN063-650WSA符合AEC-Q101标准。GAN063-650WSA 650V、50mΩ GaN FET非常适合用于无桥推拉输出电路PFC、伺服电机驱动器和UPS逆变器。
FET 类型:N 通道
技术:GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
漏源电压(Vdss):650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):60 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):15 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1000 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):143W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
封装/外壳:TO-247-3
基本产品编号:GAN063
氮化镓(GaN)FET GAN041-650WSBQ、GAN063-650WSAQ,MK22FN512VFX12R配备32位ARM® Cortex®-M4内核,具有120MHz频率 MCU —— 明佳达
二、MK22FN512VFX12R配备32位ARM® Cortex®-M4内核,具有120MHz频率 MCU
Kinetis K2x 32位微控制器是低功耗MCU,通过智能片上集成显著节省BOM。这些MCU基于ARM®Cortex®-M4内核,提供完整和可选的高速USB 2.0 OTG(OTG),包括无晶体设备功能选项。闪存容量从32KB到2MB不等,SRAM容量高达1MB,最多支持2个USB控制器。封装包括BGA、LQFP、QFN和WLCSP,提供32至210引脚选择。Kinetis K2x MCU系列是一个可扩展的产品组合,具有不同级别的集成度和安全性。该产品组合提供丰富的模拟、通信、定时和控制外设套件,可满足广泛的需求。
核心处理器:ARM® Cortex®-M4
内核规格:32 位单核
速度:120MHz
连接能力:I²C,IrDA,SPI,UART/USART,USB,USB OTG
外设:DMA,I²S,LVD,POR,PWM,WDT
I/O 数:60
程序存储容量:512KB(512K x 8)
程序存储器类型:闪存
EEPROM 容量:-
RAM 大小:128K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.71V ~ 3.6V
数据转换器:A/D 2x16b; D/A 1x12b
振荡器类型:内部
工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:88-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装:88-QFN(10x10)
基本产品编号:MK22FN512
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