【氮化镓】GaN器件可靠性及市场前景概述

文章是关于氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）技术在空间应用中的可靠性、辐射效应和市场前景的概述。文章由Airbus Defence & Space的多位专家撰写，涵盖了GaN FET技术的多个关键方面，包括技术概述、可靠性问题、辐射敏感性、市场分析以及未来空间应用的使命需求。

I. 引言 (Introduction)

文章从GaN功率器件作为新兴技术开始，强调了其在商业上日益增长的兴趣，尤其是在电源转换应用中的优越性能。GaN技术允许设计更高频率和效率的电源转换器，超越了传统硅（Si）器件的极限。文章指出，可靠性和辐射是GaN HEMT器件的关键问题，因为它们可能受到在硅技术中未观察到的多种失效机制的影响，如栅极边缘退化、俘获和去俘获、热电子效应等。这些失效机制可能导致电气退化，如动态导通电阻增加、击穿机制、阈值电压的永久性和可恢复变化以及栅极漏电流的变化。在辐射敏感性方面，尽管GaN材料本身对位移损伤和剂量效应具有辐射硬化特性，但GaN技术被认为对单粒子效应（SEE）敏感。

II. 使命需求概览 (Overview of Mission Requirements)

文章讨论了GaN技术在提高开关能力方面相比硅技术的改进，这使得在等效耗散下可以实现更高的开关频率。系统研究表明，主要电源转换可能从功率密度的翻倍中受益，从而在电源系统级别实现显著的质量和成本节省。GaN技术可能受益的构建