FSMC的介绍学习1

1.FSMC的简介

1.1基本简介

1.1.1FSMC的简介

• FSMC是（Flexible Static Memory Controller）的缩写，译为灵活的静态存储控制器。它可以用于驱动包括 SRAM、NOR FLASH以及NANDFLSAH类型的存储器，不能驱动如SDRAM这种动态的存储器而在STM32F429 系列的控制器中，它具有FMC外设，支持控制SDRAM存储器。
• FSMC的特点：

（1）所有外部存储器共享地址、数据和控制信号，但有各自的片选信号。FSMC 一次只能访问一 个外部器件。

（2）8或16位宽的数据总线

（3）每个存储区域有独立的片选控制

（4）每个存储区域可独立配置

• FSMC的时序控制

（1）等待周期可编程（最多 15 个时钟周期）

（2）总线周转周期可编程（最多 15 个时钟周期）

（3）输出使能和写入使能延迟可编程（最多 15 个时钟周期）

（4）独立的读和写时序和协议，以支持各种存储器和时序

1.1.2FSMC的框图

• FSMC的时钟输入

（1）CPU和其它AHB总线主设备可通过该 AHB 从设备接口访问外部静态存储器。 AHB事务会转换为外部器件协议。

（2）尤其是当所选外部存储器的宽度为16位或8位时，AHB中的32位宽事务将被划分成多个连续的16或8位访问。片选将在每次访问时进行切换

（3）FSMC外设挂载在AHB总线上，时钟信号来自于HCLK，控制器的同步时钟输出就是由它分频得到。

• FSMC的通讯引脚

（1）N/#表示低电平有效；地址线FSMC_A和数据线FSMC_D是所有控制器都共用的

1.1.3FSMC的地址映射

（1）FSMC控制器对内核的地址映射

• 图中左侧的是Cortex-M3内核的存储空间分配，右侧是STM32 FSMC外设的地址映射。可以看到FSMC的NOR/PSRAM/SRAM/NAND FLASH以及PC卡的地址都在External RAM地址空间内。正是因为存在这样的地址映射，使得访问FSMC控制的存储器时，就跟访问STM32的片上外设寄存器一样(片上外设的地址映射即图中左侧的“Peripheral”区域)。

（2）外部器件地址映射

• 从FSMC的角度，外部存储器被划分为4个固定大小的存储区域，每个存储区域的大小为256 MB存储区域1可连接多达4个NOR Flash或PSRAM存储器器件。此存储区域被划分为4个
  NOR/PSRAM 区域，带4个专用片选信号。 存储区域2和3用于连接NAND Flash器件（每个存储区域一个器件） 存储区域4用于连接PC卡设备。对于每个存储区域，所要使用的存储器类型由用户在配置寄存器中定义

（3）Bank1内部片选信号地址的选择

• STM32F1/F4的FSMC存储块1（Bank1）被分为4个区，每个区管理64M字节空间，每个区 都有独立的寄存器对所连接的存储器进行配置。Bank1的256M字节空间可以通过 28 根地址线 （HADDR[27:0]）寻址后访问。这里 HADDR 是内部 AHB地址总线，但是也会参加对外部存储器的寻址，其中HADDR[25:0]来自外部存储器地址FSMC_A[25:0]，而 HADDR[26:27]对4个区进行寻址
• 当STM32访问0x68000000-0x6BFFFFFF地址空间时，会访问到 Bank1的第 3 小块区域，相应的 FSMC_NE3 信号线会输出控制信号

（4）存储器宽度

• 如果外部存储器的宽度为16位，FSMC将使用内部的HADDR[25:1]地址来作为对外部存储器的寻址地址FSMC_A[24:00]。 当 Bank1 接的是 8 位宽度存储器的时候：FSMC将内部的HADDR[25:0] 地址作为对外部存储器的寻址地址FSMC_A[25:0]。（后面的LCD驱动有大用）
• 无论外部存储器的宽度为16位还是8位，FSMC_A[0]都应连接到外部存储器地址A[0]

• HADDR[25:0] 包含外部存储器地址。由于HADDR为字节地址，而存储器按字寻址，所以根
  据存储器数据宽度不同，实际向存储器发送的地址也将有所不同 ，如下表所示

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（5）NAND/PC卡地址映射

• 对于NAND Flash 存储器，通用区和特性区存储空间分为三个部分，均位于低位256KB中 
• 数据区域（通用/特性存储空间中的第一个 64 KB） 命令区域（通用/特性存储空间中的第二个 64 KB） 地址区域（通用/特性存储空间中的下一个 128 KB）
• 由于NAND Flash存储器会自动递增地址，所以在访问连续存储器位置时，无需递增数据区域
  的地址。

​​​​​​​1.1.4NOR/PSRAM控制器

（1）寄存器 

（2） 基本概念

不同的设备的最大最小数据建立的时间、地址保持时间 、地址建立时间、总线周转等是不同的

• 对于同步访问，FSMC只有在读/写事务期间才会向所选的外部器件发出时钟 (CLK)。HCLK
  时钟频率是该时钟的整数倍。每个存储区域的大小固定，均为 64 MB
• NOR-Flash存储器采用16位字寻址。最大容量为512Mb（26 个地址线）
• PSRAM存储器采用16位字寻址。最大容量为512Mb（26 个地址线）

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（3）FSMC的信号名称

​​​​​​​（4）模式1读取访问

• NBL[1:0] 在进行读取访问时为低电平

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• 位于写入事务末尾的一个HCLK周期有助于确保NWE上升沿之后的地址和数据保持时间 。 由于存在此HCLK周期，DATAST值必须大于零 (DATAST > 0)。简单来说就是保证数据写入 ​​​​​​​

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 （5）B/2模式

 

 

• 与模式1的不同之处在于设置扩展模式（模式 B）时的NWE切换与独立的读取和写入时序