多层片式瓷介电容器（MLCC）

概述

所谓片式多层瓷介电容器(MLCC)---简称片式电容器,是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。

片式电容器除有电容器 “隔直通交”的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，可靠性高，适合表面安装等特点。

 

基本结构

多层片式陶瓷电容器的结构主要包括三大部分：陶瓷介质，金属内电极，金属外电极。而多层片式陶瓷电容器它是一个多层叠合的结构，简单地说它是由多个简单平行板电容器的并联体。

 

瓷介的分类

陶瓷是一种质硬、性脆的无机烧结体，一般分为两大类：功能陶瓷和结构陶瓷。用来制造片式多层瓷介电容（MLCC）的陶瓷是一种结构陶瓷，是电子陶瓷，也叫电容器瓷。

电容器瓷根据国标按其温度特性分为两类：Ⅰ类电容器瓷（COG）和Ⅱ类电容器瓷（X7R、Y5V、Z5U）。

按其用途可以分为三类：①高频热补偿电容器瓷（UJ、SL）；②高频热稳定电容器瓷（NPO）；③低频高介电容器瓷（X7R、Y5V、Z5U）。

 

高频热补偿、热稳定电容器瓷属Ⅰ类瓷，其瓷料主要成分是MgTiO3、Ti9Ba2O20、BaTi4O9和Nd-Ba-Ti再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。其特点是介电常数较小（10～100），介质损耗小（小于15×10-4），介电常数一般不随温度的变化而变化。高频热补偿电容瓷常用来制造负温产品，此类产品用途最广的地方就是振荡回路，像彩电高频头。大家知道，振荡回路都是由电感和电容构成，回路中的电感线圈一般具有正的电感温度系数。因此，为了保持振荡回路中频率(F=1/2π√ LC )不随温度变化而发生漂移，就必须先用具有适当的负温度系数的电容器来进行补偿。

低频高介电容器瓷属Ⅱ类瓷，是强介铁电陶瓷，一般是指具有自发极化特性的非线性陶瓷材料，其主要成份是钛酸钡（BaTiO3），其特点是介电系数特别高，一般数千，甚至上万；介电系数随温度呈非线性变化，介电常数随施加的外电场有非线性关系。

 

瓷介代号

陶瓷介质的代号是按其陶瓷材料的温度特性来命名的。目前国际上通用美国EIA标准的叫法，用字母来表示。常用的几种陶瓷材料的含义如下：

Y5V：温度特性Y代表 －25℃； 5代表＋85℃；

温度系数V代表 －80％ ～ ＋30％

Z5U：温度特性Z代表 ＋10℃； 5代表＋85℃；

温度系数U代表 －56％ ～ ＋22％

X7R：温度特性X代表 －55℃； 7代表＋125℃

温度系数R代表 ± 15％

NP0：温度系数是30ppm/℃（-55℃～＋125℃）

 

瓷介代号（补充…）

The EIA Class 2 dielectric materials are ceramic dielectric materials used in ceramic capacitors. In comparison with the EIA Class 1 dielectrics they tend to have very poor temperature drift, high dependence of capacitance on applied voltage, high voltage coefficient of dissipation factor, high frequency coefficient of dissipation, and problems with aging due to gradual change of crystal structure. Aging causes gradual exponential loss of capacitance and decrease of dissipation factor.

The EIA Class 2 dielectrics in general are usually based on formulas with high content of barium titanate (BT), possibly mixed with other dielectric electroceramics. Due to its piezoelectric properties, they are subject to microphonics. Other oxides added can be the same as used for Class 1 ceramics.

EIA X7R is designed for capacitors with capacity ranging typically between 3300 pF to 0.33 μF, 10% tolerance. Good for non-critical coupling, filtering, transient voltage suppression, and timing applications. Has high dielectric constant. It is an EIA Class 2 dielectric. Its tolerance over a temperature range of 0 to 70 °C is ±15%.

Y5P and Y5V are other such class 2 ceramics, with temperature range of -30 to +85 °C and wide capacitance change with temperature of ±10% or +22/-82%. Usually used for capacitances between 150 pF and 2 nF.

Z5U (EIA) or 2E6 (IEC code) — typical for 2.2 nF to 2.2 μF, 20%. Good for bypass, coupling applications. Low price and small size, low temperature stability.

Other commonly used materials are Y5P (2B4 in IEC specs), Y5U, and Z5U (2E5).

The EIA three-character code is derived from the low and high temperature limit, and the range of capacitance change.

 

 

 

Low Temperature High Temperature Capacitance Change Range X: -55 °C 4: +65 °C A: ±1.0% Y: -30 °C 5: +85 °C B: ±1.5% Z: +10 °C 6: +105 °C C: ±2.2%   7: +125 °C D: ±3.3%   8: +150 °C E: ±4.7%   9: +200 °C F: ±7.5%     P: ±10%     R: ±15%     S: ±22%     T: +22% -33%     U: +22% -56%     V: +22% -82%

 

X5R is the name of a dielectric material used in ceramic capacitors. X5R performs better than other dialectrics, such as Y5V, and permits the construction of smaller capacitors than other dialecrics, such as NPO and X7R.

 

 

电极材料的基本知识

内外电极是电容器的重要组成部分。内电极主要是用来贮存电荷，其有效面积的大小和电极层的连续性是影响电容质量的两大因素。外电极主要是将相互平行的各层内电极并联，并使之与外围线路相连接的作用。片容的外电极就是芯片端头。

用来制造内外电极的材料一般都是金属材料。

一、内电极材料

大家知道，片式电容的内电极是通过印刷而成。因此，内电极材料在烧结前是以具有流动性的金属或金属合金的浆料的形式存在，故叫内电极浆料，简称内浆。

二、端电极材料

端电极起到连接瓷体多层内电极与外围线路的作用，其对片容最大的影响主要表现在芯片的可焊与耐焊性能方面。我们目前有两种基本形式：

(1)纯银端电极。

(2)三层电极，常用的有Ag-Ni-Sn、Ag-Ni-Au、Cu-Ni-Sn（BME）共三层。

 

片式电容器的一般电性能

在交变电压的作用下，电容器并不是以单纯的电容形式出现，它除了具有电容量以外，还存在一定和电感和电阻。在频率较低时，它们的影响很小可以不予考虑；随着工作频率的得高，电感和电阻的影响不能忽视，严重时可能会使电容器失去作用。

因此，我们一般用四个主要的参数来衡量片式电容的一般电性能：电容量（Capacitance）、损耗角正切（Dissipation Factor）、绝缘电阻(Insulation Resistance)、耐电压(Dielectric Withstanding Voltage)。

 

一、电容量（C）

电容量的大小表示电容器贮存电荷的能力。一般用HP电桥测试。两层平行金属极板中的陶瓷介质为什么能贮存电荷能？这是因为陶瓷介质具有一种特殊的物理特性：电极化（简称极化）。从电学的角度来看，一般导体，例如金属和电解质，其原子和分子对周围电子的束缚力很小，我们称这些电子为自由电子（或叫自由电荷）。在电场的作用下，自由电子将沿电场力的方向作定向运动，形成电流。但在陶瓷介质中，原子、分子中正负电荷却以其价健或离子健的形式存在，相互间强烈地束缚着，我们称之为束缚电荷。在电场的作用下，这些正负电荷只能作微观尺度上相对位移。由于电荷的相对位移，在原子、分子中就产生了感应偶极矩，我们称之为极化。在外电场的作用下，偶极分子将沿电场方向定向偏转，从而在陶瓷介质的表面形成相应的感应电荷。从而电荷就被贮存在电容器中。

片式电容器的电容量除了由它本身的设计与材料特性所决定外，在很大程度下同它的测试条件、温度、电压和频率有很大的关系。对于Ⅰ类电容器（COG），其电性能受上述因素的影响相对较小，但对于Ⅱ类电容器（X7R、Z5U、Y5V），其电性能受上述因素的影响相对较大。

1、 电容量与温度的关系

温度是影响电容器电容量的一个重要因素，我们把电容量同温度的这种关系特性叫收电容器的温度特性(Temperature Coefficient)。一般说来，对于较为稳定的Ⅰ类电容器，其影响相对较小，几乎没有变化，故我们用PPM/℃来表示它的容量变化率；对于Ⅱ类电容器，其影响相对较大，故我们用”％”来表示它的容量变化率。

2、 电容量与直流电压的关系

在电路的实际应用中，电容器两端可能要放加一个直流电压，我们把电容器的这种情况下的特性叫做直流偏压特性。目前直流偏压特性较好的材料有BX。这种材料是在通过对X7R材料改性而得来。另外也可以通过增加介质厚度的方法，取得较好的电容器偏压特性。

3、 电容量与交流电压的关系

同样，Ⅰ类电容器的交流特性比较好，基本不随施加电压的变化而变化。但是，对于Ⅱ类电容器，其容量基本是随所加电压的升高而加速递升的，特别X7R此特性比较明显。

4、 电容量与工作频率的关系

对于Ⅰ类电容器其应用频率的增加，它的容值不会有什么变化，但对于Ⅱ类电容器，容值下降较为明显。

 

二、绝缘电阻（ＩＲ）；

完全不导电的绝缘体是没有的。在电介质中通常或多或少存在正、负离子，这些离子在电场作用下将定向迁移，形成离子电流，我们称之为体内漏电流。通常，在电容器的表面，也会或多或少地存在正负离子，这些离子在外电场的作用下，会发生定向迁移，形成表面漏电流。因此，电容器的漏电流是陶瓷介质中体内漏电流与芯片表面的漏电流两部分组成。我们把加在介质两端的电压和漏电流之比称之为介质的绝缘电阻。

Ｒ＝Ｕ／Ｉ

由上可知，电容器的绝缘电阻等于表面绝缘电阻与体内绝缘电阻相并联而成。因此，电容器的绝缘电阻除了同其本身所固所介质特性外，同外界环境温度、湿度等有很大的关系。

温度对绝缘电阻的影响主要表现在温度升高时，瓷介的自由离子增多，漏电流急剧增加，介质绝缘电阻迅速降低。但防潮不好的小容量电容器表面漏电流较大，随着温度的升高，表面潮气蒸发，表面绝缘电阻上升。

湿度对电容器电性能影响最大，会因表面吸潮使表面绝缘电阻下降。

 

三、损耗（ＤＦ）和品质因数（Q）

在外加电压作用下，单位时间内因发热而消耗的能量，叫电容器的损耗。理想的电容器把从电源中得到的能量，全部贮存在电容器有介质中，不发生任何形式的能量消耗，事实上电容器在外加电压的作用下是要消耗能量的，介质漏电流，缓慢极化（电偶极矩在电场作用下发生偏转），内外电极金属部位的等效电阻都会消耗一部分能量，形成电容器的损耗。过高的电容器损耗会产生热量使电容器温度升高，造成电路工作状态不稳定，加速电容器的老化。

电容器的好坏并不能单以电容器的消耗能量的多少来定论，因此，一般用电容器的损耗角正切来表示。电容器的损耗角正切是指在一定频率的正弦电压作用下，消耗在电阻上的有功功率和贮存在电容器中的无功功率的比值。因此，其是一个无单位的量。即：

Tgδ ＝有功功率/无功功率

介质损耗同电容量一样，在实际使用中同温度、工作频率、电容器两端所加的电压有很大的关系。

 

电容器的品质因素（Q）和等效串联电阻ESR：

在高频电路中，由于频率较高，电容器所测量出来的介质损耗已经很小,不便于参考。因此，为了更好地了解它的高频特性，我们更关心的是它的品质因素Q值和在高频低下所表现出来的等效串联电阻ESR（Equivalent Series Resistance）。

Q值就是介质损耗DF的倒数。即：Q = 1/DF。随着目前信号使用频率的增高、功率的增加，高Q和超高Q的产品需求越来越多。同样，Q值同ESR有着直接的关系，一般高Q即具备低ESR的特性。

在电容中所有损耗的总合叫做电容的等效串联电阻ESR，一般它用毫欧姆来表示。ESR的损耗由介质损耗(Rsd)和金属损耗(Rsm)两部分组成。ESR = Rsd + Rsm

金属损耗（ Rsm）则取决于电容构造中所有金属性物质的传导特性。这包括内电极，端电极等。

介质损耗在低频率下是主要的，而在高频时则很小，金属损耗则与之相反。当频率越高时，金属损耗就表现出”趋肤效应”。

因此，在设计时，高频下我们应考虑ESR和Q值对电路设计的影响；低频下应考虑损耗(DF)对电路设计的影响。

 

四、耐电压（DWV）

电容器的耐电压性能就是指电容器的陶瓷介质在工作状态中能够承受的最大电压，即击穿电压，也就是电容器的极限电压。电容器的标称电压即电容器的工作电压，标称电压一般是相对于直流来说的。而电容器的耐电压常规也是相对直流来说的，但有时也常用交流来表示。一般来说，电容器的标称电压远远低于其瓷介的耐电压。因为，在实际的工作过程中，电容器除了两端时时要承受的直流电压外，另外常有脉冲交流电压存在，而这个交流电压的峰值常常远远高出工作过程中的直流电压。

 

 

老化

对于Ⅱ类陶瓷介质的电容器，其容量和介质损耗会随时间发生衰减，这种现象就是老化。其具体原理如下：因为Ⅱ类电容器一般具有铁电特性，并呈现一个居里温度。介质在这个温度以上具有高度对称的立方晶体结构，而低于居里温度时，立方晶体结构的对称性高降低。即使在单位体内这种状态的转变也是很明显的。在实际陶瓷中通常被扩大到一个有限的温度范围之内，但在所有的情况下，它是电容量/温度曲线上的某一个峰值。因此，对于此类电容器，存在一个老化的现象。在热波动的影响下，在介质冷却至居里温度之后，在一段很长时间的内，晶体点阵中的离子会连续移动到势能较小的位置，这就引起了电容器的老化现象。从此电容器的电容量不断减小。但如果将电容器加热至高于居里温度的某一个温度，则就会起到消除老化的作用，即通过老化而使电容量减小的部分恢复，而在电容器冷却时，会重新开始老化。

同时极化的形成会在物质内部产生一定的电压能量。这些能量的释放便是物质介电常数随时间发生变化导致材料老化的原因。介电常数与时间的关系如下：

 

K=K0-mLog t

其中K是任意时刻的介电常数，

K0是t时刻的介电常数，

m则是衰减速率。

 

 

介质材料 介电常数 典型老化率（1000h） NPO（COG） 65 ---------- X7R 2000 3.5%～5.0% BX 4000 3.5%～5.0% Z5U 8000 8%～12% Y5V 10000

10%～15%

 

 

 

片式电容的选用

 

一、功能选用

电容器因为具有“隔直通交”的特性，同时它是一个储能的元件，因此在电路中常有功用有以下几个方面：

1、 储能交换

这是电容器最基本的功用，主要是通过它的充放电过程来产生和施放一个电能。这主要是以大容量的Ⅱ类电容器为主，在某些情况下甚至可以代替小型铝电解电容器和钽电解电容。

2、 隔直通交（旁路与耦合）

由于电容器并非是一个导通体，它是通过交流的有规律的转向而体现出两端带电的现象，因此，在电路中它可以同其它元件并联，使交流通过，而直流被阻隔下来，起到旁路的作用。

在交流电路中，电容器跟随输入信号的极性变化而进行充放电，从而使连接电容器两端的电路表现导通的状态，起到耦合的作用。

一般说来，与放大器或运放输入端相联电容器的为耦合电容器；与放大器或运放发射极相联的电容器为旁路电容器。

两者均以Ⅱ类电容器为主，特别是0.1uF的电容居多。

3、 鉴频滤波

在交流电路中，对于一个多频率混合的信号，我们可以用电容器将其部分分开，一般来说，我们可以使用一个合理电容量的电容器将大部分的低频信号过滤掉。这主要以高频或超高频电容器为主。

4、 浪涌电压的抑制

由于电容器是一个储能元件，因此，在电路中，它可以去除那些短暂的浪涌脉冲信号，也可以吸收电路中电压起伏不定所产生的多余的能量。滤波主要以高频产品为主。

二、介质材料、容量值、容量级别的选用参考

 

 

 

介质材料 介电常数 可做产品容量范围（以1206规格为例） 对应容量级别 COG(CG) 15-90 1.0-2200pf B C D F G J X7R(B) 2600-3600 1-100nf J K M Z5U(E) 15000-2000 10-470nf M S Z Y5R(F) 15000-2000 10-470nf M S Z

 

 

 

片式电容的发展趋势

 

为了满足电子整机不断向小型化、大容量化、高可靠性和低成本的方向发展。多层片式电容器也随之迅速向前发展：种类不断增加，体积不断缩小，性能不断提高，技术不断进步，材料不断更新，轻薄短小系列产品已趋向于标准化和通用化。其应用逐步由消费类设备向投资类设备渗透和发展。移动通信设备更是大量采用片式元件。

片式电容具有容量大，体积小，容易片式化等特点，是当今通讯器材、计算机板卡及家电遥控器及中使用最多的元件之一。随着SMT的迅速发展，其用量越来越大，仅每部流动电话中的用量就达200个之多。因此，片式多层瓷介电容器2002年全球量达4000亿只，最小尺寸为0402 ，甚至0201。

随着世界电子信息产业的迅速发展，片式电容的发展方向呈现多元化。(1)为了适应便携式通信工具的需求，片式多层电容器也正在向低压大容量、超小超薄的方向发展。(2)为了适应某些电子整机和电子设备向大功率高耐压的方向发展（军用通信设备居多），高耐压大电流、大功率、超高Q值低ESR型的中高压片式电容器也是目前的一个重要的发展方向。 (3)为了适应线路高度集成化的要求，多功能复合片式电容器（LTCC）正成为技术研究热点。