本文深入探讨NAND Flash存储器的工作原理，包括浮栅构造、编程方式（热电子注入和F-N隧穿）以及关键参数：存储时间、读写速度和编程次数。NAND Flash在现代电子设备中的应用广泛，其非易失性使其成为长期数据存储的理想选择，但编程和擦除过程会影响其寿命和性能。
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专栏 《深入理解NAND Flash》
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从底层物理原理上了解 Nand Flash。
1. 存储器诞生：
现代计算机使用存储器来存储数据，其中存储的是0和1。然后，通过ASCII码（美国信息交换标准代码）来将二进制数字翻译为人们日常生活中使用的信息。这些信息包括我们在计算机设备中常用的指令（如空格、回车等）、字母、数字和标点符号等。在1992年，Unicode（字符标准码）被发布，解决了ASCII码表达其他国家和地区语言的不足之处。通过不同排列组合的0和1，我们能够获取不同的信息并与人类进行交流。
为什么是二进制呢?
因为受限于当时甚至现在的技术，人们制造的场效应晶体管（FET）只有在区分关态和开态的时候，其灵敏度是最高的。如果我们在开和关之间引入其他的态，一般是用固定电压下的电流值来区分态，所以当外界环境比较恶劣时，容易引起电流不受控制的变大或变小（例如温度因素，半导体的本征载流子浓度严重依赖温度，温度较高时，本征载流子浓度迅速增大，电流会急剧升高，从而失去目的开关与放大作用，所以CPU等半导体器件运行，降温散热非常重要&#
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