[HBM] RAM Cell Self Repair | 内存单元自我修复

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专栏 《深入理解DDR》

引子

DRAM单元不断缩小的直接结果是故障率提高， HBM 使得这个问题更加突出， 目前 HBM 顶级生产商的良率也才 70%。

HBM 内部是无数个内存单元， 如果坏了一个存储单元（1 bit）， 整个 HBM 存储单元都要废弃掉吗？ 这可真是一粒老鼠屎， 坏了一锅粥。

聪明的人类肯定不会让老鼠得逞了，存储前辈们想到了一个办法： 就是多备一些冗余的存储资源，用来替换有缺陷的存储单元。

只是这种替换修复到底是怎样的， 坏了一个存储单元， 就找一个好的存储单元来替换？
简单这么想是没问题，但好的Cell 和 坏的 Cell, 怎么映射呢？ 这样得维护多大的一张转换表呀？

出于好奇心，元元带你look look。

1. 基本知识

先认识下今天的主人公， Cell
Cell
内存单元，1 个内存单元存储一个 bit, 1GB