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专栏 《深入理解DDR》
全文 3300
字。
1 概念
1.1 什么是HBM TSV
使用 TSV 堆叠多个DDR DRAM
成为一块HBM
, 成倍提高了存储器位宽, 一条位宽相当于高速公路的一条车道, 车道越多, 在相同的车速下, 传输运输量自然越大。
1.2 TSV
优点
(1) 高密度
减少了横向面积,在小尺寸的消费电子产品领域有优势, 提高系统集成度,在有限的空间集成更多芯片。
(2)提高电信号质量
相对于引线的方式,TSV
的互连距离短,信号质量更好
(3)显著提升了存储器处理速度
(4)功耗也降低了。
1.3 TSV
缺点
(1) 设计和实现复杂
(2)增加了测试成本
2 TSV
技术
为了更快理解TSV
封装,我们先比较下传统的引线键合和TSV
的区