[HBM] HBM TSV (Through Silicon Via) 结构与工艺

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专栏 《深入理解DDR》

全文 3300 字。

1 概念

1.1 什么是HBM TSV

使用 TSV 堆叠多个DDR DRAM成为一块HBM, 成倍提高了存储器位宽， 一条位宽相当于高速公路的一条车道， 车道越多， 在相同的车速下， 传输运输量自然越大。

1.2 TSV优点

（1） 高密度
减少了横向面积，在小尺寸的消费电子产品领域有优势， 提高系统集成度，在有限的空间集成更多芯片。

（2）提高电信号质量
相对于引线的方式，TSV的互连距离短，信号质量更好

（3）显著提升了存储器处理速度

（4）功耗也降低了。

1.3 TSV缺点

（1） 设计和实现复杂
（2）增加了测试成本

2 TSV技术

为了更快理解TSV封装，我们先比较下传统的引线键合和TSV的区