ddr3ip核心_DDR3（4）：IP核再封装

调取的 DDR3 控制器给用户端预留了接口，用于实现对该 IP 核的控制，我们要做的就是利用这些接口打造合适的 DDR3 控制器。在生成 DDR3 IP 核的界面中，可以找到 User Guide 手册，DDR3 的使用将围绕这个手册来展开。

一、接口说明

打开 User Guide 第 90 页，可以看到 DDR3 IP 核的接口框图如下所示。可以看到，中间部分就是我们调取的 DDR3 IP 核，它预留了两组总线，右边一组直接绑定在 DDR3 芯片端口，其总线信号名称均以 ddr 开头，这部分总线只需要在 top 层设为端口即可，无需自己写代码控制。而左边一组则是留给用户端逻辑，其总线信号名称多以 app 开头，这些信号则需我们自己来编写实现。

User Guide 第92页里有个汇总表，我们简单翻译一下。

二、命令、写、读

1、命令总线(表格红色部分)

由前面表格和数据手册提供的时序图，我们可以得到以下信息：

(1)app _cmd 命令分为写和读，写为 3‘b000，读为 3'b001；

(2)只有当 app_rdy 和 app_en 信号为高时，命令才有效。

2、写总线(表格黄色部分)

数据手册提供的时序图如下所示。共有 3 种传输模式。模式 1 指的是命令和数据同时发送到 IP 核，模式 2 指的是数据提前于命令发送到 IP 核，模式 3 指的是数据落后于命令发送到 IP 核。模式 1 和 2 均可稳定传输，而模式 3 必须满足一个条件，即数据落后命令的时间不能超过两个时钟周期。本次设计我打算采用模式 1，时序设计起来比较方便。

关于 app_wdf_end 信号，该信号表示：当前突发写的最后一个数据。在A7 DDR3 的控制器IP核中，只存在突发长度为 8 地址的形式 ，1 个地址能存放的数据是 16bit，因此每一次的地址突发带来的数据突发为 8*16=128 bit(对外接口为128bit)。本次 DDR3 IP 核调取时，我们选取的 “物理层 - 用户端” 的速率为 4：1，每次发送的有效数据为 128 bit，因此1 次突发写就完成了数据的写入，app_wdf_end 和 app_wdf_en 时序上同步了。

而如果选取的 “物理层 - 用户端” 的速率为 2：1，每次发送的有效数据为 64 bit，因此1次突发要分成2次才能真正写完，app_wdf_end 就看得更清楚了。

本次设计采用第一种【数据对齐模式】如下所示：

3、读总线(表格黄色部分)

读总线也分为两种速率，4:1 和 2:1。读就比较简单了，由 User Guide 可知各信号之间的逻辑关系，读数据是在给出命令之后一段时间后开始出现的。图中没有给出 app_rd_data_end 信号，此信号和 app_wdf_end是相同的，即在DDR3的物理层端与用户端存在两种速率情况，此次设计速率为4:1，app_rd_data_end 和 app_rd_data_valid 相同。说白了就是给到命令和地址，过一段时间数据和数据有效指示就出来了。设计时要注意这个“过一段时间”是不确定的，因此读地址和读命令给完后就不要给了，之后要进行等待，等到读数据全部出来后才可以再做的别的操作。

三、完整代码

之前的 DDR2 控制器设计中，采用了对 DDR2 IP 再次封装的方法，而 DDR3 也完全可以这样做。设计一个 DDR3_burst 文件，对 DDR3 IP 进行一次外部突发的封装，方便后面的控制。

1 //**************************************************************************2 //*** 名称 : DDR3_burst.v3 //*** 作者 : xianyu_FPGA4 //*** 博客 :https://www.cnblogs.com/xianyufpga/

5 //*** 日期 : 2020年6月6 //*** 描述 : 完成一次DDR3的突发7 //**************************************************************************

8 moduleDDR3_burst9 //============================< 参数 >======================================

10 #(11 parameter DDR_DM_W = 2 , //芯片dm位宽

12 parameter DDR_DQS_W = 2 , //芯片dqs位宽

13 parameter DDR_BANK_W = 3 , //芯片bank位宽

14 parameter DDR_ADDR_W = 14 , //芯片地址位宽

15 parameter DDR_DATA_W = 16 , //芯片数据位宽16 //-------------------------------------------------------

17 parameter APP_DATA_W = 128 , //用户数据位宽

18 parameter APP_ADDR_W = 28 , //用户地址位宽19 //-------------------------------------------------------

20 parameter BURST_ADDR_W = 25 //外部突发位宽 28-3

21 )22 //============================< 信号 >======================================

23 (24 //时钟和复位 --------------------------------------------

25 input sys_clk_i , //DDR3 参考时钟

26 input sys_rst , //FPGA 全局复位

27 output ui_clk , //DDR3 工作时钟

28 output DDR3_rst , //DDR3 同步复位29 //突发读写接口 ------------------------------------------

30 input burst_rd_req , //突发读请求

31 input burst_wr_req , //突发写请求

32 input [BURST_ADDR_W -3:0] burst_rd_len , //突发读长度

33 input [BURST_ADDR_W -3:0] burst_wr_len , //突发写长度

34 input [BURST_ADDR_W -1:0] burst_rd_addr , //突发读地址

35 input [BURST_ADDR_W -1:0] burst_wr_addr , //突发写地址

36 output [APP_DATA_W -1:0] burst_rd_data , //突发读数据

37 input [APP_DATA_W -1:0] burst_wr_data , //突发写数据

38 output burst_rd_ack , //突发读应答,连接FIFO

39 output burst_wr_ack , //突发写应答,连接FIFO

40 output reg burst_rd_done , //突发读完成信号

41 output reg burst_wr_done , //突发写完成信号42 //DDR3芯片接口 ------------------------------------------

43 output [DDR_ADDR_W -1:0] ddr3_addr ,44 output [DDR_BANK_W -1:0] ddr3_ba ,45 outputddr3_cas_n ,46 outputddr3_ck_n ,47 outputddr3_ck_p ,48 outputddr3_cke ,49 outputddr3_ras_n ,50 outputddr3_cs_n ,51 outputddr3_reset_n ,52 outputddr3_we_n ,53 inout [DDR_DATA_W -1:0] ddr3_dq ,54 inout [DDR_DQS_W -1:0] ddr3_dqs_n ,55 inout [DDR_DQS_W -1:0] ddr3_dqs_p ,56 output [DDR_DM_W -1:0] ddr3_dm ,57 outputddr3_odt58 );59 //============================< 信号 >======================================

60 reg [APP_ADDR_W -1:0] app_addr ;61 wire [2:0] app_cmd ;62 wireapp_en ;63 wire [APP_DATA_W -1:0] app_wdf_data ;64 wireapp_wdf_end ;65 wireapp_wdf_wren ;66 wire [APP_DATA_W -1:0] app_rd_data ;67 wireapp_rd_data_end ;68 wireapp_rd_data_valid ;69 wireapp_rdy ;70