深度剖析CMOS、FinFET、SOI和GaN工艺技术

最新推荐文章于 2024-07-23 17:01:07 发布

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本文深入探讨了半导体工艺技术的发展，从CMOS、FinFET到SOI和GaN工艺，详细阐述了各自的技术特点和优缺点。CMOS工艺在不断演进以应对短通道效应，FinFET提供了更好的栅极控制，而SOI技术则因减少寄生电容和更低功耗受到关注。GaN作为一种新型材料，因其高功率密度和高频性能在微波和毫米波应用中崭露头角。随着技术的推进，半导体行业正在寻找新材料和工艺以应对摩尔定律的挑战。

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真空管的发明是电子工业发展的重要动力。但是，在第二次世界大战之后，由于需要大量的分立元件，设备的复杂性和功耗显着增加，而设备的性能却不断下降，其中一个例子是波音B-29，由300~1000个真空管组成。每个附加组件会降低系统可靠性并增加故障排除时间。

1947年出现了一个重大突破，它来自于贝尔实验室的John Baden，William Shockley和Watter Brattain，他们发明了锗晶体管。1950年，Shockley开发了第一个双极结晶体管（BJT）。与真空管相比，晶体管更可靠，功效高，尺寸更小。

1958年，德州仪器的杰克·基尔比（Jack Kilby）搭建了第一个集成电路，由两个双极晶体管组成，该晶体管连接在单片硅片上，从而启动了“硅时代”。

早期IC使用双极晶体管。由于有更多的静态功耗，BJT的这一缺点是个老大难问题。这意味着即使在电路没有打开的情况下也会产生电流。这限制了可以集成到单个硅芯片中的晶体管的数量。

1963年，飞兆半导体的Frank Wanlass和CTSah公布了第一个逻辑门，其中n沟道和p沟道晶体管用于互补对称电路配置。这就是今天所谓的CMOS。它的静态功耗几乎为零。

在接下来的几年中，CMOS制程的改进使得电路速度不断提高，芯片的封装密度和性价比进一步改进。

下面，我们会讨论Bulk-Si CMOS技术、SOI和FinFET，以及相关的解决方案。我们还讨论晶体管材料的物理尺寸限制，以及高级技术节点中使用的新材料。

MOSFET概述

在这里，我们首先讨论CMOS的核心单元，即MOSFET或简单MOS的基本结构和重要的术语。

MOS结构

根据通道类型，MOS主要分为两种结构：n沟道和p沟道MOS。在这里，我们将仅概述NMOS晶体管。

MOS晶体管是具有漏极、源极、栅极和衬底的4端子器件。图1显示了NMOS的3维结构。NMOS晶体管形成在p型硅衬底（也称为本体）上。在器件的顶部中心部分，形成一个低电阻率的电极，它通过一个绝缘体与本体分开。通常，使用n型或p型重掺杂的多晶硅作为栅极材料。这里，使用二氧化硅（SiO 2或简单的氧化物）作为绝缘体。通过将供体杂质植入基板的两侧，形成源极和漏极。在图1中，这些区域由n +表示，表示供体杂质的重掺杂。这种重掺杂导致这些区域的低电阻率。

如果两个n +区被偏置在不同的电位，则处于较低电位的n +区将作为源，而另一个将作为漏极。因此，漏极和源极端子可以根据施加到它们的电位进行互换。源极和漏极之间的区域称为具有宽度-W和长度-L的沟道，其在决定MOS晶体管的特性中起重要作用。

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图1. NMOS晶体管的结构

为何用多晶硅作为栅极材料？

在半导体工业的早期，金属铝通常被用作MOS的首选栅极材料。但是后来，多晶硅被选为栅极材料。这主要出于两方面的考虑。

早期的MOS制造过程始于源和漏区域的定义和掺杂。然后，使用限定形成铝金属栅极的栅极氧化物区域的栅极掩模。

这种制造工艺的主要缺点之一是：如果栅极掩模未对准，则其产生寄生重叠输入电容C gd和C gs，电容C gd因为反馈电容而更为有害。作为铣刀电容的结果，晶体管的切换速度降低。

选择多晶硅的另一个原因是MOS晶体管的阈值电压与栅极和沟道之间的功函数差异相关。此前，当工作电压在3~5V范围内时，使用金属栅极。但是，随着晶体管的缩小，这确保了器件的工作电压也降低了。具有这种高阈值电压的晶体管在这种条件下变得不可操作。使用金属作为栅极材料导致与多晶硅相比更高的阈值电压，因为多晶硅将具有与体Si沟道相同或相似的组成。此外，由于多晶硅是半导体，因此其功函数可以通过调整掺杂水平进行调制。

技术不断演进

市场对电池供电的便携式电子产品的需求日益增加，包括助听器、手机、笔记本电脑等，这种应用的功耗更低，开发更便宜。对于这种便携式设备，功率消耗是重要指标，因为电池提供的功率相当有限。不幸的是，电池技术不能期望每5年将电池存储容量提高30％以上。这不足以应对便携式设备中增加的功耗。

1965年，戈登·摩尔（Gordon E. Moore）预测，集成电路中的晶体管数量将会每两年翻一番（广为人知的摩尔定律）。通过使晶体管更小，可以在硅晶片上制造更多的电路，因此电路变得更便宜。通道长度的减小可以实现更快的开关操作，因为电流从漏极流到源极需要更少的时间。

对于长通道器件，通道四边的“边缘效应”真的可以忽略不计。对于长通道器件，电场线垂直于通道的表面。这些电场由栅极电压和背栅极电压控制。但是，对于短通道器件，漏极和源极结构更靠近通道，特别是当通道中的纵向电场进入时。纵向电场由漏源电压控制。纵向电场平行于电流流动方向。如果通道长度不大于源极和漏极耗尽宽度的总和，则该器件称为短沟道器件。

由于短通道中二维电势分布和高电场，会产生各种不良影响。

载波速度饱和度和移动性降级

通道中的电子漂移速度与较低电场值的电场成比例。这些漂移速度往往会在高电场饱和。这称为速度饱和度。对于短通道器件，纵向电场通常也增加。在这样的高电场下，发生影响MOSFET的I-V特性的速度饱和。对于相同的栅极电压，MOSFET的饱和模式在较低的漏 - 源电压值和饱和电流降低的情况下实现。

由于较高的垂直电场，通道的载流子离开氧化物界面。这导致载流子迁移率的降低和漏极电流的降低。