Global Foundry宣布放弃7nmFinFET的研发,转而重点研发他们相对成熟的28nm和22nm的FD-SOI工艺的开发。
在这里科普一下FinFET和FD-SOI的对比。
首先明确一点,FinFET和FD-SOI的存在,其实都是为了解决一个问题:晶体管尺寸做小之后,沟道的关断变得困难。
FinFET发明人胡正明教授曾经把晶体管的沟道比作一条水管,栅极电压就像一个石头,压住水管,截断水流。然而当晶体管尺寸不断变小,就像水管的长度不断变短,常规的方法很难将水管的水流完全阻断,因此我们需要新的晶体管设计,提高对沟道的控制能力。而者就是FinFET和FD-SOI存在的意义。
比较一下两种设计的优缺点:
先说FinFET:目前市面上常用的CPU全部采用FinFET的工艺制备,FinFET是半导体工艺里驱动电流参数最佳的选择,代表了“速度”。所有对速度有要求的芯片都会采用FinFET工艺。另外一个FinFET的优点是,它是“赢家”的选择,前三大的半导体制造商(Intel、三星、台积电)均采用FinFET工艺,带动了整个FinFET的生态蓬勃发展。FinFET所谓的“缺点”也很明显,就是工艺成本太高,性价比不是很好。对于高性能运算,FinFET无疑是最佳选择。
再说FD-SOI:也称为“绝缘体上硅”,它还是一个平面的半导体工艺,Back Gate带来的对沟道强控制,全耗尽减小了寄生电容效应,工作电压低,可靠性高。因此对IoT和模拟/射频芯片的支持有先天的优势。另一个明显优势是Mask数更少,成本相对更低。综上所述,FD-SOI技术在物联网、车载电子、通信等对可靠性和低功耗要求更高的领域,有很大的发展潜力。
#想学习更多前沿技术,欢迎下载IC智库APP#
#IC从业者自己的知识分享平台|公众号:ICzhiku#