1.硅衬底制备;
2.淀积SiO2和Si3N4作为硬掩膜版;
3.淀积多晶硅辅助层;
4.通过光刻和刻蚀形成硬掩膜版辅助层;
5.淀积SiO2;通过控制淀积时间来控制SiO2的厚度,从而控制Fin的宽度Wfin
6.刻蚀SiO2形成侧墙,Si3N4作为停止层;
7.去除多晶硅辅助层;
8.利用SiO2作为硬掩膜版,刻蚀形成有源区;
9.去除SiO2;
10.利用HDP CVD淀积SiO2,并通过CMP平坦化,Si3N4作为停止层;
11.SiO2回刻,有源区凸出SiO2表面,通过控制回刻的时间去控制Fin的高度;
12.去除Si3N4;
13.淀积SiO2和Si3N4作为硬掩膜版和阱离子注入的阻挡层;
14.通过光刻和刻蚀去除底部的Si3N4;
15.去掉SiO2;
16.通过两道光刻和两道大角度离子IMP形成NW和PW,Si3N4作为阻挡层;
17.去掉Si3N4;
18.利用HDP CVD淀积STI,并通过CMP平坦化;
19.STI回刻,有源区凸出STI表面,通过控制回刻的时间去控制Fin的高度;
20.光刻和沟道离子注入;
21.淀积SiO2缓冲层;
22.淀积多晶硅栅极,在ILD之后会去除SiO2缓冲层和多晶硅,然后淀积HfO2和金属栅;
23.通过光刻和刻蚀形成栅极;
24.淀积SiO2和Si3N4作为侧墙;
25.刻蚀形成栅极侧墙;
26.淀积SiO2作为外延生长阻挡层;
27.通过光刻和刻蚀使PMOS的源漏有源区暴露;
28.外延生长PMOS源漏有源区的SiGe外延层;
29.去除SiO2和Si3N4阻挡层;
30.淀积SiO2和Si3N4作为NMOS SiC外延生长阻挡层;
31.通过光刻和刻蚀使NMOS的源漏有源区暴露,去除NMOS源漏的SiO2和Si3N4;
32.外延生长NMOS源漏有源区的SiC外延层;