本实用新型涉及一种RC吸收电路,特别是涉及一种反激式开关电源中MOS管的RC吸收电路。
背景技术:
开关电源正常工作时,开关芯片内置MOS管处在高频反复导通和关断工作状态。有多种可以解决反激式开关电源的EMI问题的方式,其中开关芯片内置MOS管DS两端并联RC吸收电路是一种普遍做法。
MOS管导通瞬间,由于MOS管DS两端存在寄生等效电容Coss,Vds(母线电压+反射电压+漏感尖峰电压)不能突变,只有当DS两端等效电容通过MOS内部回路完成放电,DS两端完成关断到导通状态的过渡,如图1所示,此时DS两端的Vds电压为Ids*Rdson。
Coss的放电电流为:
通过公式①得知,相同放电电流条件下Coss越大,越小。
通过公式②得知,噪声电流Inoise与大小直接相关,相同寄生电容条件下,越小,Inoise越小,EMI同样也就越好。也就是说Coss越大,EMI效果越好。
MOS管关断瞬间,同样由于MOS管DS两端存在寄生等效电容Coss,DS两端电压不能突变,只有当DS两端等效电容通过变压器原边绕组电流完成充电,DS两端完成导通到关断状态的过渡,如图2所示,此时DS电压为Vds(母线电压+反射电压+漏感尖峰电压总和)。同上理论,也就是说Coss越大,EMI效果越好。
由于电流反馈型开关电源原理决定需要采样变压器原边电流,目前采样原边电流有两种方式:一、通过MOS管源极串联电阻采样,二、通过MOS管Rdson电阻采样。在MOS的漏极和源极