基于传统算法的半导体晶圆缺陷检测原理

引言

半导体晶圆制造是一个极其复杂且高度精密的过程，在晶圆制造过程中，由于各种因素的影响，如原材料质量、工艺控制、设备精度等，不可避免地会产生各种缺陷。这些缺陷如果不能及时检测和处理，将会严重影响芯片的性能和成品率，增加生产成本。因此，半导体晶圆缺陷检测技术在半导体制造行业中具有至关重要的地位。传统算法在半导体晶圆缺陷检测中曾经发挥了重要作用，并且在一些特定场景下仍然被广泛应用。了解基于传统算法的半导体晶圆缺陷检测原理和方法，对于深入理解半导体制造工艺和质量控制具有重要意义。

半导体晶圆缺陷类型及特点

• 颗粒缺陷：主要是指在晶圆表面存在的微小颗粒，这些颗粒可能来自于原材料、工艺过程中的杂质或者设备的磨损等。颗粒缺陷的大小、形状和分布都具有随机性，可能会导致电路短路、开路或者信号传输异常等问题。
• 划痕缺陷：通常是在晶圆的切割、研磨、抛光等机械加工过程中产生的。划痕的长度、宽度和深度各不相同，严重的划痕可能会穿透晶圆的绝缘层或者半导体层，影响芯片的电学性能。
• 图案缺陷：在光刻等工艺中，由于光刻精度、掩膜版质量等原因，可能会导致晶圆上的图案出现变形、缺失、短路等缺陷。图案缺陷直接关系到芯片的电路结构和功能，是影响芯片性能的关键因素之一。
• 薄膜缺陷：在薄膜沉积过程中，可能会出现薄膜厚度不均匀、薄膜破裂、针孔等缺陷。薄膜缺陷会影响芯片的绝缘性能、导电性能和机械性能等。

基于传统算法的半导体晶圆缺陷检测原理及方法

光学检测方法

• 明场检测
  • 原理：明场检测是基于光学反射和散射原理。当一束平行光照射到晶圆表面时，正常的晶圆表面会将光线均匀地反射出去，而存在缺陷的区域会因为表面形貌的变化，如颗粒、划痕等，导致光线发生散射或反射方向改变。通过收集和分析反射光的强度和分布情况，就可以检测出晶圆表面的缺陷。
  • 系统组成：明场检测系统主要包括光源、照明光学系统、成像光学系统、探测器和数据处理单元等。光源提供稳定的平行光，照明光学系统将光源发出的光均匀地照射到晶圆表面，成像光学系统将晶圆表面反射的光成像到探测器上，探测器将光信号转换为电信号或数字信号，数据处理单元对采集到的信号进行分析和处理，识别出缺陷。
  • 应用场景：明场检测适用于检测晶圆表面的宏观缺陷，如较大的颗粒、明显的划痕等。在晶圆制造的前期工艺，如清洗、研磨等工序后的检测中应用较为广泛。
• 暗场检测
  • 原理：暗场检测与明场检测相反，它主要收集和分析晶圆表面缺陷产生的散射光。在暗场检测中，光源以倾斜角度照射到晶圆表面，正常的晶圆表面反射光不会进入探测器，而缺陷区域产生的散射光则会被探测器接收。由于散射光的强度和方向与缺陷的性质和形状有关，通过对散射光的分析可以检测出微小的缺陷。
  • 系统组成：暗场检测系统与明场检测系统类似，但照明光学系统和成像光学系统的设计有所不同，以实现对散射光的有效收集和成像。
  • 应用场景：暗场检测对微小颗粒、表面粗糙度变化等缺陷非常