一、基础概述
1、PN结:一块一侧参杂P型半导体(4价的硅晶体中参入三价元素形成P型半导体),另一侧参杂N型半导体(4价的硅晶体中参入五价元素形成N型半导体),中间二者相连的接触面称为PN结。
N区,参杂5价元素,所以自由电子为多子,空穴为少子;
P区,参杂3价元素,所以空穴为多子,自由电子为少子;
PN结形成过程:N区的自由电子向P区扩散,P区的空穴向N区扩散,在中间复合形成内电场,内电场阻碍扩散运动,同时使少子产生漂移运动,在无外电场的作用下,参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目,从而达到动态平衡,形成PN结;
2、伏安特性曲线
分析上图:
a:PN结不加外部电压
内部处于平衡状态,多子扩散运动等于少子漂移运动,电流i=0
b:PN结外加正向电压
u < Uon时,正向电流i约等于0
u > Uon时,正向电流i随电压u呈指数增长
c:PN结外加反向电压
|u| < |Ubr|时,反向电流i = Is,Is很小,通常忽略不计
|u| > |Ubr|时,反向电流i j急剧增加,称之为反向击穿,此原理制成稳压管、TVS管等;
其中Uon为正常开启电压,Ubr为反向击穿电压
得出结论:PN结具有单向导电性。外加正向且大于Uon开启电压时,PN结导通;外加正向且小于Uon或外加反向且小于Ubr时,PN结截止;外加反向电压且大于Ubr时,PN结反向击穿。
3、二极管构成
如下图,将PN结用外壳封装起来,并加上电极引线构成半导体二极管,简称二极管。由P区引出的电极为阳极,由N区引出的电极为负极。
4、二极管伏安特性曲线
与PN结的伏安特性曲线几乎相同,唯一不同的是温度不同的情况下,会影响Uon
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