专题：手把手学习硬件基础------4、二极管

一、基础概述

1、PN结：一块一侧参杂P型半导体（4价的硅晶体中参入三价元素形成P型半导体），另一侧参杂N型半导体（4价的硅晶体中参入五价元素形成N型半导体），中间二者相连的接触面称为PN结。

N区，参杂5价元素，所以自由电子为多子，空穴为少子；

P区，参杂3价元素，所以空穴为多子，自由电子为少子；

PN结形成过程：N区的自由电子向P区扩散，P区的空穴向N区扩散，在中间复合形成内电场，内电场阻碍扩散运动，同时使少子产生漂移运动，在无外电场的作用下，参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目，从而达到动态平衡，形成PN结；

2、伏安特性曲线

分析上图：

a：PN结不加外部电压

内部处于平衡状态，多子扩散运动等于少子漂移运动，电流i=0

b：PN结外加正向电压

u < Uon时，正向电流i约等于0

u > Uon时，正向电流i随电压u呈指数增长

c：PN结外加反向电压

|u| < |Ubr|时，反向电流i = Is,Is很小，通常忽略不计

|u| > |Ubr|时，反向电流i j急剧增加，称之为反向击穿，此原理制成稳压管、TVS管等；

其中Uon为正常开启电压，Ubr为反向击穿电压

得出结论：PN结具有单向导电性。外加正向且大于Uon开启电压时，PN结导通；外加正向且小于Uon或外加反向且小于Ubr时，PN结截止；外加反向电压且大于Ubr时，PN结反向击穿。

3、二极管构成

如下图，将PN结用外壳封装起来，并加上电极引线构成半导体二极管，简称二极管。由P区引出的电极为阳极，由N区引出的电极为负极。

4、二极管伏安特性曲线

 与PN结的伏安特性曲线几乎相同，唯一不同的是温度不同的情况下，会影响Uon

二、通用二极管

1、通用开关二极管

特点：电流小、工作频率高

选型依据：正向电流、正向压降、功耗，反向最大电压，反向恢复时间，封装等

上图是一个上电自动复位电路，低电平复位，BAS316为通用开关二极管

 上电过程，电容C1刚开始是导通状态，充电，此时NRST是低电平，单片机复位，当C1充满后相当于断路，VDD通过R1流入NRST，NRST为高电平，单片机正常工作。

D1为电源断电的时候为C1提供迅速放电回路，路径为C1->D1->VDD->GND，将自身的储存的电能放掉，保证再次上电时候可以复位单片机

正向电流最大250mA、正向压降0.7V、功耗250mW，反向最大电压100V，反向恢复时间4ns，封装等

电路中的电流约为3.3/10K = 0.33mA，BAS316最大可通过250mA满足，反向电压100V，满足，频率为4ns，为250MHz，图中的按键大概为20ms左右50Hz，满足

 2、通用整流二极管

特点：电流大、工作频率低

选型依据：正向电流、正向压降、功耗，反向最大电压，反向恢复时间，封装等

注意，这里输入的是市电，正弦波形，电流是慢慢上升，所以无需使用电感 

图中的1N4007

 

反向电压700V，正向压降1.1V，正向电流最大可达30A

将交流电，经桥路整流，再滤波成直流电

三、肖特基二极管

肖特基二极管不是利用PN结原理制作而成的，而是贵金属A为正极，以N型半导体为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件；

优点：开关频率高，正向压降低（低至0.2V，电流越大，压降越大）

缺点：反向击穿电压低，反向漏电流偏大（温度越高，漏电流越大）

应用场合：适合于在低压、高频、大电流，比如BUCK降压的续流二极管，BOOST升压的隔离二极管等。

选型依据：正向电流、正向压降、功耗，反向最大电压，反向恢复时间，封装等

应用于电源防反接，当电源反接的时候，二极管将回路阻断，使得构不成回路

USB电源和5-28V直流电源相互隔离，此处应注意，5V-28V电源通电的时候，电流同样会通过D5通路回流，有漏电流通过，上面也说过，肖特基二极管漏电流比较大，但不影响电脑的U口即可使用。

肖特基二极管用于BUCK降压电路中的续流二极管，使得电感可以有续流路径，减小感应电压的值

 

电机其实里面也是线圈，与电感是相同的作用

 

最大反向电压：40V

最大有效电压：28V

最大正向电流：3A

最大峰值电流：80A

在3A的时候，正向压降0.55V，如果不到3A，更小

反向漏电流：25°时0.5mA，100°时20mA

四、发光二极管

当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以制成发光二极管。

 

应用场景

注意事项：发光二极管的正向压降。红色的1.6V-1.8V，绿色的2V-2.4V，蓝色/白色的3V-3.3V

产品应用：

 红色的LED压降为1.6-1.8，那么(5V-1.6)/10K = 3.4mA;

五、稳压管 

稳压二极管又叫齐纳二极管，是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管，简称稳压管，此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件；

稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内，端电压几乎不变，表现出稳压特性。

稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。

 

如上图：Vz可根据电路选择，稳压在多少V；击穿后，稳压在4.8-5.4

反向电流Izt，实际使用时，不可以超过反向电流值，需要串联电阻使用

产品应用

 

稳压管两端接在NMOS管的GS点上，当Vin输入过大时，S点的电压过大，就会将稳压管D5导通，D5将GS稳定在5.1V，防止损坏NMOS管。大概稳压管的反向电流为5/100k = 0.005mA，满足要求（I反向电流为5mA）

六、TVS管

全程瞬变电压抑制二极管，是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品，其电路符号和普通的稳压二极管相同。当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压钳位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。

 

单向TVS管特性曲线

 

双向TVS管伏安特性曲线

双向TVS管正反特性相同，使用时不需要注意方向，并联在电路中可以抑制浪涌。但单向TVS管正反特性不同，正向导通压降很低，没法做浪涌保护，我们需要使用反向击穿部分的特性，并联在电路中时，正极接单向TVS管的负极。

 

Vrwm：反向关闭电压，小于Ubr，TVS管不起作用，此电压必须大于Vin

Vbr：反向击穿电压，根据电路选取，击穿后的TVS管电压

IR(uA) ：峰值脉冲电流，不能超过此值

应用：

 

双向TVS管应用于电源输入，抑制浪涌。

此处如果使用单向TVS管，必须放置在防反接肖特基D12后面，否则的话，电源反接，单向TVS管刚好正接，正向导通电流很大，将烧毁单向TVS管。

 

上图是GPRS模块的单向TVS管，因为GPRS模块的电源是在板内，不存在接反，所以使用单向TVS管，消除尖峰干扰电压，避免损坏GPRS