7价 半导体掺杂_掺杂工艺（一）

概述半导体材料的独特性质之一是它们的导电性和导电类型(N型或P型)能被产生和控制。在本章中，描述在晶圆内和表面上特别的小块导电区和PN结的形成。介绍扩散和离子注入两种掺杂技术的原理和工艺。

简介

使晶体管和二极管工作的结构就是PN结。结(junction)就是富含电子的区域(N型区)与富含空穴的区域(P型区)的分界处。结的具体位置就是电子浓度与空穴浓度相同的地方。这个概念在以后“由扩散形成掺杂区和扩散结”中解释。

通常在半导体晶圆表面形成结的方法是热扩散(diffusion)或离子注入(ion implantation)。用热扩散，掺杂材料被引入晶圆顶层暴露的表面，典型的是通过在顶层二氧化硅的孔洞。通过加热，它们被散布到晶圆的体内。散布的量和深度由一套规则控制，说明如下。这些规则源自一套化学规则，无论何时，晶圆被加热到一个阈值温度，这套规则将控制掺杂剂在晶圆中的任何运动。在离子注入中，顾名思义掺杂剂材料被射入晶圆的表面，进来的大部分掺杂剂原子静止于表面层以下。此外，扩散规则也控制注入的原子运动(参见下图)。因此，本节以讨论半导体的结开始，进行到扩散技术和规则，以描述离子注入工艺结尾。

用扩散法形成掺杂区

扩散掺杂工艺的开发是半导体生产的一个重要进步。扩散，是一种材料通过另一种材料的运动，是一种自然的化学过程，在日常生活中有很多例子。扩散的发生需要两个必要的条件。第一，一种材料的浓度必须高于另外一种材料的浓度。第二，系统内部必须有足够的能量使高浓度的材料进入或通过另一种材料。气相扩散的一个例子就是常见的充压喷雾罐(参见下图)，比如房间除臭剂。按下喷嘴时，带有压力的物质离开罐子进入到附近的空气中。此后，扩散过程使得气体移动分布到整个房间。这种移动在喷嘴被按开时开始，并且在喷嘴关闭后还会继续。只要前