7价 半导体掺杂_半导体工艺流程介绍 part7

光刻胶的去除经腐蚀完成图形复制以后，再用剥离液去除光刻胶，完成整个光刻工序。可以用无机溶液如硫酸或干式臭氧烧除法将光阻去除。5) 此处用干法氧化法将氮化硅去除6) 离子布植将硼离子 (B+3) 透过SiO2膜注入衬底，形成P型阱1 离子注入法是利用电场加速杂质离子，将其注入硅衬底中的方法。离子注入法的特点是可以精密地控制扩散法难以得到的低浓度杂质分布。MOS电路制造中，器件隔离工序中防止寄生沟道用的沟道截断，调整阀值电压用的沟道掺杂，CMOS的阱形成及源漏区的形成，要采用离子注入法来掺杂。离子注入法通常是将欲掺入半导体中的杂质在离子源中离子化，然后将通过质量分析磁极后选定了离子进行加速，注入基片中。此时，杂质的注入量可通过测量流过基片的电流大小来正确控制。离子由基片的表面到停止，形成了近似的高斯分布。设Rp为投影射程，ΔRp为其的标准偏差，Q为注入量，注入的离子分布C(x)其中Rp，ΔRp的大小与杂质的种类，加速电压的大小有关以及基片的材料。此外，有纵向的标准偏差ΔRp，同样也有横向偏差ΔRe。离子注入时，通常采用光刻胶和SiO2作掩模，掩模厚度以不使杂质穿透为原则。离子束的注入角度通常偏离基片法线7 oC左右，以防止发生沟道效应 (即离子不与原子碰撞而直接进入基片深层)。离子注入后，要在800-1000 oC的高温下进行热处理(即退火处理)，以使离子注入时产生的结晶损伤得到恢复，同时为了防止硅表面的污染。通常要在注入区表面形成薄薄的SiO2层，杂质离子透过这层SiO2进行注入。硅和锗半导体材料经高度提纯后，其原子排列已变成非常整齐的晶体状态，称为单晶体也称本征半导体。在本征半导体硅或锗中掺入少量五价杂质元素如磷(P) 、锑 (Sb) 、砷 (As) 等，因为杂质的浓度很小 (10 8个硅或锗原子中掺入一个磷原子)，所以杂质被 晶格中的主原子所包围。掺入的五价杂质，它的四个价电子与其相邻的四个主原子的价电子形成共价键，第五个价电子不能形成共价键而变成自由电子。因为它有盈余的自由电子，所以五价杂质称为施主杂质，掺杂为N型半导体。而掺杂三价杂质，则会因缺少一个价电子而形成一个空位，掺杂为P型半导体。