怎么从转移特性曲线上看dibl_中科院微电子所先导中心朱慧珑研究员课题组世界上首个具有自对准栅极的叠层垂直纳米环栅晶体管的实现...

从Intel首发22nm FinFET工艺之后，全球主要的半导体厂商在22/16/14nm节点开始启用FinFET鳍式晶体管，目前全球最先进的半导体工艺已经进入7nm，下一步还要进入5nm、3nm节点，制造难度越来越大，其中晶体管结构的限制至关重要，未来的工艺需要新型晶体管。三星在去年率先宣布3nm节点改用GAA环绕栅极晶体管。基于全新的GAA晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管)，该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。

基于上述信息也可以看出GAA环绕栅极晶体管的重要意义。这里，朱慧珑课题组系统地研发了一种原子层选择性刻蚀锗硅的方法，结合多层外延生长技术将此方法用于锗硅/硅超晶格叠层的选择性刻蚀，从而精确地控制纳米晶体管沟道尺寸和有效栅长，首次实现了垂直纳米环栅晶体管的自对准高k金属栅后栅工艺。其集成工艺与主流先进CMOS制程兼容。所获得的栅长约60 nm，纳米片厚度20 nm的p型VSAFET。原型器件的SS、DIBL和电流开关比(Ion/Ioff)分别为86 mV/dec、40 mV和1.8x105。

Figure 1. VSAFETs的工艺流程。(a)Si/SiGe/Si之后的SEM图，(b)RIE之后的3D结构SEM图，(c)qALE之后的SEM图，(d)HKMG沉积后的TEM图。

Figure 2. VSAFETs的原理示意图。(a)单个装置的结构设计，(b)两个装置串联连接的的测试结构。

Figure 3. 配有包覆HKMG的VSAFETs的STEM顶视图。(a)方形横截面纳米线，(b)圆形横截面纳米线，(c)纳米片。

Figure 4.栅极金属在活性离子刻蚀后(RIE)，(a)VSAFETs的SEM图：纳米片装置的HKMG和(b)与栅极的局部连接。

Figure 5.(a)pVSAFETs器件的结构和I-V特性，(a)转移特性曲线和(b)输出特性曲线。

    该研究工作由中科院微电子所先导中心朱慧珑研究员课题组于2019年发表在国际微电子器件领域的顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》上。原文：Vertical Sandwich Gate-All-Around Field-Effect Transistors with Self-Aligned High-k Metal Gates and Small Effective-Gate-Length Variatio(DOI: 10.1109/LED.2019.2954537)