从Intel首发22nm FinFET工艺之后,全球主要的半导体厂商在22/16/14nm节点开始启用FinFET鳍式晶体管,目前全球最先进的半导体工艺已经进入7nm,下一步还要进入5nm、3nm节点,制造难度越来越大,其中晶体管结构的限制至关重要,未来的工艺需要新型晶体管。三星在去年率先宣布3nm节点改用GAA环绕栅极晶体管。基于全新的GAA晶体管结构,三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。
基于上述信息也可以看出GAA环绕栅极晶体管的重要意义。这里,朱慧珑课题组系统地研发了一种原子层选择性刻蚀锗硅的方法,结合多层外延生长技术将此方法用于锗硅/硅超晶格叠层的选择性刻蚀,从而精确地控制纳米晶体管沟道尺寸和有效栅长,首次实现了垂直纳米环栅晶体管的自对准高k金属栅后栅工艺。其集成工艺与主流先进CMOS制程兼容。所获得的栅长约60 nm,纳米片厚度20 nm的p型VSAFET。原型器件的SS、DIBL和电流开关比(Ion/Ioff)分别为86 mV/dec、40 mV和1.8x105。
Figure 1. VSAFETs的工艺流程。(a)Si/SiGe/Si之后的SEM图,(b)RIE之后的3D结构SEM图,(c)qALE之后的SEM图,(d)HKM