怎么从转移特性曲线上看dibl_国民技术面试20200910

囯民技术电话面试20200910

1、两级运放中零极点的位置？主极点在哪，次极点在哪？加入密勒补偿以后，怎么变化的？如果电流增大，会有什么变化？

第一极点在第二级运放的输入和输出之间，次极点在第二级输出，加入密勒电容以后，主极点的电容增加了(1+A)Cc，因此主极点往原点位置靠近，次极点等效电容式(1+1/A)Cc,但是高频的时候，把密勒电容看成短路，这时候的输出阻抗就会减小，从RL减小为1/gm，所以次极点会往原离原点位置。当电流增大的时候，此时gm增大，这时候的输出阻抗会变得更小，次极点会更加远离原点位置，系统变得更加稳定。

2、大信号输入和小信号输入的输出波形是什么样的？

大信号输入，如果超出了压摆率的限制，那么输出波形是一条斜线，如果没有超出压摆率限制的话，则是表现指数形式。小信号输出的话，是指数形式

3、噪声应该怎么减小？会有什么影响？

首先，共源共栅上面的噪声可以忽略，因为共源噪声可以忽略，而共栅不产生噪声，第二级的产生的噪声除以增益就是等效输入噪声，而第一级主要是提供增益，所以第二级是噪声可以忽略的，主要噪声来源是输入管的噪声，通过提高输入管的尺寸，增大面积可以减小噪声，但是会有增加寄生电容，失调电压也是可以通过增大面积来减小，减小工艺失配.

(E-MOSFET指增强型，一般使用都是增强型器件。耗尽型器件阈值电压为负的，电压等于0即可导通，一般不使用。以下器件均为只针对增强型)

4、温度上升迁移率，阈值电压怎么变化？

迁移率和阈值电压都会下降，温度上升，载流子的散射运动加强，载流子的碰撞概率增大。因此根据公式\(μ=v/E\)，速度下降，迁移率下降。

阈值电压，阈值电压就是使半导体表面产生反型层(导电沟道)所需要加的栅极电压。当温度T升高时，半导体Fermi能级将趋向于禁带中央变化，则半导体Fermi势ψB减小，从而导致更加容易达到ψs≥2ψB的反型层产生条件，所以阈值电压降低。

此外，N型半导体费米能级靠近导带，增大掺杂浓度可能导致费米能级进入导带，P型半导体费米能级靠近价带，增大掺杂浓度可能导致费米能级进入价带。所以增大掺杂浓度，费米能级和禁带中央之间的电势φB增大，所以φs>2φB，才能形成反型层的电势增加，即所需的栅极电压增大，阈值电压增大。

5、为什么短沟道MOSFET的饱和源-漏电流并不完全饱和？

对于短沟道MOSFET，引起输出源-漏电流饱和的原因基本上有两种：一种是沟道夹断所导致的电流饱和；另一种是速度饱和所导致的电流饱和。

对于沟道夹断的饱和，因为夹断区的长度会随着其上电压的增大而有所增大，则使得剩余沟道的长度也将随着源-漏电压而减短，从而就会引起源-漏电流相应地随着源-漏电压而有所增大——输出电流不完全饱和。不过，这种电流不饱和的程度与沟道长度有关：对于长沟道MOSFET，这种夹断区长度随源-漏电压的变化量，相对于整个沟道长度而言，可以忽略，所以这时沟道夹断之后的源-漏电流近似为“饱和”的；但是对于短沟道MOSFET，这种夹断区长度随源-漏电压的变化量，相对于整个沟道长度而言，不能忽略，所以沟道夹断之后的源-漏电流将会明显地随着源-漏电压的增大而增加——不饱和。

对于速度饱和所引起的电流饱和情况，一般说来，当电场很强、载流子速度饱和之后，再进一步增大源-漏电压，也不会使电流增大。因此，这时的饱和电流原则上是与源-漏电压无关的。

对于短沟道MOSFET，还有一个导致电流不饱和的重要原因，即所谓DIBL(漏极感应源端势垒降低)效应。因为源区与沟道之间总是存在一个高低结所造成的势垒，当源-漏电压越高，就将使得该势垒越低，则通过沟道的源-漏电流越大，因此输出电流不会饱和。(DIBL：漏端电压的上升有助于将电子吸引到栅极氧化层下方，所以栅极所需的电压减小，阈值电压减小，此外，