极限参数也叫绝对最大额定参数,MOS管在使用过程当中,任何情况下都不能超过下图的这些极限参数,否则MOS管有可能损坏。
VDS表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。VGS表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。ID表示漏极可承受的持续电流值,如果流过的电流超过该值,会引起击穿的风险。IDM表示的是漏源之间可承受的单次脉冲电流强度,如果超过该值,会引起击穿的风险。
EAS表示单脉冲雪崩击穿能量,如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压,则器件不会发生雪崩击穿,因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。
PD表示最大耗散功率,是指MOS性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率,使用时要注意MOS的实际功耗应小于此参数并留有一定余量,此参数一般会随结温的上升而有所减额。(此参数靠不住)