怎么从转移特性曲线上看dibl_《半导体器件物理》第3章_2亚阈值斜率（36页）-原创力文档...

3.4 亚阈值斜率 亚阈值斜率S也称亚阈值摆幅，其定义为亚阈值区漏端电流增加一个数量级所需要增大的栅电压，反映了电流从关态到开态的转换陡直度，具体对应于采用半对数坐标的器件转移特性曲线(ID -Vgs关系)中亚阈值区线段斜率的倒数。 上图为了长沟道器件中亚阈值斜率与硅膜厚度的关系。可见，当硅膜较厚时，器件处于部分耗尽模式，亚阈值斜率与体硅类似，而且随着沟道掺杂浓度的增大而增大。当硅膜较薄时，器件处于全耗尽模式，由于沟道区与衬底之间的隐埋氧化层隔离，亚阈值斜率接近理想情况(60mV/dec)，而且沟道掺杂浓度的增大，亚阈值斜率减小，由于全耗尽器件的耗尽层宽度取决于硅膜厚度，亚阈值斜率对硅膜厚度不太敏感。 上图给出了亚阈值斜率与沟道长度的关系。随着沟道长度减小，亚阈值斜率增大，但增大掺杂浓度、降低硅膜厚度可以改善这一情况，两者均是控制SOI MOS器件中短沟道效应的途径，后者类似体硅器件中结深的减小。 亚阈值斜率解析模型 长沟道SOI MOS器件的亚阈值斜率 MOS器件中的亚阈值电流Isub是少子扩散电流 A(=Wyeff)是沟道横截面积，W是器件沟道宽度，yeff是有效沟道厚度，Dn为电子扩散系数，n(0)和n(L)是源端和漏端电子浓度，有n(0)＝np0exp(?φs) ，和n (L)= ＝np0exp ?(φs-Vds) ，φs是表面势， ?=q/kT, np0=ni2/NA。沟道厚度yeff定义从Si-Si02界面到电势降低了kT/q值所对应位置的距离。 其中 一般情况下 部分耗尽SOI器件的情况与体硅器件类似，可以得到类似的等效电路，其中CD为耗尽区电容。根据这一等效电路，可以得到 由 这对于低压、低功耗应用是十分有利的。 3.5 短沟道效应 随着M