DDR4内存相比DDR3有显著改进，包括外观变化、频率提升、容量增加和功耗降低。DDR4内存条金手指变为弯曲设计，频率最高可达4266MHz，单根内存支持128GB，电压降至1.2V。点对点传输带来性能提升，同时3DS堆叠封装技术使容量翻倍。DDR4内存的Bank Group架构和点对点总线设计提高了数据吞吐量和频率，而新功耗控制技术则降低了功耗。
一、DDR4与DDR3之间对比
DDR4已经跃跃欲试，那么相比DDR3，都有了哪些比较重要的改进呢？我们一起来看一下：
1.DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状，易于拔插并减少PCB压力。
2.DDR4内存内部使用点对点传输，频率提升明显，最高可达4266MHz。
3.DDR4内存容量提升明显，单根内存最高可支持到128GB。
4.DDR4功耗明显降低，电压降到1.2V、甚至更低。
每次内存升级换代时，必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计，DDR4内存频率原生支持2133MHz，这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核，另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高，并且不会同时支持DDR3和DDR4内存，所以增加了DDR4普及的门槛。
DDR4与DDR3内存差异二：外型
卡槽差异
DDR4 模组上的卡槽与 DDR3 模组卡槽的位置不同。两者的卡槽都位于插入侧，但 DDR4 卡槽的位置稍有差异，以便防止将模组安装到不兼容的主板或平台中。
增加厚度
为了容纳更多信号层，DDR4 模组比 DDR3 稍厚。
DDR4金手指变化较大
大家注意上图，宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了，并没有沿着直线设计，这究竟是为什么呢？一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问
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