氮化镓充电器

氮化镓充电器

一.何为氮化镓

在科普氮化镓之前，我们先要去了解一下关于电流的普通知识。

       众所周知，随着手机屏幕的增大和处理器性能的增加，对手机本身的电量储备和充电时间也提出了高要求。如何“又快又好”成为了手机续航的重要问题。

有需求就要有研发，在过去的几年内，高通、华为、OPPO等厂家分别推出了自己的充电协议，并且不断迭代。就连一贯“五福一安”的苹果，也在iPhone 8上支持了PD快充协议，充电速度的问题，暂时得到了解决。

二.充电设备的体积

顾名思义，如果充电功率等同的情况下，体积越大的充电器，散热必然就越好。如果一个充电器不做好安全协议就贸然缩小体积，就会有火灾等隐患。

而更深层的原因，则是充电器的结构。手机充电器功率还没有那么高的时候，由于结构简单，采用的普遍是反激拓扑结构。而这其中，最重要的，就是FET的开关频率。

FET（场效应晶体管），就是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。我们常常听说的FinFET工艺就是FET中的一种，它将传统晶体管的平面状态变成了鱼鳍状（Fin），大大提高载流子的迁移效率。

      对于普通的充电器而言，用上百kHz的开关频率切换FET的开关状态就已经足够。而且开关频率越高，体积就会越小。但问题在于，盲目提高开关频率，很容易导致电源变热，发生危险。而人们为了解决这个问题，采取了很多办法：增加漏感能量的电容、实现零电压开启FET（ZVS技术）。而氮化镓，就是在这个时候出场。传统的FET都是基于硅制造的，但相比硅材料，氮化镓（GaN）是一种极稳定的化合物，它的坚硬性好，熔点高，电离度高。而如果我们能用氮化镓材质的FET去取代硅材料，那么氮化镓电离性好、熔点高的优势，可以让开关频率变得更高，将体积缩小一半左右。

总结来看，氮化镓相比传统的硅材料，有三个显而易见的优势：

1. 禁带宽度大、导热率高，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；
2. 较大禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利于提升器件整体的能效；
3. 电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。