Calibre PEX Hspice Netlist提取步骤（数模芯片提取spice netlist流程）

最新推荐文章于 2024-10-31 14:15:33 发布
最新推荐文章于 2024-10-31 14:15:33 发布
阅读量3.3k 收藏 19
点赞数 12
文章标签： 数字IC后端 芯片设计 IC培训 Calibre LVS Hspice netlist 物理验证
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_37584728/article/details/135360837
版权
本文详细介绍了如何使用Calibre工具在数模混合芯片中提取Hspicenetlist进行功耗仿真，包括设置规则文件、输入输出选项、确保LVS通过以及选择合适的提取类型和格式。

摘要生成于 C知道 ，由 DeepSeek-R1 满血版支持， 前往体验 >

在数模混合芯片中，通常模拟需要数字模块通过calibre工具来提取Hspice netlist用于功耗仿真。注意这里的spice netlist和做Calibre的spice netlist是不太一样的。

另外在做calibre pex时需要确保当前的design LVS已经pass。否则功耗仿真可能会不准。

Calibre LVS常见错误案例解析

1、在版图视图窗口中执行菜单命令“Calibre”->“Run PEX”，弹出PEX对话框。

在这里插入图片描述

  1. 单击“rules”按钮，在“PEX Rules File”区域中单击“。。。”按钮，选择提取规则文件；在“PEX Run Directory”区域中单击“。。。”按钮，选择运行目录。
    在这里插入图片描述

3.单击“Input”按钮，在“Layout”选项卡中选中“Export from layout viewer”选项（高亮）。

在这里插入图片描述

  1. 单击“Inputs”按钮，选择“Netlist”选项卡，如果电路网表文件已经存在，则直接调取，并取消“Export from schematic viewer”的选中状态；如果电路网表需要从同名的电路单元中导出，那么在“Netlist”选项卡中选中“Export from schematic viewer”选项。

在这里插入图片描述

  1. 单击“Outputs”按钮，将“Extraction Type”选项修改为“Transistor Level-R+C-N0 Inductance”

表明是晶体管级提取，提取版图中的寄生电阻和电容，忽略电感信息；
将“Netlist”选项卡中的“Format”修改为“HSPICE”（也可以反提为CALIBREVIEW、ELDO、SPECTRE等其它格式，并采取相应的仿真器进行后仿真），表明提出的网表须采用Hspice软件进行仿真；

其它选项卡（Nets、Reports、SVDB）默认即可。

  1. 单击“Run Control”按钮，选择默认

在这里插入图片描述

  1. 单击“Run PEX”按钮，Calibre开始导出版图文件并对器进行参数提取。

Calibre PEX跑完后，会自动弹出输出结果并弹出参数提取后的hspice netlist，如下图所示。

在这里插入图片描述

【模拟IC】Cadence Vrituoso的PEX寄生参数提取，及通过创建spectre model进行后仿真的教程
qq_41680242的博客
11-08 3202
教程包括了模拟IC设计中PEX寄生参数提取流程，和通过创建spectre model的方式，在Virtuoso中进行后仿真的教程。
Calibre与netlist后仿网表的仿真。
Carol0630的博客
11-18 3719
2.2.3 检查DUT的CDF里的pin顺序和DUT.pex.netlist里的pin顺序是否匹配，如果不匹配，则更改DUT.pex.netlist里的pin顺序；1.2 AMS simulator: 在tb的config view里指定DUT的View to Use = calibre view即可。Simulator=ams, componentName=DUT, termOrder=spectre的termOrder,2.2.1 复制DUT的symbol view为spectre view；
calibre提取用于后仿网表的步骤
qq_36686804的博客
03-24 5290
跑通DRC和LVS验证后，就可以进行寄生参数提取了，然后用该参数后仿。 这里使用的是calibre中的DRC、LVS和PEX。 提取寄生参数： 1、打开calibre中的PEX，设置好文件和路径后点击Run PEX，得到下图： 该图要选择好Cellmap File文件。 ...
【HSPICE】输入网表文件 --- 电路结构和输入激励的描述
Tranquil_ovo的博客
08-29 8499
电路拓扑结构的描述方法
NetlistViewer:SPICE网表可视化工具-开源
04-28
NetlistViewer是一种工具，能够以文本格式加载网表（当前仅是SPICE网表）并以示意图（即图形）形式进行转换。
calibre后仿真参数提前简单介绍
08-27
calibre后仿真参数提前简单介绍 用的是calibre的PEX功能，希望大家看看
ADS 导入仿真模型-Netlist（Spice、PSpice、HSpice等）
ying523458的博客
11-10 1万+
3、点击OK，跳回到第一步的界面，在Destnation中的Library Name选择要Library的名称，如果需要新建一个library，保持默认值New Library即可，点击OK下一步。6、在Workspace界面下，将看到生了一个Cell文件夹，并且是以器件名称命名，打开改文件，将看到原理图文件和symbol文件，打开Symbol文件。”，进入如下界面，该界面下选择导入file 的文件类型，本例为Pspice，其他的设置默认即可。9、如下图，选择器件类型，本例NPN三极管，点击Ok。
cadence virtuoso PEX 寄生参数提取及后仿真
努力学习的IC小白
11-20 1万+
加载xrc文件，在这个工艺库中这个规则文件是在LVS文件夹中加载H-Cells文件和X-Cells文件调出PEX options窗口在Ground node name输入原理图中的地线名称点击run PEXCellmap file选择calview.cellmap文件，位置下一张图标出来了。这个工艺库下貌似要选择smic13mmf_1233_1P6M.calview.cellmap文件而不是calview.cellmap文件。
virtuoso使用hspice仿真器进行前后仿真、PEX
qq_46669706的博客
08-04 1万+
采用virtuoso的HspiceD这个仿真器，实现virtuoso+Hspice的模拟设计全流程打通。
Calibre XRC寄生参量的提取及后仿真
10-20
### Calibre XRC寄生参数提取及其在Virtuoso ADE中的后仿真 #### 概述 在集成电路设计领域，随着工艺节点不断缩小，寄生效应（如寄生电阻、电容和电感）对电路性能的影响越来越显著。为了确保设计的准确性和可靠性...
calibre中把verilog网表转换成spice网表
10-20
将Candence中RC的顶层的.V文件转换为SPI文件,可执行LVS等比对操作
calibre 仿真超细教程，candence没有那么难
12-15
超细的CADENCE后仿真，calibre教程，手把手教会你如何后仿真
用Calibre做SVS的步骤.pdf
05-11
### 使用Calibre进行SVS验证的详细步骤 #### 一、引言 在集成电路设计流程中，确保设计的正确性是非常关键的一步。其中，**Calibre**是一款广泛应用于半导体行业的电子设计自动化（EDA）工具，它能够提供一系列的...
Calibre user manual.pdf
02-07
calibre user manual, 介绍如何用calibre,LVS,DRC,PEX。先copy .cdsinit在terminal下鍵入Source .cdsinit ，即完成calibre的環境設定了。之後再進入icfb 下的 layout view，找尋calibre的連結即可使用。
Calibre XRC寄生参量提取及后仿真：电路设计工程师的得力助手
gitblog_06693的博客
10-31 592
Calibre XRC寄生参量提取及后仿真：电路设计工程师的得力助手 【下载地址】CalibreXRC寄生参量的提取及后仿真分享 Calibre XRC寄生参量的提取及后仿真本资源文件详细介绍了如何使用Calibre XRC工具进行寄生参量的提取，并在Virtuoso的ADE环境中进行后仿真 ...
calibre进行pex提取寄生参数，生成的引脚pin丢失不全
zui_ying的博客
02-09 8676
小弟最近在学后仿流程，在进行pex后报出以下warning： WARNING: Not creating terminal VOUT in (inverter calibre) since matching terminal was not found on symbol. WARNING: Not creating terminal VIN in (inverter calibre) since matching terminal was not found on symbol. WARNING: Sch
calibre版图验证及寄生参数的提取后仿真
热门推荐
YYP_8020的博客
01-14 2万+
这一篇主要是说一下版图的Run DRC 和Run LVS验证。 接反向器的版图设计后，开始Run DRC和LVS。 打开之前画好的layout，在菜单栏中点calibre—Run DRC 选择DRC Rules File文件 下一步点Run DRC，别的基本不用去改变，选择默认就行。 在跳出上图的对话框中修改自己的错误即可，DRC就通过了。 接下来Run LVS,一样在菜单栏中点calibre...
版图提取寄生参数以及后仿真
abigmountain的博客
07-08 3282
都只有一个空格， 点一下apply和ok。
Netlist simulation introduce
qaunmhh的博客
04-11 3497
后仿指Netlist simulation（网表仿真），也叫gate level simulation
完成555定时器芯片的电路和版图设计工作，包括设计阶段的前仿和后仿验证工作。 对于555定时器芯片的设计和验证要求如下： （1）功能要求 作为多谐振荡器，产生稳定的脉冲输出 可通过外部电阻和电容调整输出脉冲的频率和占空比 具有触发输入和阈值输入，能够响应外部信号进行状态转换 输出信号的高电平应接近电源电压，低电平接近地电平 （2）性能指标 电源电压：设计的芯片应能够在3V - 15V的电源电压范围内正常工作 频率范围：能够产生的脉冲频率范围为1Hz - 1MHz 占空比范围：可调整的占空比范围为1% - 99% 温度稳定性：在-40°C至85°C的温度范围内，输出频率的变化应小于10% 上升时间和下降时间：输出信号的上升时间和下降时间应小于100ns 在正常工作状态下，芯片的功耗应小于10mW，越小越好 输出信号的噪声应小于电源电压的1% （3）建议使用0.18μm工艺进行设计
最新发布
04-01
<think>好的，我现在需要帮助用户了解如何基于0.18μm工艺完成555定时器芯片的功能设计与验证，包括前仿真和后仿真的具体实现方法。用户提到的具体指标包括频率范围1Hz到1MHz，占空比调节1%到99%，电源电压3V-15V，温度稳定性-40°C到85°C，上升/下降时间小于100ns，低噪声输出，功耗低于10mW。首先，我需要分解这些需求，并逐一考虑设计中的关键点。 首先，555定时器的基本结构包括比较器、RS触发器、放电晶体管等。在0.18μm工艺下设计，需要考虑工艺库中的器件模型，比如MOS管的阈值电压、跨导等参数是否符合要求。电源电压范围3V-15V，可能需要使用高压器件或者调整电路结构以适应宽电压范围。需要确保在最低3V时电路仍能正常工作，而最高15V时器件不会被击穿。 接下来是频率范围和占空比调节。传统的555定时器通常通过外部RC网络设置频率和占空比。要实现1Hz到1MHz的频率范围，可能需要可调电阻和电容的选择，或者内部集成可编程元件。占空比从1%到99%意味着需要精确控制充放电时间，可能需要调整比较器的阈值或引入额外的控制电路。比如，使用两个比较器分别控制充电和放电时间，或者通过调节参考电压来实现占空比的调整。 温度稳定性方面，需要在设计中考虑温度补偿。例如，使用带隙基准电压源来提供稳定的参考电压，以减少温度变化对比较器阈值的影响。工艺库中的器件模型通常包含温度参数，仿真时需要覆盖-40°C到85°C的范围，进行温度扫描分析。 上升/下降时间小于100ns，这要求输出级的驱动能力足够强。在0.18μm工艺下，晶体管的开关速度较快，但需要合理设计输出缓冲器的尺寸，确保在负载变化时仍能满足时序要求。同时，低噪声输出可能需要加入滤波电路或优化布局以减少寄生参数的影响。 功耗方面，整个芯片的功耗需低于10mW。在低功耗设计中，需要优化静态电流，例如在待机模式下关闭部分电路，或者采用低功耗的比较器和触发器结构。动态功耗则与开关频率和负载电容有关，需要在满足性能的前提下尽量降低开关活动。 接下来是设计流程。前端设计包括电路设计、原理图输入、前仿真。使用Cadence Virtuoso或类似工具绘制电路图，并进行DC、AC、瞬态仿真。前仿真需要验证各个子模块的功能，比如比较器在高低阈值时的切换，触发器的置位复位功能，放电晶体管的工作状态等。同时需要检查电源电压变化下的性能，比如在3V和15V时的频率准确性。 后仿真则要考虑布局后的寄生参数，如电阻、电容和电感的影响。布局设计时需要注意匹配和对称，减少工艺偏差。例如，比较器中的差分对应保持对称布局，减少偏移电压。使用Calibre进行DRC和LRC检查，确保符合工艺规则。提取寄生参数后，在仿真工具中加入这些参数，重新进行仿真，验证时序、功耗等是否仍满足指标。 验证过程中需要覆盖所有极端情况，比如温度、电压、工艺角（FF、SS、TT等）。例如，在高温下，晶体管的迁移率下降，可能导致延迟增加，需要确保在最坏情况下上升/下降时间仍小于100ns。占空比的调节范围需要在不同工艺角下都能达到1%-99%，可能需要调整某些电阻的比例或加入校准电路。 可能遇到的问题包括：在宽电源电压范围内比较器的失调电压变化，导致阈值不准确；占空比在高频时难以调节到极低或极高值；温度变化引起的频率漂移超过允许范围。解决方案可能包括采用自动校准电路，动态调整参考电压，或者增加温度补偿电阻。 最后，文档和测试报告的编写也是重要部分，需要记录设计参数、仿真结果、布局注意事项以及验证通过的标准。这有助于后续的流片和测试阶段参考。 总结来说，设计过程需要系统性地分解需求，逐一攻克电路模块，并通过多次仿真迭代优化，确保在工艺、电压、温度变化下均能满足所有指标。</think>### 基于0.18μm工艺的555定时器芯片设计与验证流程 #### 一、设计需求分解 1. **功能指标** - 频率范围：$1\,\mathrm{Hz}$至$1\,\mathrm{MHz}$（通过外部RC可调） - 占空比调节：$1\%$至$99\%$（需独立充放电控制） - 电源电压：$3\,\mathrm{V}$至$15\,\mathrm{V}$（兼容宽压设计） - 温度范围：$-40\,^{\circ}\mathrm{C}$至$85\,^{\circ}\mathrm{C}$（需温度补偿） - 上升/下降时间：$<100\,\mathrm{ns}$（优化输出级驱动能力） - 功耗：$<10\,\mathrm{mW}$（静态与动态功耗优化） 2. **工艺约束** - 使用0.18μm CMOS工艺库 - 支持高压器件（$15\,\mathrm{V}$耐受） - 需包含寄生参数提取模型（用于后仿真） --- #### 二、电路设计关键模块 1. **电压基准与比较器** - 采用带隙基准（Bandgap Reference）生成稳定$V_{\mathrm{ref}}$，温度系数$<50\,\mathrm{ppm}/^{\circ}\mathrm{C}$[^1] - 比较器设计需满足： $$V_{\mathrm{th\_high}} = \frac{2}{3}V_{\mathrm{CC}},\quad V_{\mathrm{th\_low}} = \frac{1}{3}V_{\mathrm{CC}}$$ 通过电阻分压网络实现，匹配误差$<0.1\%$（需布局对称性） 2. **RS触发器与输出级** - 使用交叉耦合NOR门实现，复位优先级高于置位 - 输出级采用推挽结构，驱动能力$I_{\mathrm{out}}>10\,\mathrm{mA}$以满足$t_{\mathrm{r}}/t_{\mathrm{f}}<100\,\mathrm{ns}$ 3. **占空比调节电路** - 独立控制充放电通路： $$D = \frac{R_A}{R_A + R_B} \quad (D_{\mathrm{min}}=1\%, D_{\mathrm{max}}=99\%)$$ 需加入可编程开关阵列调节$R_A/R_B$比例 --- #### 三、前仿真实现步骤 1. **原理图输入与网表生成** - 使用Cadence Virtuoso绘制电路图 - 导出SPICE网表并添加工艺模型（如TSMC 0.18μm PDK） 2. **仿真类型与指标验证** | 仿真类型 | 测试条件 | 验证目标 | |---------------|----------------------------|-------------------------| | **DC分析** | $V_{\mathrm{CC}}=3\,\mathrm{V}/15\,\mathrm{V}$ | 静态工作点、功耗 | | **瞬态分析** | 频率扫描$1\,\mathrm{Hz}$-$1\,\mathrm{MHz}$ | 波形完整性、占空比精度 | | **蒙特卡洛** | 工艺偏差±3σ | 参数鲁棒性 | | **温度扫描** | $-40\,^{\circ}\mathrm{C}$至$85\,^{\circ}\mathrm{C}$ | 频率温漂$<0.1\%/^{\circ}\mathrm{C}$ | 3. **示例仿真代码（HSPICE）** ```spice .TRAN 1n 10m SWEEP TEMP LIST -40 27 85 .MEAS TRAN t_rise TRIG V(out) VAL=0.5V RISE=1 TARG V(out) VAL=4.5V RISE=1 ``` --- #### 四、版图设计与后仿真 1. **版图要点** - 匹配器件：比较器分压电阻采用共质心布局（Centroid） - 电源布线：$V_{\mathrm{CC}}$与GND使用金属层M4/M5，宽度$>10\,\mu\mathrm{m}$ - ESD保护：输入/输出端添加GGNMOS结构 2. **寄生参数提取** - 使用Calibre xRC提取R/C寄生参数 - 生成带寄生效应的网表（.pex.netlist） 3. **后仿真对比** - 关键参数退化分析： $$f_{\mathrm{post}} = f_{\mathrm{pre}} \times (1 - \frac{\Delta C_{\mathrm{par}}}{C_{\mathrm{ext}}})$$ 若频率偏差$>5\%$，需优化敏感节点布线 --- #### 五、验证报告内容 1. **性能汇总表** | 参数 | 前仿真结果 | 后仿真结果 | 规格要求 | |--------------------|------------|------------|--------------| | 频率范围 | 0.8Hz-1.2MHz | 0.75Hz-1.1MHz | 1Hz-1MHz | | 占空比@1kHz | 1.2%-98.5% | 1.5%-97.8% | 1%-99% | | 功耗@5V | 8.2mW | 9.1mW | <10mW | 2. **问题修正记录** - **Issue 1**：高温下占空比偏移 **Solution**：在分压网络串联温度补偿电阻 - **Issue 2**：后仿真上升时间超标 **Solution**：增大输出级PMOS宽长比$(W/L)_{\mathrm{PMOS}}=50/0.18$ ---
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值