电容的设计要点

电容主要特性参数：材料分类、封装、误差、温漂(temp coeff)、耐压、容量、ESR、ESL、Q值、D值、冲击电压、漏电流。电容在布局时尽量远离发热的元器件。

电容的单位：法拉
电容的计算式：C = Q/U(电量库伦/电压)
电容的决定式：C = εS/D(介电常数面积/距离)
电容的并联： C = C1 + C2 +……
电容的串联：1/C = 1/C1+1/C2 +……（和分之积）
ESR：等效串联电阻
ESL：等效串联电感
D值：损耗角正切值，这个值越小，电容越好。一般电解电容器为0.1-0.24。
Q值：品质因数，Q值越高，电容越好。

（1）1F（法拉）=1000 mF（毫法）
（2）1mF（毫法）=1000 μF（微法）
（3）1μF（微法）=1000 nF（纳法）
（4）1nF（纳法）=1000 pF（皮法）
电容容值105=1000000pF=1uF

1. 电容器的命名一般会包括以下几个方面。
1.1第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。
1.2第二部分：材料，用字母表示。

C-高频陶瓷						E-其它材料电解
T-低频陶瓷						G-合金电解
D-铝电解							H-复合介质
A-钽电解							I-玻璃釉
N-铌电解							J-金属化纸
L-涤纶等极性有机薄膜				Q-漆膜
B-聚苯乙烯等非极性薄膜			V-云母纸
BB- 聚丙烯薄膜					Z-纸介
Y-云母

1.3第三部分：材质温漂（针对陶瓷电容而言），I,II,III类电容
1.4第四部分：封装
1.5第五部分：结构，一般用数字表示，个别用字母表示。

薄膜电容：材料后面的第一个数字1表示箔式有感2表示金属化6表示交流8表示高压
瓷介电容: 材料后面的第一个数字1表示圆片型4表示独石型8表示高压

1.6第六部分：容值，用数字表示，标称值分为E6、E12、E24三个系列

E6系列的取值为1.0、1.5、2.2、3.3、4.7、6.8乘以10的n次方。
E12系列的取值为1.0、1.2、1.5、1.8、2.2、2.7、3.3、3.9、4.7、5.6、6.8、8.2乘以10的n次方；
E24系列的取值为1.0、1.1、1.2、1.3、1.5、1.6、1.8、2.0、2.2、2.4、2.7、3.0、3.3、3.6、3.9、4.3、4.7、5.1、5.6、6.2、6.8、7.5、8.2、9.1乘以10的n次方；
例如：

2. 电容的容值测量

I 类陶瓷电容的容量大概在1pF~680pF之间，测试频率为1MHz。
II 类陶瓷电容的容量大概在1pF~ 10uF之间，测试频率为1KHz。
电解电容的容量大概在0.47uF~10000uF之间，测试频率为120Hz。
塑料薄膜电容的容量大概在0.001uF~0.47uF之间，测试频率为1KHz。

3. 电容容值及耐压值：

低频瓷介电容(CT) , 电容量：10p–4.7u ; 额定电压：50V–100V
高频瓷介电容(CC) , 电容量：1–6800p ; 额定电压：63–500V
铝电解电容(CD) , 电容量：0.47–10000u ; 额定电压：6.3–450V
钽电解电容（CA） , 电容量：0.1–1000u ; 额定电压：6.3–125V
铌电解电容（CN） , 同钽电容
聚酯(涤纶)电容(CL) , 电容量：40p–4u ; 额定电压：63–630V
聚苯乙烯电容(CB) , 电容量：10p–1u ; 额定电压：100V–30KV
聚丙烯电容(CBB) , 电容量：1000p–10u ;额定电压：63–2000V
云母电容(CY) , 电容量：10p–0.1u ; 额定电压：100V–7kV

4. 电容的品质因素Q和损耗角D

D值：电容的损耗，如果对一个电容加上一个电压，除了对电容充电的电流外还有漏掉的电流（电容的漏电流），漏电流被消耗成了热能，因此表示为电阻上的电流。漏电流与纯电容的充电电流之比就是电容损耗角正切值（理论上纯粹的电容是不耗电功率的），这个值越小，电容的性能越好。
一般电解电容器为0.1-0.24。
塑料薄膜电容器则D值较低为0.001-0.01。
II类及III类陶瓷电容为0.025。

Q值：品质因数（1/D），电容的储存功率与损耗功率的比（Qc=(1/ωC)/ESR），Q值越高，损耗越小，效率越高，电容越好。

5. 陶瓷电容的温漂
一类电容：COG（有时也称为NPO）

工作温度在-55~+125℃之间，温漂=0±30ppm/deg.C

二类电容：X7R、 X5R
三类电容：已成为历史，例如Y5V

X代表最低工作温度：-55℃，Y代表最低工作温度：-30℃
7代表最高工作温度：125℃，5代表最高工作温度：85℃
R代表容值变化范围：±15%，V代表容值变化范围：+22%~-82%

6. 电容分类思维导图

7. 小型电容介绍
MKP （国内叫CBB）= Metallised polypropylene 金属化聚丙烯电容
特点是：损耗极小、无感结构、击穿能自愈、耐高温100度。
缺点是：容量小体积大、容量随温度上升而减小（负温度特性）。
适合用于高电压、大电流以及高脉冲强度的电路，如开关电源震荡电路、扫描脉冲电路、马达启动电路、汽车点火器电路、A/D取样保持电路等。
PPL：聚丙烯膜电容器-带电感性
PPN：聚丙烯膜电容器
PPT：聚丙烯膜电容器-轴向型
MPP：金属化聚丙烯膜电容器_环氧树脂包封
（特点：高频损耗小内部温升小绝缘性能好，自愈效果佳，各种直流，脉冲，高频较大电流场合，彩电S校正电路）
MPT/MPA：金属化聚丙烯膜电容器-轴向型
（特点：低损耗角正切，自愈性强，负温度系数，应用于高频，脉冲电路）
MPB：金属化聚丙烯膜盒装电容器
（特点：自愈性强，低损耗角正切，应用于高频、脉冲电路）

MKS = MKY Polystyrene 金属化聚对苯二甲酸乙二酯电容（简称聚酯）
特点：容量大体积小、耐高温100度、无感结构、击穿能自愈
缺点：介质损耗稍大一些、容量随温度上升而增加（正温度特性）
一般用于信号耦合、退耦等通用用途。其他公司多称为MKT电容，WIMA的叫MKS，其实东西是一样的
PEL：小型化聚乙酯膜电容器-带电感性
PEI ：聚乙酯膜电容器-带电感性
PEN：聚乙酯膜电容器
PET：聚乙酯膜电容器-轴向型
（特点稳定性好,可靠性高广泛用于通讯器材、收录机、电视机、VCD的直流和脉动电路中）
MPE：金属化聚乙酯膜电容器
MEM：超小型金属化聚乙酯膜盒装电容器
（特点小型化应用厂自动插件，脚间距大小为5mm、高耐湿性、自愈性强）
MET/MeA：金属化聚乙酯膜电容器-轴向型
（特点无电感结构、自愈性强、高容量值）
MEB：金属化聚乙酯膜盒装电容器
（特点自：愈性强、高耐湿热性、在一般应用中可靠性高）
MKT：金属化聚乙酯膜X2级抗干扰电容器
（特点：高频损耗小，能承载较大电流，绝缘电阻高，自愈性好，寿命长，能承受2.5KV的脉冲电压，属X2类，适用于电源跨线降噪抑制干扰电路，及其他交流场合）