mos管开关电路_软开关设计 || 软开关硬件三极管、MOS管典型电路分析

最新推荐文章于 2024-02-28 21:07:34 发布
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文章标签： mos管开关电路 mos管电路
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本文详细介绍了软开关设计与MOS管在电路中的应用，对比了软开关和硬开关的优缺点，并通过实例解析了软开关硬件电路的工作原理，包括GPIO控制、电源监控及防抖处理。同时，文章提到了软件设计中对DETECT_KEY的检测关键点，确保系统稳定运行。
摘要由CSDN通过智能技术生成

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关于今日推文

何为软开关？软开关是相对于硬开关而言。

硬开关顾名思义，电源的开断完全取决于硬件，是物理层上的开合；而软开关，则是必须借助于软件，准确地说是借助软件来进行关闭。

两者各有优劣。前者因为是物理层的操作，可以讲电源和系统部分完全阻隔，所以关闭时漏电流非常小，但缺陷是关闭时无法给予软件任何通知信息&#x

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weixin_39884078
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三极管和MOS管的开关电路分析
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　　个人博客：http://brainware360.cn/　　上面两篇文章我们通过对三极管和MOS管的学习，对其有了一个基本的认识，下面来分析一个简单的数字电路学习如何在数字电路中使用三极管和MOS管。　　效果一：S2闭合，则无论S1闭合与否，M1和M2均未导通，无输出。　　分析：S2闭合时，Q9的基极通过R11接到+5V，发射极接地，形成回路，基极有电流通过，则其集电极和发射极导通，根据其导通...
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1、控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻时，三极管Q2的基极被拉低到地，为低电平，Q2不导通，进而MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管Q1不导通，+5V_OUT 无输出。电阻R4是为了在 Control 为高阻时，将三极管Q2的基极固定在低电平，不让其浮空。 2、当电源 +5V_IN 刚上电时，要求控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻，即关闭三极管Q2，从而...
带软开启功能的MOS管电源开关电路！
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本篇博文分享在实际工作中经常使用的一种典型的三极管和MOS管结合的开关控制电路。
三极管+MOS管共同组成的开关电路
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三极管基极下拉电阻作用
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三极管基极下拉电阻作用 1)防止三极管受噪声信号的影响而产生误动作，使晶体管截止更可靠!三极管的基极不能出现悬空，当输入信号不确定时(如输入信号为高阻态时)，加下拉电阻，就能使有效接地。 特别是GPIO连接此基极的时候，一般在GPIO所在IC刚刚上电初始化的时候，此GPIO的内部也处于一种上电状态，很不稳定，容易产生噪声，引起误动作!加此电阻，可消除此影响(如果出现一尖脉冲电平，由于时间比...
三极管开关电路和场效应管电路优劣比较？
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三极管开关电路与场效应管电路（MOS管电路）的比较是电子工程设计中的一个重要课题。三极管与MOS管在开关电路中的应用各有特点，理解这些特点对于电路设计至关重要。 首先，从控制方式上来看，三极管是电流控制型...
三极管开关电路和场效应管电路优劣比较
07-20
一般我们在做电路设计时候，对于如何来选择使用三极管开关电路和场效应管电路，下面我们就来一起分析一下。
三极管开关电路PK场效应管电路优劣比较
07-31
三极管开关电路和场效应管电路是两种常用的开关电路，它们在电路设计中的选择取决于具体的应用场景和设计要求。下面我们将对这两种电路进行比较，分析它们的优缺点和应用场景。 一、电流控制和电压控制 三极管是一...
解析带软开启功能的MOS管开关电路
树卡花
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电源开关电路，经常用在各“功能模块”电路的电源通断控制，是常用电路之一。本文要讲解的电源开关电路，是用MOS管实现的，且带软开启功能。 电路说明 电源开关电路，尤其是MOS管电源开关电路，经常用在各“功能模块”电路的电源通断控制，如下框图所示。 图中一个MOS管符号代表一个完成电路 在设计时，只要增加一个电容（C1），一个电阻（R2），就可以实现软开启（soft start）功能。 C1、R2实现软开关功能 软开启，是指电源缓慢开启，以限制电源启动时的浪涌电流。在没有做软开启时，电源电压的上升会比较陡峭
mos管开关电路_深入讲解三极管和MOS管加下拉电阻的作用，下次设计电路注意了...
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一、三极管和MOS管介绍三极管和MOS管是两种较为常用的半导体元器件，它们都是只有三个引脚。三极管有NPN和PNP型，三个电极分别为：基极B、集电极C，发射极E；MOS管有漏极D、源极S、栅极G三个电极，其中中间的箭头表示衬底，如果箭头向里表示是N沟道的MOS管，箭头向外表示是P沟道的MOS管。三极管一般应用于开关电路、信号放大电路、电平转换电路等，而MOS管多用于放大电路、开关电路，有时候两者可...
功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识
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为了减小VDS和ID交叠区的损耗，最直接办法就是增加VDS上升的时间，也就是在D、S并联外加电容，降低VDS上升的斜率，VDS和ID交叠区的面积减小，从而降低关断损耗，如图5所示。功率MOSFET要想实现零电压的开通，也就是其在开通前，D、S的电压VDS必须为0，然后，栅极加上VGS驱动信号，这样就可以实现其零电压的开通。功率MOSFET的D、S外部并联电容，可以降低其关断过程中VDS和ID交叠产生的关断损耗，但是，额外的外部电容，需要的更大变压器或电感电流，来抽取这些电容储存能量。图4 零电压开通波形。
开机关机电路-MOS管实现开关机功能
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背景 该电路作者只是交代了开关机如何实现的，对于为什么负载电流越小，关机时间就需要更久没有解释，欢迎广大电子爱好者解释一下，共同交流 如下部分，欢迎多多交流：负载电流大于10uA时，K2只要按一下就可以关机；当负载电流小于5uA时，K2需要长按3-5s才能关机（负载电流小，按的时间越长），希望清楚的朋友留言区交换意见。 可以看到，上面这个电路中用到两颗开关管，其中一颗是MOS管，另外一颗还是MOS管。型号分别为PMZB200UNE(Q2)，CJBB3139K(Q1)。PMZB200UNE(Q2)用来辅助控.
一键开关机电路
Hali_Botebie的博客
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文章目录普通软开关关机功耗为0的软开关开机过程按键过程关机过程问题：开关专用控制器 普通软开关 用控制器了，纯软件方法，只需要一个io，硬件也只需要一个按键和一个电阻。 软件关机就可以了，就像手机一样，关机就是进掉电模式 。 关机功耗为0的软开关 原理其实很简单，就是通过控制PMOS Q2的通断来实现的，当按键KEY1按下的时候，PMOS Q2导通，之后控制Q1导通，就可以实现PMOS一直导通，...
软开关设计漫谈_硬件篇
norains的专栏
05-21 3797
  //========================================================================  //TITLE:  //    软开关设计漫谈_硬件篇  //AUTHOR:  //    norains  //DATE:  //    Sunday 19-may-2009  //Environment:  //    WINDOWS CE
单键软开关电路仿真
anlog的专栏
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原理图 通过调整C1的容量控制开关速度 因为如果长时间持续按住s1则输出为方波，如下图 上图是 c1 = 1uf 如果调整为10uf 如下图 注意两幅图的时间刻度不相等。一个为10ms一个为50ms 同时实际应用时需要注意pmos的 Vgs，防止过压，如果国使用低压的mos 则需要队g极使用稳压管钳位。 此电路不能反接。 参考视频 EEVblog #262 - 最简单的软开关电路_哔哩哔哩_bilibili 特此仿真验证，以防忘记 anlog 20...
全桥软开关
nelson7的博客
04-27 7526
全桥软开关 这是我你第一次使用CSDN记录自己的学习历程，今天写一个全桥软开关的知识。 典型开关电源功率电路的拓扑结构包括正激，反激，推挽，半桥，全桥等。相比于其他拓扑，全桥式拓扑结构的输出功率最高，有着相对较高的效率，对开关器件的耐压要求较低。 软开关和硬开关 开关电源通过功率器件的开通和关断来实现从直流到交流的逆变。而开关技术又分为软开关和硬开关。通常状态下器件在开通和关断的过程时，会有电压和电流的交叉，这样就会有开关损耗。而与硬开关相比，软开关在开通和关断时会实现功率器件的零电压导通（ZVS）和零电流
MOS管开关设计知识-（五种MOS管开关电路图方式）
树卡花
02-25 7万+
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 1、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的...
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