20200505-宽禁带器件驱动相关文献

本文探讨了SiC功率MOSFET驱动的相关技术,包括专用驱动芯片如IXDI414等,强调了正负双电源供电的重要性。文章详细介绍了驱动电压、栅极电阻对开关速度和损耗的影响,以及隔离驱动电路的设计考虑,如磁耦合变压器和光耦合器件的应用。最后,提出了合理选择栅极电阻Rg的范围为5Ω-25Ω,并分享了一个基于BM6103FV-C芯片的驱动电路设计案例。

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宽禁带器件驱动相关文献

  1. 沈吉文.SiC功率MOSFET驱动与应用电路的研究[D].西安理工大学,2016
  • SiC 功率MOSFET 驱动电路有两种,一种是根据电路性能搭建驱动电路;一种是专用的驱动芯片。专用驱动芯片有高速驱动芯片 IXDI414、BD7682FJ-LB、BM6103FV-C 等。
  • 虽然,SiC 功率 MOSFET 器件可以在低电压下导通,但是在 18V 以上才能发挥低导通电阻的优势,同时为了防止栅极振荡引起误导通,SiC 功率 MOSFET 需要负压关断,因此,SiC MOSFET 驱动开关须要正、负双电源供电。
  • Cree SiC 功率MOSFET CMF20120D; Rohm SiC 功率MOSFET
  • 设计型号为 SCT2450KE 的 SiC 功率 MOSFET 的驱动电路。
  • 在 SiC MOSFET 中,栅极的驱动电压越高,会增大 MOSFET的导电沟道,减小导通电阻,发挥出 SiC MOSFET的优点。但是栅极驱动电压太大很容易将栅极和漏源之间绝缘层击穿,使 MOSFET 管的损坏,为了提高在关断状态下的 SiC MOSFET管的工作可靠性,驱动电路被设计为在关断状态下向栅极添加反向偏置电压,以快速释放栅极输入电容的电荷,关断时间,使驱动电路更可靠;但反向驱动电压会增加电路损耗,反向偏置电压最好不要超过-6V;因此驱动电压通常选择-6V-+22V之间。
  • 在高频工作环境中,留给栅极电容的充放电时间就会越短,短的充放电时间需要小的栅极电容和大的驱动脉冲电流才能满足,而增大驱动电流的有效的方式是减小驱动电阻。
  • 将驱动电路设计成隔离驱动电路可以提高控制电路的抗干扰能力,隔离驱动电路中实现
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