20200505-宽禁带器件驱动相关文献

宽禁带器件驱动相关文献

1. 沈吉文.SiC功率MOSFET驱动与应用电路的研究[D].西安理工大学,2016

• SiC 功率MOSFET 驱动电路有两种，一种是根据电路性能搭建驱动电路；一种是专用的驱动芯片。专用驱动芯片有高速驱动芯片 IXDI414、BD7682FJ-LB、BM6103FV-C 等。
• 虽然，SiC 功率 MOSFET 器件可以在低电压下导通，但是在 18V 以上才能发挥低导通电阻的优势，同时为了防止栅极振荡引起误导通，SiC 功率 MOSFET 需要负压关断，因此，SiC MOSFET 驱动开关须要正、负双电源供电。
• Cree SiC 功率MOSFET CMF20120D； Rohm SiC 功率MOSFET
• 设计型号为 SCT2450KE 的 SiC 功率 MOSFET 的驱动电路。
• 在 SiC MOSFET 中，栅极的驱动电压越高，会增大 MOSFET的导电沟道，减小导通电阻，发挥出 SiC MOSFET的优点。但是栅极驱动电压太大很容易将栅极和漏源之间绝缘层击穿，使 MOSFET 管的损坏，为了提高在关断状态下的 SiC MOSFET管的工作可靠性，驱动电路被设计为在关断状态下向栅极添加反向偏置电压，以快速释放栅极输入电容的电荷，关断时间，使驱动电路更可靠；但反向驱动电压会增加电路损耗，反向偏置电压最好不要超过-6V；因此驱动电压通常选择-6V-+22V之间。
• 在高频工作环境中，留给栅极电容的充放电时间就会越短，短的充放电时间需要小的栅极电容和大的驱动脉冲电流才能满足，而增大驱动电流的有效的方式是减小驱动电阻。
• 将驱动电路设计成隔离驱动电路可以提高控制电路的抗干扰能力，隔离驱动电路中实现