竹海设计:spetre仿真 (转载微信公众号:xy_ee)

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这篇博客介绍了如何在Cadence环境下,基于OA数据库进行N MOSFET的输出特性仿真。通过新建库、原理图设计、设置仿真参数,最终得到N MOSFET的I-V特性曲线,为初学者提供了直观的操作指南。
摘要由CSDN通过智能技术生成

有很多关于ic5141的仿真教程。随着时代的变迁,旧的软件已不能满足设计要求。为了很好的给初学者一个直观的印象,以下给出基于oa数据库的nmos输出特性仿真主要步骤。

打开cadence后,首先新建一个库clib,如图1所示,注意选择attach to an existing technologylibrary 选项,这样你就不用添加晶体管符号时,再添加model了,很方便。

如下图所示,选择要依赖的工艺库名称,一定是工艺库,其他库会导致软件运行出现错误。

在所建库目录下,新建cellview,命名为Lab1_nmos_iv,类型为schematic。简单的说就是建立一原理图文件。

按照下图图示添加直流电压源vdc,n-mosfet,直流理想地连接gnd,并将所有器件用导线连接起来。注意nmos的尺寸可以在属性中更改。不同尺寸的nmos有不同的i-v特性。

然后打开模拟仿真平台ADE,其主界面如下图所示。

以下为仿真设置的几个主要步骤:

1>     选择所要仿真电路的原理图

 2>     设定仿真所需要的工作文件夹&

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