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RSS订阅原创 EMC整改经验
1，ESD，地线，会传导静电，而bulk电容的地是最纯净的地，所以可以把初级其他地方的地单独直接接到bulk地，来避免地线传导的静电，导致打死。2，传导的整改，就像网上资料说的，低频是差模为主，如果加大差模电感，还降不下去，就可能是电路走线布局有问题，干扰信号耦合过去了，80w问题就是cs电阻走线不对，导致低频很差。但是，7.5W项目的静电上面的方法都用了，还是会把IC的Vcc脚打死，友商的办法是在Vcc处增加一个稳压管，来保护IC，而我们最后在Vcc脚前串一个电阻，来保护IC，结果就可以了。
2023-10-18 17:13:51
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原创 CV模式的作用
CV模式：目前知道的是cv模式一是用于检测电流精度。二是看带载能力，当切到CV模式时，比如升压到正常协议的20V，带载后就会带20V的最大电流，另外我们也要求此情况下10V-18V内不会掉电，也就是都能cv的住（这不是一个主要的测试项目，而是在实际使用中，出现了CV不住掉电压的情况，所以才这样去看）。
2023-04-11 10:28:12
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原创 电感并联电阻
这个电阻就是防止电感上面的寄生电容与电感本身形成无阻尼震荡，加电阻就变成有阻尼震荡了，对EMI好点，一般都是4.7KΩ。有的在整流桥前的差模电感上并联电阻，一般是1K-10K，作用相同。
2021-08-16 14:35:59
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原创 换芯片样机
1，换芯片要选用引脚合适的，否则要重新画板。2，芯片的参数要一样，或者兼容。3，VCC供电电压，FB脚基准电压，CS脚电压这些都要变更。遇到问题：1，芯片没有合适的，找了很久，5V2.4A的就基本上是芯彭薇和辉芒微的两款方案。而这两款方案的引脚是不一样得。所以没法替换。最后终于找到了一款和芯朋微引脚参数合适的通嘉的方案。虽然好像是5V3.1A的。但是能用。2，一开始是用对了芯片，但没发现芯朋的是内置启动回路的，所以板子没有启动回路，所以换上通嘉的起不了机。不知道什么原因，就换了一个芯片，结果这次发
2021-08-15 16:26:43
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原创 EMI调试方法
150K到500k之间是滤波电容的电阻太大的原因，是因为没有热机的时候太大，一般热机以后，电阻会降低，也就能过了，但是还是需要换电阻小的电容比较好。这里基本就是这样。然后，500k到1M之间，一般就是变压器漏感，然后500k到5M之间的改善措施基本就是，减小变压器漏感，增大改善初次级的吸收，比如把RCD的二极管由快管改成慢管。次级的电容增大一点（比如1.5nf改成2.2nf），还有Y电容接滤波电容的地方，要么C1要么C2，要么接火线，要么接地线。还有Y电容也可以加大一点。还有就是芯片周围的散热铜箔，有可能比
2021-08-10 17:39:01
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原创 快充知识点
1，有些是AC-DC恒压，后面小板再DC-DC调压。这种是多个口，并需要单口实现快充的情况。不是多口，或者不需要单口实现快充的，不用那么麻烦，可以直接调压，原理和普通充一样。
2021-08-04 10:17:40
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原创 关于QR准谐振和RCD回路选型
一，QR准谐振1，首先它的优点是效率高。2，然后就是缺点，因为他总是在最低谷处导通，所以EMI会差一点（500K的地方），思考一下为什么会影响EMI！，为了减小EMI的影响，芯片也有措施：在第一个第二个第三个等多个谷底处交替导通，这样就能分散杂波，减小EMI。有些芯片没有QR，EMI就好一些，换上QR的EMI可能就会差一点。二，RCD回路选型选型不需要计算，通过经验选值加调试即可！经验选值：对于参数，而言176-264V的电源C：1nF-10nF之间R：100K-470K之间D：fr10
2021-08-03 20:24:00
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原创 反激课程问题点
1，电容的充放电公式？2，输入电解电容的波形，前半部分是正弦曲线，但放电时为什么是直线下降呢？是不是也是曲线？只不过近似直线？3，为什么整流桥的电流是平均值？为什么老师说多数是计算平均值，只在计算能量时用有效值？P=UI，U，I都是平均值吗？...
2021-06-01 11:38:33
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原创 QC，PD知识点
1，A口的是QC快充，不能用PD快充，C口一般是PD快充，也可以是QC快充。它是兼容QC的。C口是趋势，慢慢取代A口。2，有些PD快充是通过初级的AC-DC降压，并输出恒定电压，再通过小板上的DC-DC来实现PD不同的输出电压电流的。也有些是跟传统的一样，初次极完成电压的转换。3，有些协议芯片是能集成到次级同步整流芯片中的。4，有些电路为了散热，会加宽并开窗。为了避免波峰焊时电路铜箔和引脚等堆积过多焊。会在引脚处加绿油阻焊，看上去这里没连在一起，但是连在一起的。...
2021-05-20 18:46:00
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原创 电感，变压器，电容，MOS管等元器件
1，电感：电感的感量计算： 表中给出的理论值，电感器的实际电感量要以实测为准。另外，电感量与匝数的关系需注意的是：1、电感量与匝数成平方比的关系，也就是说电感量与匝数的平方成正比，每匝电感量也与铁芯大小、质量有关。2、如果在铁芯不变的情况下，增加绕组匝数，能提供更大的电感量和更充沛的电能，这是好处，但是增加了内阻这是坏处。在绕组不变的情况下，薄片铁芯有着更少的磁涡流，更低的损耗，能通过更高的频率。但是占空隙数大，磁路也长。很多人追求低内阻，以获得更好的高频响应，追求大电感量，以获得更多的电流来增加低
2021-05-10 11:25:36
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原创 焊板注意事项
1，单板，双层版的烙铁温度一般是400°。焊的时候，多加锡，快上快下。2，PWM芯片，同步整流芯片多是SOP-8封装，直接烙铁焊，加锡侧划一下就可以了。3，对于GFP和GFN封装的芯片MOS，可以加锡膏，热风枪吹，单层板350°以上温度，风速35以上。多层板就430°以内，50以内风速。不要吹太久，否则板子吹的黑了，黄了就损坏了。4，三极管封装为SOT，UC6231协议芯片也是这个封装。二极管是SOD封装。...
2021-05-06 22:06:30
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原创 2021-04-29
最主要的设计问题和容易出的问题，比较难处理，比较难以准确设计，难以固定方案，每个板子需要修改调整的地方就是温升和EMC，两者需要找到平衡点。方案电路，甚至变压器都是成熟的方案了。...
2021-04-29 11:19:13
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原创 安规距离
电气距离是空间的最短距离，爬电间隙是沿表面的距离。当两元器件之间有隔板时，电气距离跟爬电距离差不多，但是电气距离还是空间的最短距离，一个绕过隔板之间间隙的折线。2，安规距离主要有两个地方：第一个是保险丝的pin脚距离要有3.2mm的距离，保证不会被击穿产生电弧之类的。第二个是初次极之间的距离，要满足6.5mm以上的距离。电气间隙和爬电距离都一样。实际只要电气间隙满足了，爬电距离一般也能满足。初次极之间的安规距离，需要加隔板，变压器的初次极绕组要有足够距离。...
2021-04-26 17:07:55
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原创 2021-04-08
我设计开关电源也有一些年份了，接触开关电源的新手也比较多，而新手问得最多的一个问题就是变压器怎么计算，而变压器计算中问得最多的一个问题就是，上面提到的感量不一样的问题。我可以这么说，只要有这个疑问的电源工程师，那么一定说明你是新手，一定没有掌握变压器的设计方法。其实两个工程师计算出来的电感量不相同是很正常的，我甚至可以说，同一个项目给两个不同的并且有经验的工程师来计算变压器的话，这两个工程师计算出来的电感量一定不一样。为什么？其中有比较多的原因。我们以反激为例，计算变压器得出来的感量大与小根本没有绝对的对
2021-04-08 10:06:22
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原创 测试注意事项
1，测试波形时最好先把时间和幅值都调小，这样就可以先看清楚完整的波形是什么样子的，再放大观察详细的波形。不要直接就观察局部的细节波形，这样容易找错波形，正确顺序就是先看整体，再放大细节，这样测就不会出错了。2，注意在测试时，一般情况下，输入电压，输出电压，要求的都是板端电压，测量时一定要注意，不要觉得有些线不长，影响不大就忽略了，测试时，该怎么样就怎么样，一点都不要马虎，忽略一点看似不重要的地方，可能测试结果就不一样，影响是很大的。所以要严谨，不要速度，要准确。3，模拟电芯可以作为一个电芯一样充电，放电
2021-03-31 11:02:09
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原创 AD使用快捷键
LAYOUT： 元器件绘制->>绘制原理图->>元器件封装->>绘制PCB布线图快捷键：旋转：空格键复制：Ctrl+C，Ctrl+V，复制删除：Ctrl+X，按距离移动：1，按栅格，2，按M，选择按X/Y偏移量查看距离：Ctrl+M，删除距离，右键，清除过滤器或者shift+C画封装时的定位线移动，可以先把线移动到原点，基点处，再通过X/Y移动。每个元器件封装都要确定好基准脚，在编辑中选择设置参考，1脚，选中左下角制作封装有两种：手动画和通过向导制作封装
2021-03-27 22:22:40
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原创 调试笔记1
1，主芯片PWM温升过高，CV模式达到117度，虽然没有超过120度，但是还是偏高，为了留够余量，换用内阻更小的PWM芯片，由4.4Ω换用4.2Ω的，其他都一样。2，适配性测试，部分机型充电电压只有4.8V，电流低于1A。这是输出电压过低，所以调整提高输出电压，调低下偏电阻。上偏电阻95.3K，下偏电阻R10A由8.2K变为10K。3，控制回路的电阻精度都是1%，但是实验室没有1%的电阻，所以用了5%的电阻，结果就有很大的误差，导致有的不合格。后面还是用5%的，因为实验室没有1%的，不过测量选择几个偏差
2021-03-26 10:35:45
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原创 QR反激模式（准谐振反激模式）
QR反激模式也叫准谐振反激模式，其实是DCM的一种，是指磁芯能量完全释放完毕后，变压器的初级电感和MOS的结电容进行谐振，MOS结电容放电到最低值时，初级的开关管导通。此模式是集DCM的优点及大部分缺点于一起，只是将其中的一项缺点做了优化从而变成了优点。就是加了低谷检测功能，改善MOS的开通损耗，从而改善效率。实现这一模式，只是在PWM芯片中增加低谷检测功能就可以了，外电路和普通的DCM一样。此模式就是简单是提高了一点效率，但是它也有一个问题，就是在MOS管导通时，一定要在低谷处，但是不可能总是正好赶在一
2021-03-23 20:21:41
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