SRAM的工作原理图解

6T SRAM

6T SRAM等效为SR锁存器

注:其实CMOS静态反相器等价于一个非门!SRAM cell 6T等价于SR锁存器(也就是RS触发器)

6T:指的是由六个晶体管组成,如图中的M1、M2、M3、M4、M5、M6.

SRAM中的每一bit存储在由4个场效应管(M1, M2, M3, M4)构成两个交叉耦合的反相器中。另外两个场效应管(M5, M6)是存储基本单元到用于读写的位线(Bit Line)的控制开关。

SRAM的设计

一个SRAM基本单元有0 and 1两个电平稳定状态。

SRAM基本单元由两个CMOS反相器组成。两个反相器的输入、输出交叉连接,即第一个反相器的输出连接第二个反相器的输入,第二个反相器的输出连接第一个反相器的输入。这实现了两个反相器的输出状态的锁定、保存,即存储了1个位元的状态。

除了6管的SRAM,其他SRAM还有8管、10管甚至每个位元使用更多的晶体管的实现。 这可用于实现多端口(port)的读写访问,如显存或者寄存器堆的多口SRAM电路的实现。

一般说来,每个基本单元用的晶体管数量越少,其占用面积就越小。由于硅芯片(silicon wafer)的生产成本是相对固定的,因此SRAM基本单元的面积越小,在硅芯片上就可以制造更多的位元存储,每位元存储的成本就越低。

内存基本单元使用少于6个晶体管是可能的— 如3管甚至单管,但单管存储单元是DRAM,不是SRAM。

访问SRAM时,字线(Word Line)加高电平,使得每个基本单元的两个控制开关用的晶体管M5与M6开通,把基本单元与位线(Bit Line)连通。位线用于读或写基本单元的保存的状态。虽然不是必须两条取反的位线,但是这种取反的位线有助于改善噪声容限。

SRAM的操作

SRAM的基本单元有3种状态:standby (电路处于空闲), reading (读)与writing (修改内容)。

SRAM的读或写模式必须分别具有“readability”(可读)与“write stability”(写稳定)。

6T SRAM

Standby

如果字线(Word Line)没有被选为高电平, 那么作为控制用的M5与M6两个晶体管处于断路,把基本单元与位线隔离。由M1 – M4组成的两个反相器继续保持其状态,只要保持与高、低电平的连接。

Reading

假定存储的内容为1, 即在Q处的电平为高。 读周期之初,两根位线预充值为逻辑1, 随后字线WL充高电平,使得两个访问控制晶体管M5与M6通路。第二步是保存在Q的值传递给位线BL在它预充的电位,而泻掉(BL非)预充的值,这是通过M1与M5的通路直接连到低电平使其值为逻辑0 (即Q的高电平使得晶体管M1通路)。 在位线BL一侧,晶体管M4与M6通路,把位线连接到VDD所代表的逻辑1 (M4作为P沟道场效应管,由于栅极加了(Q非)的低电平而M4通路)。 如果存储的内容为0, 相反的电路状态将会使(BL非)为1而BL为0. 只需要(BL非)与BL有一个很小的电位差,读取的放大电路将会辨识出哪根位线是1哪根是0. 敏感度越高,读取速度越快。

Writing

写周期之初,把要写入的状态加载到位线。如果要写入0,则设置(BL非)为1且BL为0。随后字线WL加载为高电平,位线的状态被载入SRAM的基本单元。这是通过位线输入驱动(的晶体管)被设计为比基本单元(的晶体管)更为强壮,使得位线状态可以覆盖基本单元交叉耦合的反相器的以前的状态!


转载自SRAM的工作原理图解 - 存储技术 - 电子发烧友网 (elecfans.com),作者:中国存储网

  • 13
    点赞
  • 121
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 6
    评论
### 回答1: SRAM电路是一种静态随机存储器电路,由若干个存储单元组成,每个存储单元包括一个存储器电容和两个开关管。这些存储单元被组织成一个矩阵,并由译码器和数据线控制。SRAM电路的工作原理是通过在存储单元中读取和写入电荷来存储数据。当要读取存储单元中的内容时,译码器控制需要读取的单元的行和列,将存储单元中的电荷传输到数据线上,然后传递到输入端。当要写入数据时,译码器控制需要写入的单元的行和列,然后将输入的数据写入存储单元中的电容,以改变电荷状态。由于存储单元中的电荷会随着时间而漏失,SRAM电路需要周期性地对数据进行刷新以保持数据的稳定性和正确性。与动态随机存储器(DRAM)相比,SRAM电路在访问速度和功耗方面表现更好,但它的存储密度和成本更高。它通常用于计算机的高速高速缓存存储器和寄存器等需要快速访问数据的场合。 ### 回答2: SRAM是一种静态随机存储器,是计算机主存储器中最常用的类型。其电路结构图如下所示。 ![sram电路结构图](https://cdn-images-1.medium.com/max/1000/1*G8q8rR3DwB5U1UZPQJzvDA.png) SRAM由许多存储单元组成,每个存储单元由一个触发器和两个开关管组成。其工作原理如下: 1. 在读取状态时,通过一个控制线将一个读写开关管置为高电平,另一个开关管置为低电平,然后将地址信号传递给SRAM,将地址线连接到触发器的控制电路上。然后SRAM会检查存储单元的地址,并将数据从相应的存储单元读出。 2. 在写入状态时,先将地址信号传递给SRAM,再将一组二进制数据输入SRAM。SRAM会将数据存储到相应的存储单元中,此时需要将读写开关管置为低电平,另一个开关管置为高电平。 3. SRAM的内部还配备信号放大器以及对电源电压的监测器,来提高SRAM的稳定性。 总之,SRAM以其高速度和高可靠性,在计算机系统中占据重要位置。它常见的应用场景是CPU的缓存以及处理器的临时存储器等。 ### 回答3: SRAM全称为静态随机存储器(Static Random Access Memory),是一种常见的电子存储器件,通常用于计算机的内存储存。作为一种高速随机存取存储器,SRAM存储器的访问速度比动态随机存储器(DRAM)快得多,在计算机处理器等性能要求高的场合得到了广泛应用。 SRAM电路的基本结构如下图所示,由6个MOSFET场效应管和一个电容器组成。其中,两个交叉的闭合MOSFET管构成一个反馈环,形成一个双稳态翻转电路(flip-flop),并通过连接线路与其它存储芯片单元相连,构成存储芯片。 SRAM工作原理是基于双稳态翻转电路的。SRAM主要有读和写两种操作。读取操作时,先向存储单元内输入一个地址码,地址码分为行地址和列地址,分别对应存储单元所在的行和列,从而选择出需要读取的存储单元。然后在读使能信号的作用下,将控制信号写入单元电路中,使其处于稳态,即可进行读出操作。 写入操作时,需要先输入地址码进行选择存储单元,然后将需要存储的数据送入数据输入端,并将写入使能信号打开,数据输入后即可存入当前选择的存储单元。在电路中,写入后的数据会被存放在电容器中,如果不在一定时间内刷新电容器,信息会逐渐丢失。 SRAM电路的优点是快速、可靠、高效,但缺点是相对动态存储器成本较高,并且需要消耗更多的电力。
评论 6
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值