ADS EM 仿真设置说明

目录

Momentum 仿真

FEM 仿真

Momemtum和FEM仿真的区别


Momentum 仿真

1、选择Momenttum Microwave。

2、Layout不需要操作,保持默认。

3、Partitioning 不需要操作。

4、没有叠层的话需要新建叠层,过孔可以在叠层中右键添加。

5、注意确认端口的Gnd Layer,需要选择正确的参考层。

6、设置仿真频率。

7、Output Plan。

 8、Option。

最后运行仿真,等待结果即可。

注意:

        仿真频率设置越宽,频点数越多,则仿真需要的时间越长,因此,此参数需要谨慎选择。

FEM 仿真

1、EM Simulator 选择FEM。

2、在layout界面打开的EM功能,这里不需要操作。

3、Partitioning 不需要操作。

4、没有叠层的话需要新建,过孔可以在叠层处右键添加。

5、端口需要设置GND layer。

6、设置仿真频率。

7、Output plan。

8、Options 设置

介质延展设置:

X方向0.1mm,Y方向3mm,设置空气盒子的大小

其他默认,最后点击仿真,等待结果即可。

Momemtum和FEM仿真的区别

MoM矩量法分析和 FEM有限元分析。通常2D和2.5D仿真采用MoM,将金属分成小单元,单元足够小,使得其电流为常数,通过计算电流来计算电磁场。另一个代表性的就是FEM (有限元法),把需要分析的空间分成小单元,单元足够小,使得其电场强度E为常数,以此求解maxwell方程,求得电磁场的分布。

MoM的仿真速度会更快,但是FEM的应用范围更广。在射频芯片设计中常用的是2.5D的EM仿真,因为大多电路结构是平面结构,“0.5”是指非平面结构:过孔。因此可以使用MoM仿真,提高设计效率。一般来讲,无源器件和传输线需要EM仿真,而晶体管不做EM仿真,因为无源器件比如电阻、电容都是金属结构,没有偏置的概念;而晶体管更多的是和工作点有关,不同偏置的晶体管的高频特性不同,因此通常不做EM仿真。

概括性地总结如下:

无源器件的设计,一般会涉及到电磁场辐射的场景,可以使用FEM和Momentum Microwave。图形拓扑结构复杂、辐射场强分布复杂的场景,优先使用FEM;图形拓扑结构简单、辐射场强分布简单的场景,可以使用Momentum Microwave。
有源器件的设计,一般会涉及到电路的场景,可以使用Momentum RF和Momentum Microwave。工作频率高的场景,优先使用Momentum Microwave;工作频率低的场景,优先使用Momentum RF。
一般地,如果四分之一波长λ/4和微带线的宽度同数量级,可以认为是频率较高的场景。
仿真计算的时间:Momentum RF < Momentum Microwave < FEM

参考文章:

ADS EM仿真中MoM和FEM仿真的对比_fem和momentum micr-CSDN博客

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