ADS入门学习笔记——混频器的设计（1）

最新推荐文章于 2024-10-10 14:09:23 发布

Ysq0907

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混频器用于射频系统的频率变换，通过非线性元件实现输入信号频率的升高或降低。其关键参数包括噪声系数、变频损耗、动态范围和隔离度。在设计平衡混频器时，会涉及耦合器和中频滤波器的优化，例如使用ADS进行设计和仿真，确保在特定频率下的性能指标满足要求。

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混频器是射频系统中用于频率变换的部件，具有广泛的应用领域，可以将输入信号的频率升高或降低而不改变原信号的特性。以射频接收系统为例，混频器可以将较高频率的射频输入信号变换为频率较低的中频输出信号，以便更容易对信号进行后续的调整和处理。

1、混频器

混频器是一个三端口器件，其中2个端口输入、1个端口输出。混频器采用非线性或时变参量元件，可以将2个不同频率的输入信号转换为一系列不同频率的输出信号，输出频率分别为2个输入频率的和频、差频及谐波。其中，两个输入端分别称为射频端（RF）和本振端（LO），输出端称为中频端（IF）。实际混频器通常是以二极管或晶体管的非线性为基础，非线性元件能产生众多的其他频率分量，然后通过滤波选取所需的频率分量，在混频器中希望得到的是和频或差频。混频器分为无源混频器和有源混频器，无源混频器线性度好，可以工作在很高频率，但没有转换增益；有源混频器有转换增益，可以减小来自中频的噪声影响。

混频器通过两个输入信号相乘进行频率变换，若输入的信号频率为 $\omega _1$ 、 $\omega _2$ ，则输出的混频信号频率为 $w_1-w_2$ （下变频）或 $w_1+w_2$ （上变频），RF端接收将要进行变频的信号，LO端接收由本地振荡器产生的周期性波形信号，IF端口输出变频后的中频信号。

1.1、噪声系数

噪声系数定义为系统传输到输出端的总噪声资用功率与仅由有用信号输入所产生的噪声资用功率的比值，根据混频器具体用途的不同分为：

1、单边带噪声系数

输出端的中频噪声功率主要包含3部分

①、信号频率 $f_s$ 端口的信源热噪声是 $kT_0\Delta f$ ，它经过混频器变换为中频噪声输出，这部分输出噪声功率为：

$\frac{kT_0\Delta f}{\alpha _m}$

式中 $\Delta f$ 是中频放大器带宽， $\alpha _m$ 为变频器损耗， $T_0$ 是环境温度。

②、镜像频率处的热噪声与本振混频后落在中频频率上，热噪声是均匀频谱，因此这部分噪声功率也是 $\frac{kT_0\Delta f}{\alpha _m}$ 。

③、混频器内部损耗电阻热噪声及混频器电流的散弹噪声，还有本机振荡所携带相位噪声都会变成输出噪声，用 $P_{nd}$ 表示。

$P_{no}=kT_0\Delta f/\alpha_m + kT_0\Delta f/\alpha_m+P_{nd}$

将上式等效为混频器输出电阻在温度 $T_m$ 时产生的热噪声功率，即 $P_{no}=kT_m\Delta f$ ，称为混频器等效噪声温度，混频器噪声温度比即：

$t_m=\frac{P_{no}}{kT_0\Delta f}=\frac{T_m}{T_0}$

混频器单边带工作的噪声系数为：

$F_{SSB}={P_{no} \over P_{ns}}=\frac{kT_m\Delta f}{P_{ns}}$

$P_{ns}$ 是信号边带热噪声传到输出端的噪声功率，则单边带噪声系数为：

$F_{SSB}=\alpha_mt_m$

2、双边带噪声系数

在遥感探测等领域，接收信号存在两个边带，此时，上下两个边带都有噪声输入，因此

$F_{DSB}=\frac{1}{2}\alpha_mt_m$

由表达式可知，混频器单边带噪声系数比双边带噪声系数大一倍，即高出3dB。

为减小镜像噪声，有些混频器带有镜频回收滤波器或镜像抑制滤波器，因此在不做特别说明时，给出的噪声系数是单边带噪声，镜频回收或抑制混频器不宜用双边带信号接收，测量混频器噪声系数时，通常采用宽频带热噪声源，此时是双边带噪声系数。

1.2、变频损耗

混频器变频损耗定义为混频器输入端的射频信号功率与输出端中频功率之比，以dB为单位：

$\alpha_m(dB) = 10lg\frac{P_{IN}}{P_{IF}} = \alpha_\beta(dB) +\alpha_r(dB) +\alpha_g(dB)$

①、失配损耗 $\alpha_\beta$

取决于混频器射频输入和中频输出两个端口的匹配程度，若射频输入端口的电压驻波比为 $\rho_s$ ，中频输出端口的电压驻波比为 $\rho_i$ ，则失配损耗为

$\alpha_\rho(dB)=10lg\frac{(\rho_s+1)^2}{4\rho_s} +10lg\frac{(\rho_i+1)^2}{4\rho_i}$

②、混频二极管的管芯结损耗 $\alpha_r$

主要由电阻和电容引起，混频过程中只有加在非线性结电阻 $R_j$ 上的信号功率才参与频率变换， $R_s$ 和 $C_j$ 对 $R_j$ 的分压和旁路作用使功率被消耗一部分

$\alpha_r(dB) = 10lg(1+\frac{R_s}{R_j}+w_s^2C_j^2R_sR_j)(dB)$

调整本振功率，使 $R_j=1/w_sC_j$ ，获得最低结损耗

$\alpha_{rmin}(dB) = 10lg(1+2w_sC_jR_s)(dB)$

③、混频器的非线性电导净变频损耗 $\alpha_s$

取决于非线性器件中各谐波能量的分配关系，一般的肖特基势垒二极管，变频损耗不大。

1.3、动态范围

指混频器正常工作时的射频输入功率范围，动态范围下限通常指信号与噪声电平相比拟时的功率

$P_{min}=MkT_0(\alpha_mF_if)\Delta f_{if}$

若混频器 $\alpha_m=6dB$ ，中频放大器噪声系数 $F_{if}=1dB$ ，中频带宽 $\Delta f_{if}=5MHz$ ，要信号功率比热噪声电平高10倍，即M=10，此时动态范围下限为

$P_{min}=10*1.38*10^{-23}*300*(4*1.258)*(5*10^6)\approx -90(dBm)$

动态范围上限受输出中频功率饱和所限，一般平衡混频器动态范围上限为2~10dBm。

1.4、隔离度

指各个频率端口之间的隔离度，即信号与本振之间的隔离度、信号与中频之间的隔离度、本振与中频之间的隔离度，实际混频器总隔离度一般在15~20dB。

2、平衡混频器设计

2.1、参数

射频信号频率：4GHz
本振频率：3.8GHz
中频频率：200MHz
噪声系数：12dB
1dB压缩点：-5dBm

2.2 设计步骤

1、新建项目和原理图，通过ADS 【Design Guide】→【Passive Circuit】→【Passive Circuit Control Window】，点击图窗菜单栏中图标，打开【Microstrip Circuits】在原理图中添加控件和耦合器，采用0.508mm的RO4350B射频板材；