p沟道大电流mos管贴片_全MOS管技术参数自查手册！

MOS管，即金属(Metal)—氧化物(Oxide)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件；和普通双极型晶体管相比，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。

MOS管的种类及结构

MOS管是FET的一种(另一种为JFET结型场效应管)，主要有两种结构形式：N沟道型和P沟道型；又根据场效应原理的不同，分为耗尽型(当栅压为零时有较大漏极电流)和增强型(当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流)两种。因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。

图表1  MOS管的4种类型 每一个MOS管都提供有三个电极： Gate栅极(表示为“G”)、Source源极(表示为“S”)、Drain漏极(表示为“D”) 。接线时，对于N沟道的电源输入为D，输出为S；P沟道的电源输入为S，输出为D；且增强型、耗尽型的接法基本一样。

图表2  MOS管内部结构图

从结构图可发现，N沟道型场效应管的源极和漏极接在N型半导体上，而P沟道型场效应管的源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管输出电流由输入的电压(或称场电压)控制，其输入的电流极小或没有电流输入，使得该器件有很高的输入阻抗，这也是MOS管被称为场效应管的重要原因。 MOS管工作原理

• 1、N沟道增强型场效应管原理

N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出 电极(漏极D、源极S) ；在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G；P型半导体称为衬底，用符号B表示。由于栅极与其它电极之间是相互绝缘的，所以NMOS又被称为绝缘栅型场效应管。 当栅极G和源极S之间不加任何电压，即VGS=0时，于漏极和源极两个N+型区之间隔有P型衬底，相当于两个背靠背连接的PN结，它们之间的电阻高达1012Ω，即D、S之间不具备导电的沟道，所以无论在漏、源极之间加何种极性的电压，都不会产生漏极电流ID。 图表3  N沟道增强型MOS管结构示意图 当将衬底B与源极S短接，在栅极G和源极S之间加正电压，即VGS＞0时，如图表3(a)所示，则在栅极与衬底之间产生一个由栅极指向衬底的电场。在这个电场的作用下，P衬底表面附近的空穴受到排斥将向下方运动，电子受电场的吸引向衬底表面运动，与衬底表面的空穴复合，形成了一层耗尽层。 如果进一步提高VGS电压，使VGS达到某一电压VT时，P衬底表面层中空穴全部被排斥和耗尽，而自由电子大量地被吸引到表面层，由量变到质变，使表面层变成了自由电子为多子的N型层，称为“反型层”，如图表3(b)所示。 反型层将漏极D和源极S两个N+型区相连通，构成了漏、源极之间的N型导电沟道。把开始形成导电沟道所需的VGS值称为阈值电压或开启电压，用VGS(th)表示。显然，只有VGS＞VGS(th)时才有沟道，而且VGS越大，沟道越厚，沟道的导通电阻越小，导电能力越强；“增强型”一词也由此得来。 图表4  耗尽层与反型层产生的结构示意图 在VGS＞VGS(th)的条件下，如果在漏极D和源极S之间加上正电压VDS，导电沟道就会有电流流通。漏极电流由漏区流向源区，因为沟道有一定的电阻，所以沿着沟道产生电压降，使沟道各点的电位沿沟道由漏区到源区逐渐减小，靠近漏区一端的电压VGD最小，其值为VGD=VGS－VDS，相应的沟道最薄；靠近源区一端的电压最大，等于VGS，相应的沟道最厚。 这样就使得沟道厚度不再是均匀的，整个沟道呈倾斜状。随着VDS的增大，靠近漏区一端的沟道越来越薄。 当VDS增大到某一临界值，使VGD≤VGS(th)时，漏端的沟道消失，只剩下耗尽层，把这种情况称为沟道“预夹断”，如图表4(a)所示。继续增大VDS[即VDS＞VGS－VGS(th)]，夹断点向源极方向移动，如图表4(b)所示。 尽管夹断点在移动，但沟道区(源极S到夹断点)的电压降保持不变，仍等于VGS－VGS(th)。因此，VDS多余部分电压[VDS－(VGS－VGS(th))]全部降到夹断区上，在夹断区内形成较强的电场。这时电子沿沟道从源极流向夹断区，当电子到达夹断区边缘时，受夹断区强电场的作用，会很快的漂移到漏极。 图表5  预夹断及夹断区形成示意图

• 2、P沟道增强型场效应管原理

P沟道增强型MOS管因在N型衬底中生成P型反型层而得名，其通过光刻、扩散的方法或其他手段，在N型衬底(基片)上制作出两个掺杂的P区，分别引出电极(源极S和漏极D)，同时在漏极与源极之间的SiO2绝缘层上制作金属栅极G。其结构和工作原理与N沟道MOS管类似；只是使用的栅-源和漏-源电压极性与N沟道MOS管相反。 在正常工作时，P沟道增强型MOS管的衬底必须与源极相连，而漏极对源极的电压VDS应为负值，以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏，同时为了在衬底顶表面附近形成导电沟道，栅极对源极的电压也应为负。 图表6  P沟道增强型MOS管的结构示意图 当VDS=0时。在栅源之间加负电压比，由于绝缘层的存在，故没有电流，