STM32第十八课（FSMC，SRAM，HAL）

XM8A51216 的 A[0:18]并不是按顺序连接 STM32F4 的 FMSC_A[0:18]，不过这并不影响我们正常使用外部 SRAM，因为地址具有唯一性。
这样设计的好处，就是可以方便我们的 PCB 布线。
使用 FSMC 的 BANK1 的sector3 来控制 XM8A51216，
因为 XM8A51216 的读写时间基本一致，所以，我们设置读写相同的时序来访问 FSMC。

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使能 FSMC 时钟，并配置 FSMC 相关的 IO 及其时钟使能。
使用 FSMC，当然首先得开启其时钟。
使能 FSMC 时钟的方法为：

__HAL_RCC_FSMC_CLK_ENABLE();

配置 IO 口为复用输出的关键行代码为：

GPIO_Initure.Mode=GPIO_MODE_AF_PP; //推挽复用
GPIO_Initure.Alternate=GPIO_AF12_FSMC; //复用为 FSMC

设置 FSMC BANK1 区域 3 的相关寄存器。
使用模式 A、16 位宽，读写共用一个时序寄存器。 这个是通过调用函数 HAL_SRAM_Init 来实现的，函数原型为：

HAL_StatusTypeDef HAL_SRAM_Init(SRAM_HandleTypeDef *hsram,
FMC_NORSRAM_TimingTypeDef *Timing, FMC_NORSRAM_TimingTypeDef *ExtTiming)

使用的是 BANK1 的区域 3，所以 HADDR[27:26]=10，故外部内存的首地址为0X68000000。

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FSMC 固 件 库 文 件 stm32f4xx_fsmc.c 和stm32f4xx_fsmc.h 文件。

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实战，
在cubemx中，配置sram。
选择bank1的第二个chip，
选择NE3，
设置addr 为 19bits，
设置datawidth为16bits，
设置wait 为disable,
选择byte enable，

设置write operation为enable，
设置extended 为 disable，
设置addr setup为 2个Hclk,
设置data setup为 3个Hck，
设置bus turn around 为 0个Hclk.

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需要编写自建实用库，

void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8 *pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
{
	for(;n!=0;n--)
	{
		*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;
		WriteAddr++;
		pBuffer++;
	}
}

void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8 *pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
{
	for(;n!=0;n--)
	{
		*pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);
		ReadAddr++;
	}
}

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在main中添加任务代码

		u32 testsram[2048] __attribute__((at(0X68000000)));//测试用数组
		sram_temp_wr = 0xabcd;
        FSMC_SRAM_WriteBuffer((u8*)&sram_temp_wr, (u32)0x00000004,2);
        FSMC_SRAM_ReadBuffer((u8*)&sram_temp_rd, (u32)0x00000004,2);
        LCD_ShowxNum(130,200,sram_temp_wr,6,32,0);
        LCD_ShowxNum(130,240,sram_temp_rd,6,32,0);
		
		LCD_ShowxNum(130,280,testsram[1],16,32,0);

这里，使用了一个GUN C的扩展特性，就是
attribute-at，

__attribute__((at(0X68000000)))

编译时，为变量或者数组指定分配的基地址。
在这里，我们为数组指定基地址，明确表示，
当我们对该数组读写时，读写操作发生在base 为 0x68000000的地址段，
也就是说，是位于SRAM之中。

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