SOI MOSFET工艺介绍

1、体硅MOS晶体管的体区和衬底连通，通过衬底引出MOS管的体区；

2、SOI材料的衬底电位不是SOI MOSFET的体电位，SOI MOSFET的体区和衬底隔离，体电位浮空时会起浮体效应，为避免浮体效应可设计体区的引出端，固定体区电位；SOI MOSFET衬底和沟道之间是埋氧化层，衬底相对沟道区也相当于一个MOS结构，因此把SOI MOSFET的衬底叫做背栅，SOI MOSFET是五端器件：栅、源、漏、体和衬底五端。

3、体硅MOSFET中不存在背栅，厚膜SOI MOSFET中背栅基本不影响正栅的作用，而在薄膜SOI MOSFET中有较强的正、背栅耦合作用，器件性能同时受正、背栅电压影响。薄膜SOI MOSFET可以通过减薄硅膜厚度抑制短沟道效应，获得接近理想的亚阈值斜率。另外，对于硅膜很薄的器件，可以使整个硅膜内全部反型、使载流子迁移率增大，提高器件的跨导。

来自知乎《SOI CMOS结构和工艺》作者：超级奶爸