重拾模电--Day1

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1、本征半导体
1.1 本征激发
　　不参杂的硅元素(Si)、锗(Ge)称为本征半导体，其价电子不导电，自由电子导电。价电子不会永远束缚在共价键中，热运动会使价电子逃逸，产生自由电子。那么，价电子逃逸后，就会留下一个空穴，这个过程称为本征激发。
1.2载流子
　　此时，自由电子导电，不过自由电子比较少。那么，空穴导电吗？空穴类似于正电荷，对其他的价电子具有吸引力，当空穴被价电子填补后，会产生另外一个空穴，以此类推，依次填补的过程造成了空穴的相对移动，所以空穴也是一种载流子也可以导电。所以，在本征半导体中存在两种载流子，一种是自由电子，另外一种是空穴。本征激发越多，导电能力越好。本征激发时，自由电子的无向运动，可能会恰好运动至空穴，此时自由电子会重新构成价电子，这个过程称为复合。本征激发和复合的速度以及温度决定了，载流子的浓度。载流子的浓度（单位面积或体积中的粒子数目）决定了半导体的导电能力。载流子的浓度又与何相关呢？当本征激发的速度与复合的速度相同时，浓度保持不变，温度升高时，载流子的数目增加，那么复合的速度也会随之加快。然而，本征半导体的自由电子数目很少，即使加热也不会有太多的自由电子产生。那么，如何提高本征半导体的导电性呢？在本征半导体中添加少量的杂志元素，产生杂质半导体（N型半导体和P型半导体）。
2、杂质半导体
2.1 N型半导体（Negative）
　　在本征半导体中掺入少量的磷元素Ｐ，少量的目的是为了不破坏原有的晶体结构。本征半导体的共价键有4个即有4个电子，而P确有5个电子，此时就会有多余的电子成为自由电子，那么发生本征激发时，自由电子的数目要远多于空穴，此时自由电子为多子（数目多的粒子），空穴是少子。此时，该半导体的导电的载流子是自由电子，带负电，因此称之为N型半导体。
　　由于本身的多子为自由电子，所以温度对N型半导体的影响很少，甚至没有影响。而少子本身的基数较少，受温度的影响较大。
　　带负电的自由电子远远多于带正电的空穴，那么N型半导体带负电？上述的P原子为N型半导体贡献了一个电子，那么此时的原子核是带正电的，但是由于晶体结构的稳定性，带正电的P原子核并不会产生运动。电流是自由电子的定向移动，离子结构稳定不受电场力的影响，无法形成电流。
2.2 P型半导体（Positive）
　　与Ｎ型半导体相反，Ｐ型半导体顾名思义带正电，因此空穴为多数载流子。那么掺入的元素电子应少于４个，所以掺入３价的硼元素（Ｂ）。
（问题：为什么不参杂6价元素呢？？？）
3、PN结
3.1 PN结的形成

　　上图(a)中，左边为带正电的P型半导体，右边为带负电的N型半导体。作为多子的空穴以及自由电子由于左右浓度不同会产生由浓度高到浓度低的方向进行扩撒运动，这个过程将会使电子和空穴中和，两边多子耗尽。
3.2 PN结的单向导电性

　　外加正向电压，Ｐ区接电源的正极，Ｎ区接电源的负极。此时，外电场与内电场相反，外电场削弱了内电场，扩撒运动得以恢复，电流迅速增大。图中Ｒ为限流电阻，防止电流升的太快烧毁PN结。

　　当PN结接反向电压时，耗尽层变宽，PN结截止。此时，没有扩撒运动，虽然会增强少子的漂移运动产生的电流，但几乎可以忽略。