模电专题-PN结

最新推荐文章于 2024-05-09 03:03:38 发布

南山维拉

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分类专栏：模拟电子文章标签：模拟电子

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这是一次补基础。
在分析三极管工作特性时，如果不了解一些基本概念其实是很不好理解的，每次都要翻模电书，索性来一次总结吧。从这篇文章开始，后面会陆续介绍包括三极管以及MOS管在实际应用中的一些关键问题。
不得不面对的一些概念：

半导体

半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间。常见的半导体材料如硅（Si）、锗（Ge）。以硅为例
下图是硅原子组成的硅半导体晶体结构，红圈圈出来的就是一个硅原子，可以看出，硅原子是由一个+4价的正离子，和外围的4个电子组成的，外围的4个电子称为 价电子（半导体的导电性就与这里的价电子有关系，因此价电子是我们要研究的主要对象）。
每个硅原子之间通过共价键连接，紧密排列，图中看到的是一个二维平面的晶体结构图，但实际上这个是一个三维立体的。
从图中还可以得到一个信息，这个是“本征半导体”。本征的是说这个半导体晶体是一种完全纯净的（99.999%），结构完整的晶体。
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本征激发

原子形成的晶体结构，在正常情况下是稳定的，所以它也是无法导电的。但是半导体，它总归是要导电的，怎么才能导电呢？
我们看到下图，引入了空穴和自由电子的概念。

这里的自由电子就是原来原子外部围绕着的电子，在半导体材料受到了热能的激发后，自由电子脱离了共价键的束缚，所以叫自由电子。在电子离开原先位置的同时，它原来的位置就空了，这就形成了这里的空穴（空穴的出现是半导体区别于导体的重要特点）。可以理解为，一个电子跑掉了，对应位置就成了空穴。由于共价键出现了空位，在外加电场作用下，邻近价电子就可以填补到这个空位上，而在这个价电子原来的位置上就留下了新的空穴，以后其他电子又可以到这个新的空穴上。这样就使共价键出现一定的电荷迁移。所以，在本征半导体中，共价键中空穴或束缚电子移动产生电流的根本原因是共价键中出现空穴引起的。只有当共价键中出现了空穴以后它才开始导电。电子带负电，空穴带正电。
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复合

和本征激发对应的，是复合。复合即自由电子和空穴结合的过程。需要注意的是，激发和复合最终会达到一个动态平衡。

杂质半导体

在本征半导体中掺入微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著的改变。根据掺入的杂质性质不同，杂质半导体可以分为空穴（P）型半导体和电子（N）型半导体两大类。

N型半导体

所谓的N是Negtive，在硅晶体中掺入5价的磷（P）,磷原子是带5个外围电子的，加入到硅晶体结构中，在与硅形成共价键的同时，会多出一个自由电子，这样半导体结构中就多了一个自由电子，磷这种能提供自由电子的叫施主原子。自由电子移动后，在原来施主原子的位置上留下一个固定的、不能移动的正离子，单半导体仍然保持中性。
在产生自由电子的同时，不会产生空穴，所以最终在掺入施主原子之后，整个的半导体中会有多余的自由电子，就叫电子型半导体，或N型半导体。其中电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
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P型半导体

P即是Positive。P型半导体中掺入的是三价硼，硼只有三个价电子，因此在与硅形成共价键时，会夺取一个电子，导致晶体中产生一个空穴。像硼这种接收自由电子的叫受主杂质。
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PN结

真正发生奇迹的是将P型半导体和N型半导体拼到一起。
在两种杂质半导体的交界面上，两侧的多数载流子会发生扩散（由高浓度区向低浓度区扩散），也就是说，P区的空穴会往N区跑，相反，N区的自由电子会往P区跑。这样一来，交界处的空穴和自由电子会开始复合，在中间消失殆尽。然后就会形成一个空间电荷区（方向由N区指向P区），这个空间电荷区就叫做PN结，也叫耗尽层。产生的空间电荷区会阻止多数载流子的扩散。
需要注意的在P区除了多子空穴外，还有少子自由电子；N区除了多子电子外，还有少子空穴。所以这个空间电荷区对这两个区域的少子有牵引力，这个就形成了少子的漂移运动（由电场作用引起的运动）。
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PN结加正向电压

如下图所示，在P区一端加正电压称为正向电压。注意看，此正向电压产生的电场是用来削弱PN结的内电场的。当V从0开始慢慢增加时，一开始外加电场还不足以抵消内电场，此时整个电路不会导通，这个过程叫死区。当外电场大于内电场后，P区和N区的载流子没有阻碍了，开始往对向奔跑，此时电流与电压呈指数关系变化，电流有一个很大的值，所以为了限制这个电流值，电路中加了电阻R。所有一般在二极管导通的电路中，如发光二极管，都需要加一个限流电阻。
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PN结加反向电压

当PN结加反向电压时，外电场和内电场叠加产生的电场使得空间电场区越来越宽，对多子的阻碍作用更强，此时电路中没有电流，这就是PN结的单向导电性。但是这种情况下，P区和N区的少子的漂移运动会增强，产生电流，这个电流就是反向饱和电流，但是这个电流值是很小的，毕竟是少子产生的嘛。需要注意的是，这个电流对温度特别敏感，受温度的影响比较大。
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