本征半导体的导电机制空穴的概念

引言引言

已于 2023-04-14 16:47:34 修改

阅读量2.6k

点赞数 2

分类专栏：半导体物理文章标签：制造

于 2022-09-22 22:20:38 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/m0_52555753/article/details/127000596

版权

半导体物理专栏收录该内容

24 篇文章 23 订阅

订阅专栏

回顾：

本征半导体的导电机制空穴的概念

回顾：

$\frac{1}{m_n^*}=\frac{1}{h^2}\frac{d^2E}{dk^2}$

电子的E~K的关系都和原先的自由电子一样，我们用有效质量这一项来替换原先的惯性质量

本征半导体的导电机制空穴的概念

先介绍空穴的概念

半导体的能带在T=0的时候，价带是个满带，价带之上是禁带，再往上是导带，在绝对0k的时候，价带是满带，（满带电子不导电没有改变能量状态也没有改变布里渊区的分布状态）

价带成了半满之后，剩余的大量电子就参与导电了，对于跃迁到导带的电子，导带里的电子也会参与导电，所以半导体不是在0K的情况下，由于有本征激发的存在，这两部分电子共同对电流有贡献，因为都是半满带当中的电子，价带中剩余的电子是大量的，所以用电子不太方便，价带中大量电子导电对电流所作的贡献，用空的能量状态来等效描述

我们想要通过少量空穴来等效描述对电流的贡献（原因：讨论问题就会简单的多）

一说电子导电就是导带，空穴导电就是价带，后续讨论原理以及现象会比较简单，对于价带中有某一个K状态的电子跃迁以后的情况，跃迁到导带，电子获得能量应该是能量最高的那些，价带中一个电子跃迁走了，

在外电场作用下，电子受力会运动，电子就会逆着电场运动，最左端的电子会从第一布里渊区的左边界补充进来

对于电子，电子的运动从右向左运动

波矢K的变化；A->B,电子和空穴的变化是一致的，对于上面这个情况波矢是K的电子，在电场的作用下，假设价带当中剩下的这些电子，K为空的电子，价带当中，这个时候电子总电流为J，J就是价带当中电子离开，剩下电子的总电流称为J

设想将一个电子，给它天道这个空态，填入的这个电子在外电称E的作用下，填进去的电子，运动所产生的电流等于电子的电荷量（-q）再乘以该状态下电子的速度V（K），即-q*v(k)，这就是填进去的电子在外电场作用下所产生的电流，满带电子不导电，所以价带中剩下电子的电流J加上此时的电流（-q）*v(k)=0，所以 $J=+q*v(K)$

价带中如果有一个电子跃迁走了，那么对电流的贡献就等于正q电荷的贡献

空穴是一个等效的概念，是对电流概念的等效描述，哪些地方等效呢?

（1）空穴带有与电子电荷量大小相等但符合相反的正q电荷

（2）空穴的共有化运动速度，就是价带顶附近电子的共有化运动速度

（3）空穴的有效质量是一个正常数， $m_p^*$ 其值于价带顶附近空态中电子的有效质量 $m_n^*$ 大小相等，符号相反，也就是 $m_p^*=-m_n^*$ ,所以我们说对半导体性能有贡献的电子，都在能带的极值点附近，我们就把晶体中的E~K关系，我们把它在极值附近用泰勒级数展开

真正对半导体由贡献的电子：价带顶的电子（能够跃迁的电子）

我们分别对导带底和价带顶进行泰勒展开， $E(K)-E_{c}=\frac{h^2k^2}{2m_n^*}$ , $E(K)-E_{v}=\frac{h^2k^2}{2m_n^*}$ ,等效质量不是一个东西，一个大于0，一个小于0，引入空穴之后，我们就可以用空穴的有效质量来描述，电子的运动从A到B到C到D，对于电子来说，电子的加速度，斜率越来越大，表明加速度是正的， $a=\frac{f}{m_n^*}=\frac{-qE}{m_n^*}$ ,对于价带顶有校质量小于0，所以a大于0，因此速度越来越大

你现在在看空穴，少量的空穴来描述电子对电流的贡献， $a=\frac{+qE}{-m_n^*}=\frac{qE}{m_p^*}>0$

4.显然我们说如果不止一个电子呢，所以说有一个浓度的问题，空穴的浓度，就是价带顶附近空态的浓度，有n个空态，假想填入n个电子，这些电子产生的电流累计求和一下，这样子我们就得到了所谓的空穴的浓度，就是空态的浓度

空穴和有效质量的概念是半导体中电子的复杂问题的等效描述，半导体当中没有带正电荷的空穴，引入了他们以后，使得研究半导体现象的机理更加容易简单，把复杂问题简单化

本征半导体是指纯净的没有缺陷的半导体

价带上面是禁带，禁带上面是倒导带，看起来在半导体中，对半导体有贡献的电子，位于价带顶，导带底，下面的电子没有机会跃迁到导带,所以可以简化的化成两个能级（本征激发,价带电子获得能量跃迁到导带），所以在本征激发当中，电子和空穴是成对出现的，电子和空穴是成对出现的，在本征半导体里面，只有这么一个唯一的渠道，电子和空穴是一样多的

电子和空穴在数量上一样，对电流的贡献基本相同（取决于电荷的数量和电荷的运动能力）

本征半导体的导电机构：电子和空穴同时参与，并且以扩散和/或漂移的方式运动

通常把荷载电流的粒子，半导体当中是电子和空穴，统称为载流子