对于SOC的重要组成成分，电源管理的性能好坏往往会决定了提供SOC的电源好坏，那么作为电源管理的一类重要电路，对LDO往往会具有较高的抑制纹波的能力要求，因为在现实中，电源的能量供给往往会带有好多的噪声和纹波，那么如何加强LDO的纹波抑制能力将会很重要，首先，要对PSRR进行深入的理解，单凭一篇文章是不可能说清楚的，所以，本文只是在LDO这一结构上去分析加强电源纹波抑制能力的想法。
WAY ONE：叠加功率管
叠加功率管的想法其实很简单，如下图所示：
通过这幅图，可以很明显的看出，电源的纹波在加入了多个功率管的时候，就会出现了纹波分流的情况，如图假设
R
i
p
p
l
e
=
R
i
p
p
l
e
1
+
R
i
p
p
l
e
2
Ripple=Ripple_{1}+Ripple_{2}
Ripple=Ripple1+Ripple2，那么从左图可以看出，流经输出端的纹波为电源输出的纹波，但是在叠加了功率管后，显然会将流出电源的纹波分流后输出，显然纹波逐渐减少，那么这样会显然减少纹波的输出，但是以这种方法提高纹波抑制比会显然增加静态功率，同时，功率管的大尺寸也会带来不可避免的寄生电容和增加SOC的面积，显然这种方法存在缺点。
WAY TWO：引入纹波：
什么叫引入纹波，首先，我们知道在LDO中，功率管为PMOS管，根据LDO的结果，功率管的源级连在VDD，存在纹波，如果输入栅极的纹波和源级的纹波相同，则会相互抵消，PSRR因此得到改善，主要的公式如下：
V
s
g
=
V
D
D
+
R
i
p
p
l
e
−
(
V
g
+
R
i
p
p
l
e
x
)
V_{sg}=V_{DD}+Ripple-(V_{g}+Ripplex)
Vsg=VDD+Ripple−(Vg+Ripplex)
假设Ripple和Ripplex相同，因此得到的输出电流为：
I
D
=
1
2
u
n
C
o
x
W
L
(
V
s
g
−
V
t
h
)
2
=
1
2
u
n
C
o
x
W
L
(
V
D
D
+
R
i
p
p
l
e
−
(
V
g
+
R
i
p
p
l
e
x
)
−
V
t
h
)
2
I_{D}=\frac{1}{2}u_{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{sg}-V_{th})^2=\frac{1}{2}u_{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{DD}+Ripple-(V_{g}+Ripplex)-V_{th})^2
ID=21unCoxLW(Vsg−Vth)2=21unCoxLW(VDD+Ripple−(Vg+Ripplex)−Vth)2
通过PMOS管的特性也可以把纹波减少，与此同时，由于沟道长度调制以及寄生电容
C
d
s
C_{ds}
Cds的存在也会将纹波输出到输出端，那么在设置的时候往往需要增加栅极的纹波，才能最大限度的抵消源级的纹波，这也是一种比较好的方法。
PSRR的改善还可以通过带宽的完善等等好多方法，所以PSRR是LDO研究的热门之一。
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