一、两类典型的 金属-半导体结
(1)肖特基结(SBD):此时半导体参杂浓度较低,具有单相导电性能,与PN结类似;
(2)欧姆接触:当半导体参杂浓度很高时,无论是加正向电压还是反向电压,电流随电压快速增加,理想时呈线性关系,且电阻很小。半导体与金属接触时,多会形成势垒层,但当半导体掺杂浓度很高时,电子可借隧道效应穿过势垒,从而形成低阻值的欧姆接触。
二、PIN二极管
下图是PN结和PIN二极管:
上图参考北方工业大学-刘丛伟老师的《功率半导体器件与应用》PPT课件。
三、肖特基二极管
肖特基二极管是单极器件, 这意味着只有一种类型的载流子参与电流输运。金属与n- 之间形成肖特基结,金属与n+ 之间形成欧姆接触。
四、二极管关断反向恢复特性
《功率半导体器件与应用》
五、功率MOSFET结构
上图参考《功率半导体器件——原理、特性和可靠性.pdf by 功率半导体器件——原理、特性和可靠性》第九章 绘制:
六、IGBT结构
IGBT本身没有体二极管,那个二极管是在工艺过程中另外添加的。根据第四小节MOSFET的内容,很容易得出IGBT的电流流通路径,及两个pnp和npn三极管的结构,不再赘述。
上图参考《功率半导体器件——原理、特性和可靠性.pdf by 功率半导体器件——原理、特性和可靠性》第十章。
七、驱动功率计算
上述链接1.3节:栅极驱动功率
干货 | 米勒效应杂谈-电子头条-EEWORLD电子工程世界http://news.eeworld.com.cn/mp/EEWorld/a19992.jspx
CONCEPT AN-1001 英文版本链接如下:下图附上中文。(中文的翻译有地方有歧义,以英文版为主)。
八、MOSFET开通关断过程分析
九、损耗分析
十、MOSFET振铃与米勒平台相关问题
MOSFET的跨导:开关状态有,静态时没有:如何理解MOSFET的跨导gm? - 知乎
John Milton Miller 发现这个效应,所以称米勒效应:
《功率MOSFET的寄生震荡和振铃》
由Vds引起Vgs震荡。增加Rg可以减小di/dt,从而减小漏感产生的电压,从而减小门级驱动震荡。