MOSFET：结温Tj(junction)与封装外壳表面温度Tc(case)

 一、定义：

 

 

二、下面以IPL60R060CFD7参数说明：

 

 

 当测试Thermal时，已经从测试Thermal设备中读出case温度Tc，上图datasheet中给出的Tj到case的热阻为0.57°c/W，所以只需要算出该MOS消耗的功率P【驱动功率+开关损耗+导通损耗；应当远小于器件手册中给出的耗散功率Power dissipation】，就可以利用公式Tj= Tc+P*Tthjc 得到大致的结温Tj。

三、参考文献：https://blog.csdn.net/chenhuanqiangnihao/article/details/112554161