- 博客(18)
- 收藏
- 关注
RSS订阅原创 关于芯片功耗那些事（十二）
接着聊， memory 或者I/O cell 由GDS 转DEF 的话题，前面聊了较为粗糙的建模和抽取；这里说说 第三种，包含更多细节的Memory 或I/O 的modeling，包括哪些喃？-首先还是包括了 Memory cell 的 P/G grid ；- 以及 电流源和等效的电容，也有对应的物理分布和位置信息；这样就可以较为准确考虑在memory内部的电流走向-这也就能看到memory 周边的逻辑电路被memory 的动态翻转时如何影响IR 的了；落脚到Rehawk， "gds
2022-05-31 18:55:00
1954
原创 关于芯片功耗那些事（十一）
Redhawk 的 tech file 前面几期聊得差不多了，后面找机会再深入一点；开始聊聊redhawk flow 里面需要的第二种文件: GDS2DEF.Redhawk 流程输入里面需要如下design 相关的文件：1） Tech lef2） Standard cell 的lef3） 各种macro 的 lef， 例如I/O, Memory， PLL等；4）Top cell 的 DEF， block 的DEF；5） gds2def前面3种文件的来源从foundry 和li
2022-05-31 18:39:32
2099
原创 关于芯片功耗那些事（八）
之前谈了Redhawk 所用的tech file 中metal的电阻的估算方法，和Redhawk 所报的电阻比较了一番；那么对metal 之间的通孔，也蛮好奇的，通孔的电阻根据Tech file如何估算的喃?首选在redhawk中选中VIA56， 如图: 所选中的VIA56 的net为 VSS, size 0.36x0.36um； 一个单个的VIA56电阻为 0.0606ohm； 第二张图实现，2x2, cut number 4, 相当于4个via resistance 并
2022-05-24 11:24:48
835
1
空空如也
空空如也
TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹
TA关注的人