Infineon SiC 产品线概览

最新推荐文章于 2023-11-12 12:16:38 发布

Jimmy想站着把钱挣了

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分类专栏：电力电子

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CoolSiC™解决方案通过结合快速的硅基开关与SiC二极管，实现产品设计的革新，提供最佳的系统成本性能比。SiC器件的应用使变换器体积减小至原来的1/3，重量降至25%，同时具备低设备电容、温度独立开关损耗、内置低反向恢复电荷二极管等特性。SiC肖特基二极管相比传统Si材料二极管，在耐压等级上实现了显著提升，最高可达1700V。产品组合将扩展至不同拓扑，如Sixpack和Halfbridge，覆盖从2kW至200kW的功率范围。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

CoolSiC™ – Revolution to rely on
SiC solutions enabling radical new product designs with best system cost-performance ratio

SiC器件特性和优势

The combination of a fast silicon based switch with a SiC diode – is oft en termed a “hybrid” solution.
用SiC器件的变换器，体积可以降低到1/3，重量可以降低到原来的25%
Low device capacitances
Temperature independent switching losses（如何理解不受温度影响的开关损耗）
Intrinsic diode with low reverse recovery charge
Threshold-free on-state characteristics
Superior gate oxide reliability
Best in class switching and conduction losses
IGBT compatible driving (+15 V)
Threshold voltage, $V_{th}$ > 4 V
Short-circuit robustness
Highest efficiency for reduced cooling effort
The products portfolio will be extended within the next years. The first step is a roll-out of different topologies like Sixpack and Halfbridge covering a power range from 2kW until 200kW. 产品组合将在未来几年内扩展。第一步是推出各种拓扑，例如Sixpack和Halfbridge，覆盖从2kW到200kW的功率范围。

现有MOSFET产品

SiC MOSFET 单管和模块

注意封装的命名对应关系
TO-xxx : TO — transistor outline
在这里插入图片描述

驱动芯片产品

在这里插入图片描述

命名规则

单管
模块

SiC Schottky diodes G5

SiC材料对于Schottky 二极管的性能提升是巨大的。传统的基于Si材料的schottky二极管耐压只能达到100~150V，这一点可以从infineon的官网产品中看出，其最高耐压等级为70V。而用碳化硅材料的肖特基二极管耐压等级可以到1700V，天差地别。
肖特基二极管有什么好处呢？fast switching