ST的L9963E的BMS控制芯片相关说明

框图解释

这是一个典型的电池管理系统（BMS）的框图，展示了系统的各个主要功能模块和连接方式。

1. 电源模块：

   • VDIG：数字电源，用于供给数字逻辑电路。
   • VANA：模拟电源，用于供给模拟电路部分。
   • VCOM：用于通信接口的稳压电源。
   • VTREF：提供精确的模拟参考电压，用于驱动多个NTC（负温度系数热敏电阻）。

2. 电流传感：

   • CSA：电流检测放大器，用于测量电流。

3. ADC：模拟到数字转换器，将模拟信号转换为数字信号以供后续处理。

4. 数字控制和数据寄存器：负责系统的数据处理和控制。

5. 通信模块：

   • ISO：隔离的串行通信端口。
   • SPI：串行外设接口，用于与外部设备通信。
   • GPIO：通用输入输出端口，支持多种功能，如传感和通信。

6. 诊断模块（DIAG）：用于系统的自诊断和故障检测。

图 2：电芯监控和内部均衡

图中展示了使用L9963E芯片进行电芯监控和内部均衡的电路设计。

1. 电路连接：

   • RLPF：低通滤波器电阻，用于去除噪声。
   • CLPF：低通滤波器电容，用于去除噪声。
   • RDIS：均衡电阻，用于消耗电芯电量，实现电芯电压平衡。

2. 重要说明：

   • Force lines：用于均衡的强制线，建议尽可能靠近电芯连接处，以减少电压损失。
   • Sense lines：用于电压测量的感测线，建议远离噪声源。

3：电芯监控和外部均衡

此图展示了使用L9963E芯片进行电芯监控和外部均衡的电路设计，外部均衡采用混合的NMOS和PMOS晶体管。

1. 电路连接：

   • RLPF：低通滤波器电阻，用于去除噪声。
   • CLPF：低通滤波器电容，用于去除噪声。
   • RDIS：均衡电阻，用于消耗电芯电量，实现电芯电压平衡。
   • RDRV：驱动电阻，用于控制外部晶体管。

2. 重要说明：

   • Force lines：用于均衡的强制线，建议尽可能靠近电芯连接处，以减少电压损失。
   • Sense lines：用于电压测量的感测线，建议远离噪声源。

各引脚功能解释

下表列出了各引脚的功能、描述和类型。

引脚号	引脚名	描述	I/O 类型
5	VCOM	通信接口的稳压电源。建议连接一个储能电容。可以用来供给外部负载。	P
6	CGND	通信地。建议连接到顶部的DGND。	G
7	ISOHp	非反向的高侧隔离串行通信端口。	AIO
8	ISOHm	反向的高侧隔离串行通信端口。	AIO
9	DGND	数字地。建议连接到顶部的AGND。	G
10	GPIO1_FAULTH	用于FAULTH接收的数字输入。	DI
11	GPIO2_FAULTL	用于FAULTL传输的数字输出。	DO
12	GPIO3	通用I/O口。通常用于检测NTC。	AI/DI/DO
13	GPIO4	通用I/O口。	AI/DI/DO
14	GPIO5	通用I/O口。	AI/DI/DO
15	GPIO6	通用I/O口。	AI/DI/DO
16	GPIO7_WAKEUP	通用I/O口。通常用于检测NTC，也可以配置为唤醒输入。	AI/DI/DO
17	NPNDRV	内部稳压控制器输出。连接到外部NPN晶体管的基极。	AO
18	VREG	核心电路的稳压模拟电源。建议连接一个储能电容。	P
19	VTREF	精确的模拟参考电压，用于驱动多个NTC。建议连接一个储能电容。	P
20	SPIEN	首次上电时采样该引脚以确定端口L配置。	DI
21	VANA	精确的ADC模拟电源。建议连接一个储能电容。	P
22	AGND	模拟/ESD地。芯片的地供应。	G
23	ISENSEp	电流测量的非反向输入。建议参考储能电容的配置。	AI
24	ISENSEm	电流测量的反向输入。建议参考储能电容的配置。	AI
25	GNDREF	模拟/参考地。建议连接到顶部的AGND。	G
26	C0	连接到第一个电芯的负极。	AI
27	C1	电芯电压输入。连接到第一个电芯的正极。	AI
28	S1	第一个电芯的均衡FET控制输出。	AO
29	B2_1	电芯均衡S1和S2的公共端。	AO
30	S2	第二个电芯的均衡FET控制输出。	AO
31	C2	电芯电压输入。连接到第二个电芯的正极。	AI
32	C3	电芯电压输入。连接到第三个电芯的正极。	AI
33	S3	第三个电芯的均衡FET控制输出。	AO
34	B4_3	电芯均衡S3和S4的公共端。	AO
35	S4	第四个电芯的均衡FET控制输出。	AO

参考内容的中文解释

• 图1展示了一个电池管理系统的框图，详细说明了各个模块和连接方式。
• 图2展示了使用L9963E芯片进行电芯监控和均衡的电路设计。
• 各引脚的功能和连接建议分别给出了详细描述。

电池均衡的原理和打开MOS放电的实现

电池均衡是指在电池组中，通过控制电池电量的平衡来延长电池组的寿命和提高其使用效率。均衡的基本原理是在电池充放电过程中，通过电路和控制策略使每个电池单元的电压和容量保持一致，从而避免因个别电池单元过度充电或放电而引起的损坏。

均衡主要分为主动均衡和被动均衡。在此，我们主要讨论被动均衡，即通过放电电阻来消耗多余电量的均衡方法。

被动均衡的原理

被动均衡主要是通过在每个电池单元两端并联一个放电电阻，然后通过控制MOSFET（场效应晶体管）的导通来实现放电。

• 均衡电阻：并联在电池单元两端，用来消耗电池电量。
• MOSFET：作为开关，控制均衡电阻的导通和断开。

MOSFET的作用与控制

MOSFET是一种电子开关，可以通过施加电压控制其导通与断开。通常，MOSFET有三端：栅极（Gate，G）、源极（Source，S）和漏极（Drain，D）。

• 当栅极电压大于源极电压（对N型MOSFET）时，MOSFET导通，允许电流通过漏极和源极之间。
• 当栅极电压小于源极电压时，MOSFET关断，阻止电流通过。

被动均衡电路举例说明

以下是一个简化的被动均衡电路示意图，以说明如何通过MOSFET控制放电：

电路示意图

  Vbat
   |
   +------ R_balance -----------+
   |                            |
  MOSFET                       C_battery
   |                            |
  Ground                      Ground

• Vbat：电池电压
• R_balance：均衡电阻
• MOSFET：控制均衡电阻的导通和断开
• C_battery：电池单元

打开MOSFET进行放电的步骤

1. 检测电池电压：

   • 使用ADC（模拟数字转换器）测量每个电池单元的电压。

2. 判断是否需要均衡：

   • 比较电池单元的电压，如果某个电池单元的电压高于设定的均衡阈值，就需要对该电池进行均衡。

3. 控制MOSFET：

   • 对需要均衡的电池单元，向MOSFET的栅极施加电压，使其导通。
   • MOSFET导通后，均衡电阻R_balance与电池单元C_battery并联，形成一个放电回路。

4. 放电过程：

   • 由于R_balance是一个固定电阻，当MOSFET导通时，电池电量会通过R_balance放电，直到电池电压降至设定的阈值以下。
   • 放电电流 ( I ) 可以通过欧姆定律计算：

5. 停止均衡：

   • 当电池电压达到期望值后，停止向MOSFET的栅极施加电压，MOSFET关断，均衡电阻R_balance不再消耗电池电量。

具体电路的示例与说明

：内部均衡电路

内部均衡电路中，MOSFET开关集成在芯片内部。

• RLPF：用于去除噪声的低通滤波器电阻。
• CLPF：用于去除噪声的低通滤波器电容。
• RDIS：均衡电阻，用于消耗多余电量。
• L9963E：控制芯片，负责检测电池电压并控制MOSFET。

电路工作原理：

1. 当需要均衡时，L9963E芯片控制内部的MOSFET导通。
2. 均衡电阻RDIS接入电池两端，电池通过RDIS放电。
3. 当电池电压降到目标电压时，L9963E芯片控制MOSFET关断，停止放电。

：外部均衡电路

外部均衡电路中，MOSFET开关和均衡电阻外部连接。

• RLPF：用于去除噪声的低通滤波器电阻。
• CLPF：用于去除噪声的低通滤波器电容。
• RDIS：均衡电阻，用于消耗多余电量。
• RDRV：驱动电阻，用于控制外部晶体管。
• MP和MN：分别代表PMOS和NMOS晶体管，分别用于控制放电和均衡。

电路工作原理：

1. 当需要均衡时，L9963E芯片通过驱动电阻RDRV控制外部的NMOS或PMOS导通。
2. 均衡电阻RDIS接入电池两端，电池通过RDIS放电。
3. 当电池电压降到目标电压时，L9963E芯片控制外部MOSFET关断，停止放电。

总结

被动均衡通过控制MOSFET的导通与断开，来实现对高电压电池单元的放电，从而将其电压降低至一致的水平。均衡电阻负责消耗多余的电量，MOSFET作为开关元件，用来控制电流的通断。通过这种方式，可以有效地保护电池，延长其使用寿命并提高系统的可靠性。