LPDDR5 DRAM工作流程详解

今天终于把DDR5的流程和参数弄清楚了，虽然我写的文章看起来有点冗余，不过可以一步一步弄明白的，也没太多好看的图片，希望你能喜欢，大家一起进步。

LPDDR5 DRAM工作流程详解 1
1. 发送地址和命令
CPU发送地址和命令： 当CPU需要访问LPDDR5中的数据时，首先发送一个地址和相应的命令（读取或写入命令）到内存控制器。

2. 地址解码和行选通
行地址选择： LPDDR5根据接收到的行地址（RAS信号）选择特定的行。 行选通延迟（tRCD）： 从RAS信号发出到CAS信号发出之间的时间延迟。这段时间内，LPDDR5准备选中的行开始处理。

3. 选中行并准备数据
列地址选择和数据准备： LPDDR5接收到列地址（CAS信号），选中特定的列以准备读取或写入数据。 CAS延迟（CL）： 从CAS信号发出到可以读取或写入数据之间的时间延迟。这个时间取决于LPDDR5的CL值。 数据传输准备：

·DQS（Data Strobe）： 用于在数据传输时同步和锁存数据的信号。

·DQM（Data Mask）： 数据屏蔽信号，指示哪些数据位应该被忽略或不处理。

·CK（Clock）： 时钟信号，用于同步数据传输的时序。

·PREFETCH： LPDDR5采用了32倍prefetch技术，每个存储周期内能够同时传输32个数据位，提高了数据吞吐量。

4. 数据传输和操作时序
数据传输和操作时序：

·DLL（延迟锁存器）： 用于控制数据信号的延迟，以确保数据的正确读取和写入。

·SKEW（数据偏移）： 不同数据信号到达时间的差异，需要通过调整来保持同步。

·Setup Time： 数据在有效触发沿到来之前数据保持稳定的时间。

·Hold Time： 数据在有效触发沿到来之后数据保持稳定的时间。

5. 预充电和刷新过程
预充电和刷新：

·预充电（Precharge）： 在进行下一次读取或写入操作之前，LPDDR5会对未使用的存储单元进行预充电，清空存储单元中的电荷状态。

·1.2VCC比较刷新过程： LPDDR5在工作时会定期进行行的刷新操作，以保持存储单元的电荷状态，防止数据丢失。

6. 特殊信号处理
ODT（On-Die Termination）和ZQ（ZQ Calibration）：

·ODT： 内存总线终端，用于匹配信号阻抗以减少反射和功耗。

·ZQ： ZQ校准信号，用于在LPDDR5初始化阶段对内部的电阻进行校准。

应用示例
假设LPDDR5的参数如下：

·CL = 18

·tRCD = 20

·tRP = 24

·tRAS = 45

·数据传输速率 = 6400 MT/s

·工作电压 = 1.1V

当CPU发出读取命令时的操作流程示例：

1.内存控制器发送RAS信号选中行，等待tRCD（20个时钟周期）后发送CAS信号选中列。

2.根据CL（18个时钟周期），LPDDR5准备好数据并通过DQS同步和锁存。

3.数据通过DQM进行掩码处理，同时使用CK进行时钟同步。

4.在读取数据过程中，LPDDR5保持选中行在tRAS（45个时钟周期）内活跃状态。

5.每次操作后，LPDDR5通过tRP（24个时钟周期）进行预充电，为下一次操作做准备。

结论
以上流程详细描述了LPDDR5的工作原理和关键参数在实际操作中的应用。理解这些参数如何影响LPDDR5的性能和操作流程，有助于优化系统内存的管理和数据访问效率，提高系统整体性能。LPDDR5作为最新一代的低功耗内存标准，通过提供更高的带宽、更低的延迟和更高的能效比，满足了现代移动设备和高性能嵌入式系统对内存需求的挑战。

LPDDR5 DRAM工作流程详解 2

1. 发送地址和命令
   CPU发送地址和命令： 当CPU需要访问LPDDR5中的数据时，首先发送一个地址和相应的命令（读取或写入命令）到内存控制器。

2. 地址解码和行选通
   行地址选择： LPDDR5根据接收到的行地址（RAS信号）选择特定的行。 行选通延迟（tRCD）： 从RAS信号发出到CAS信号发出之间的时间延迟。这段时间内，LPDDR5准备选中的行开始处理。

3. 选中行并准备数据
   列地址选择和数据准备： LPDDR5接收到列地址（CAS信号），选中特定的列以准备读取或写入数据。 CAS延迟（CL）： 从CAS信号发出到可以读取或写入数据之间的时间延迟。这个时间取决于LPDDR5的CL值。 PREFETCH： LPDDR5采用了32倍prefetch技术，每个存储周期内能够同时预取32个数据位，提高了数据访问的效率。 突发数据传输： 突发长度（Burst Length）为8或16，确定了在一次行选通后可以连续传输的数据量。

4. 数据传输和操作时序
   数据传输和操作时序：

·DQS（Data Strobe）： 用于在数据传输时同步和锁存数据的信号。

·DQM（Data Mask）： 数据屏蔽信号，指示哪些数据位应该被忽略或不处理。

·CK（Clock）： 时钟信号，用于同步数据传输的时序。

·DLL（延迟锁存器）： 用于控制数据信号的延迟，以确保数据的正确读取和写入。

·SKEW（数据偏移）： 不同数据信号到达时间的差异，需要通过调整来保持同步。

·Setup Time： 数据在有效触发沿到来之前数据保持稳定的时间。

·Hold Time： 数据在有效触发沿到来之后数据保持稳定的时间。

5. 预充电和刷新过程
预充电和刷新：

·预充电（Precharge）： 在进行下一次读取或写入操作之前，LPDDR5会对未使用的存储单元进行预充电，清空存储单元中的电荷状态。

·1.2VCC比较刷新过程： LPDDR5在工作时会定期进行行的刷新操作，以保持存储单元的电荷状态，防止数据丢失。

6. 特殊信号处理
ODT（On-Die Termination）和ZQ（ZQ Calibration）：

·ODT： 内存总线终端，用于匹配信号阻抗以减少反射和功耗。

·ZQ： ZQ校准信号，用于在LPDDR5初始化阶段对内部的电阻进行校准。

应用示例
假设LPDDR5的参数如下：

·CL = 18

·tRCD = 20

·tRP = 24

·tRAS = 45

·数据传输速率 = 6400 MT/s

·工作电压 = 1.1V

当CPU发出读取命令时的操作流程示例：

1.内存控制器发送RAS信号选中行，等待tRCD（20个时钟周期）后发送CAS信号选中列。

2.根据CL（18个时钟周期），LPDDR5准备好数据并通过DQS同步和锁存。

3.数据通过DQM进行掩码处理，同时使用CK进行时钟同步。

4.在读取数据过程中，LPDDR5保持选中行在tRAS（45个时钟周期）内活跃状态。

5.每次操作后，LPDDR5通过tRP（24个时钟周期）进行预充电，为下一次操作做准备。

结论
以上流程详细描述了LPDDR5的工作原理和关键参数在实际操作中的应用。理解这些参数如何影响LPDDR5的性能和操作流程，有助于优化系统内存的管理和数据访问效率，提高系统整体性能。LPDDR5作为最新一代的低功耗内存标准，通过提供更高的带宽、更低的延迟和更高的能效比，满足了现代移动设备和高性能嵌入式系统对内存需求的挑战。

LPDDR5 DRAM工作流程详解 3
1. 发送地址和命令
CPU发送地址和命令： 当CPU需要访问LPDDR5中的数据时，首先发送一个地址和相应的命令（读取或写入命令）到内存控制器。

2. 地址解码和行选通
行地址选择： LPDDR5根据接收到的行地址（RAS信号）选择特定的行。 行选通延迟（tRCD）： 从RAS信号发出到CAS信号发出之间的时间延迟。这段时间内，LPDDR5准备选中的行开始处理。

3. 选中行并准备数据
列地址选择和数据准备： LPDDR5接收到列地址（CAS信号），选中特定的列以准备读取或写入数据。 CAS延迟（CL）： 从CAS信号发出到可以读取或写入数据之间的时间延迟。这个时间取决于LPDDR5的CL值。 PREFETCH： LPDDR5采用了32倍prefetch技术，每个存储周期内能够同时预取32个数据位，提高了数据访问效率。 突发数据传输： LPDDR5支持8或16的突发长度（Burst Length），确定了在一次行选通后可以连续传输的数据量。

4. 数据传输和操作时序
数据传输和操作时序：

·DQS（Data Strobe）： 用于在数据传输时同步和锁存数据的信号。

·DQM（Data Mask）： 数据屏蔽信号，指示哪些数据位应该被忽略或不处理。

·CK（Clock）： 时钟信号，用于同步数据传输的时序。

·DLL（延迟锁存器）： 用于控制数据信号的延迟，以确保数据的正确读取和写入。

·SKEW（数据偏移）： 不同数据信号到达时间的差异，需要通过调整来保持同步。

·Setup Time： 数据在有效触发沿到来之前数据保持稳定的时间。

·Hold Time： 数据在有效触发沿到来之后数据保持稳定的时间。

5. 预充电和刷新过程
预充电和刷新：

·预充电（Precharge）： 在进行下一次读取或写入操作之前，LPDDR5会对未使用的存储单元进行预充电，清空存储单元中的电荷状态。

·1.2VCC比较刷新过程： LPDDR5在工作时会定期进行行的刷新操作，以保持存储单元的电荷状态，防止数据丢失。

6. 特殊信号处理
ODT（On-Die Termination）和ZQ（ZQ Calibration）：

·ODT： 内存总线终端，用于匹配信号阻抗以减少反射和功耗。

·ZQ： ZQ校准信号，用于在LPDDR5初始化阶段对内部的电阻进行校准。

应用示例
假设LPDDR5的参数如下：

·CL = 18

·tRCD = 20

·tRP = 24

·tRAS = 45

·数据传输速率 = 6400 MT/s

·工作电压 = 1.1V

当CPU发出读取命令时的操作流程示例：

1.内存控制器发送RAS信号选中行，等待tRCD（20个时钟周期）后发送CAS信号选中列。

2.根据CL（18个时钟周期），LPDDR5准备好数据并通过DQS同步和锁存。

3.数据通过DQM进行掩码处理，同时使用CK进行时钟同步。

4.在读取数据过程中，LPDDR5保持选中行在tRAS（45个时钟周期）内活跃状态。

5.每次操作后，LPDDR5通过tRP（24个时钟周期）进行预充电，为下一次操作做准备。

结论
以上流程详细描述了LPDDR5的工作原理和关键参数在实际操作中的应用。理解这些参数如何影响LPDDR5的性能和操作流程，有助于优化系统内存的管理和数据访问效率，提高系统整体性能。LPDDR5作为最新一代的低功耗内存标准，通过提供更高的带宽、更低的延迟和更高的能效比，满足了现代移动设备和高性能嵌入式系统对内存需求的挑战。

继续LPDDR5的操作流程示例4
写入数据操作流程示例：
发送地址和命令：

1.CPU向内存控制器发送写入命令，并包含需要写入的数据和地址信息。

地址解码和行选通：

1.内存控制器解析地址信息并发送RAS（行地址选通）信号给LPDDR5，选择特定的行进行写入操作。

2.等待tRCD（行选通到列选通延迟，例如20个时钟周期），以确保选中的行被正确激活。

列地址选择和数据写入准备：

1.内存控制器发送CAS（列地址选通）信号和列地址给LPDDR5，确定写入的具体列。

2.LPDDR5开始准备接收并写入数据。

CAS延迟（CL）：

1.根据LPDDR5的CAS延迟参数（例如CL = 18），等待18个时钟周期，确保数据可以正确写入。

PREFETCH技术应用：

1.LPDDR5的32倍prefetch技术在写入时同样起作用，以提高数据写入的效率和吞吐量。

突发数据传输（Burst Length）：

1.LPDDR5支持8或16的突发长度（Burst Length），确定了可以连续写入的数据量。

数据传输和时序控制：

1.**DQS（Data Strobe）**用于在数据传输时同步和锁存数据的信号。

2.**DQM（Data Mask）**用于掩码处理，指示哪些数据位应该被写入或忽略。

3.**CK（Clock）**提供时钟信号，用于同步数据传输的时序。

操作完成后的预充电和刷新：

1.数据写入完成后，LPDDR5执行预充电操作（tRP，例如24个时钟周期），为下一次读取或写入操作做准备。

结论：
LPDDR5在其操作流程中充分利用了32倍的prefetch技术和支持的突发长度，以提高数据访问和写入效率。这些先进的特性使LPDDR5成为高性能移动设备和嵌入式系统中的理想内存选择，能够满足对快速数据处理和低功耗的需求。

理解LPDDR5的操作流程和关键参数对于设计和优化内存子系统至关重要，可以帮助开发人员充分利用其性能优势，提升系统整体性能和效率。

LPDDR5 写入数据操作流程示例：5
发送地址和命令：

1.CPU向内存控制器发送写入命令（例如WRITE），并携带要写入的数据和目标地址信息。

地址解码和行选通：

1.内存控制器根据发送的地址信息解码，并向LPDDR5发送RAS（行地址选通）信号，选择特定的行进行写入操作。

2.例如，CPU发送的地址包含行地址和列地址。

行选通延迟（tRCD）：

1.LPDDR5根据接收到的RAS信号，等待一定的时钟周期（tRCD），以确保选中的行被正确激活。

列地址选择和数据准备：

1.在行选通后，内存控制器发送CAS（列地址选通）信号和相应的列地址给LPDDR5，确定要写入的具体列。

2.同时，将要写入的数据发送给LPDDR5。

CAS延迟（CL）：

1.LPDDR5根据设定的CAS延迟（例如CL = 20），等待相应的时钟周期，以确保数据可以被正确写入选中的列。

PREFETCH技术应用：

1.LPDDR5采用了32倍prefetch技术，在写入操作时可以提前预取多个数据块，以提高数据写入的效率和吞吐量。

突发数据传输（Burst Length）：

1.LPDDR5支持8或16的突发长度（Burst Length），确定了可以连续写入的数据量。

数据传输和时序控制：

1.**DQS（Data Strobe）**用于在数据传输时同步和锁存数据的信号。

2.**DQM（Data Mask）**用于掩码处理，指示哪些数据位应该被写入或忽略。

3.**CK（Clock）**提供时钟信号，用于同步数据传输的时序。

操作完成后的预充电和刷新：

1.数据写入完成后，LPDDR5执行预充电操作（例如tRP = 24个时钟周期），将未使用的存储单元预充电，为下一次操作做准备。

应用示例：
假设LPDDR5的参数设置如下：

·CAS延迟（CL）= 20

·行选通到列选通延迟（tRCD）= 22

·行预充电时间（tRP）= 24

·行激活时间（tRAS）= 42

·数据传输速率 = 6400 MT/s

·工作电压 = 1.1V

实际操作示例：

当CPU需要向LPDDR5写入数据时：

地址和命令发送：

oCPU发送写入命令和目标地址给内存控制器。

行地址选通：

o内存控制器根据发送的地址信息发送RAS信号给LPDDR5，选择特定的行。

列地址选择和数据准备：

o发送CAS信号和列地址，同时将数据发送给LPDDR5。

等待CAS延迟（CL）：

oLPDDR5根据设置的CAS延迟（CL = 20），等待20个时钟周期。

数据写入和时序控制：

o使用DQS同步数据传输，DQM掩码处理，CK提供时钟同步。

PREFETCH和突发传输：

oLPDDR5利用32倍prefetch技术提高写入效率，同时支持8或16的突发长度，连续传输数据。

预充电和刷新：

o写入操作完成后，LPDDR5执行预充电操作（tRP = 24个时钟周期），为下一次操作做准备。

理解LPDDR5的操作流程和关键参数对于设计高性能移动设备和嵌入式系统的内存子系统至关重要。通过优化这些参数和操作流程，可以提升系统的响应速度和功耗效率，从而提升整体系统性能。

PREFETCH 和 突发传输
PREFETCH（预取技术）：

1.PREFETCH 是一种技术，用于在实际需要之前预先读取数据，以减少访问延迟和提高吞吐量。对于内存而言，特别是LPDDR5这样的高性能内存，PREFETCH 允许在一次访问周期内预先读取多个数据块。

2.在LPDDR5中，采用了32倍prefetch技术，这意味着每个存储周期内可以同时预取32个数据位，从而提高数据访问的效率和速度。

突发传输（Burst Transfer）：

1.突发传输是一种连续的数据传输方式，它允许在一次行选通操作后，连续传输多个数据位而不需要重新选择行地址。

2.对于LPDDR5，支持的突发长度（Burst Length）可以是8或16，这决定了在一次行选通之后可以连续传输的数据位数。

突发传输是读还是写？
·突发传输可以用于读取和写入数据。在读取操作中，突发传输指的是连续地从DRAM读取多个数据位。在写入操作中，突发传输指的是连续地向DRAM写入多个数据位。

·LPDDR5的突发长度（Burst Length）决定了在一次行选通之后可以连续传输的数据位数，这适用于读取和写入操作。

CK、DQS 同步和 CL、RAS 的确认
CK（Clock）和 DQS（Data Strobe）：

oCK（Clock） 是时钟信号，它提供数据传输的时序和同步。在数据传输过程中，CK信号确保数据的传输按照正确的时序进行。

oDQS（Data Strobe） 是数据锁存信号，它用于在数据传输时同步和锁存数据。每个数据位都有一个对应的DQS信号，确保数据在传输时能够正确被读取或写入。

CL（CAS Latency）和 RAS（Row Address Strobe）的确认：

oCL（CAS Latency） 是列地址选通延迟，它指从发送CAS信号到可以读取或写入数据之间的时间延迟。CL的具体值是根据DRAM设定的，例如CL = 20表示需要等待20个时钟周期。

oRAS（Row Address Strobe） 是行地址选通信号，它指示DRAM选中特定的行。RAS信号的发送和接收与DRAM的内部结构和控制相关联，确保选中的行能够正确处理数据的读取或写入操作。

让我逐步解释预先存取（PREFETCH）、突发传输（Burst Transfer）、CK同步和DQS同步的相关概念：

预先存取（PREFETCH）
预先存取（PREFETCH） 是指内存控制器在实际需要之前预先读取数据到内存缓存中。这样做的目的是为了减少后续访问时的延迟，提高数据访问效率。在LPDDR5等高性能内存中，预取技术允许在一个存储周期内预先读取多个数据块，以加速后续的数据访问。

预先存取的操作：

o内存控制器通过发送预取指令给DRAM，DRAM会提前从内存芯片中读取数据并放入内部缓存（可能是DRAM的页缓存或控制器的缓存）。

o预取的数据存储在内存中，以备后续CPU或其他设备的读取请求。

突发传输（Burst Transfer）
突发传输（Burst Transfer） 指的是在一次行选通（RAS）后，DRAM连续传输多个数据位到内存控制器。突发长度（Burst Length）指定了在一次行选通之后可以连续传输的数据位数。

突发传输的操作：

o在读取操作中，DRAM根据内存控制器发送的列地址选通（CAS）信号，连续传输指定长度的数据位到内存控制器。

o写入操作中，内存控制器发送数据位到DRAM，DRAM接收后按照列地址选通将数据写入到指定位置。

突发传输的来源：

o突发传输的数据来源于DRAM内部的存储单元，不是来自外部存储设备（例如eMMC）。突发传输的目的是通过一次连续的数据传输操作，提高数据传输效率和系统性能。

CK同步和DQS同步
CK同步：

CK（Clock） 是时钟信号，用于控制数据传输的时序和同步。内存控制器通过CK信号确保数据在传输过程中的正确时序。

CK信号指导着数据的传输和处理的节奏，使得内存控制器和DRAM能够协调完成数据的读取和写入。

DQS同步：

DQS（Data Strobe） 是数据锁存信号，用于在数据传输时同步和锁存数据。每个数据位都有一个对应的DQS信号，确保数据在传输时能够正确地被读取或写入。

DQS信号与数据位一起传输，它提供了数据位的时序信息和锁存功能，确保数据能够在正确的时刻被内存控制器接收或发送。

总结
·预先存取（PREFETCH） 和 突发传输（Burst Transfer） 是内存控制器对DRAM进行操作的两种技术，分别用于优化数据访问的延迟和效率。

·CK同步 是时钟信号用于数据传输的时序控制，而 DQS同步 是数据锁存信号用于数据的同步和正确读写。

·这些技术和信号协同工作，确保了内存系统能够高效地处理大量数据，并保证数据的准确性和一致性。

加粗样式内存控制器和CPU
内存控制器：内存控制器是一种芯片或模块，通常位于主板上，负责管理系统中的内存（RAM）模块。它不是直接位于CPU内部，而是通过主板上的总线（如内存总线）连接到CPU和其他系统组件。

CPU的缓存：CPU的缓存是一种高速存储器，用于暂时存储CPU经常访问的数据和指令。缓存主要分为三级：L1缓存、L2缓存和L3缓存，通常与CPU核心集成在同一芯片上，以提供快速的数据访问和处理能力。

内存缓存和CPU缓存的区别：

o内存缓存 是指内存控制器中用于暂存来自DRAM的数据块或页的部分，以便更快地响应CPU的读取请求。它位于内存控制器中，而非CPU内部。

oCPU缓存 是CPU芯片内部的高速存储器，用于暂时存储CPU核心频繁使用的数据和指令，以减少对主内存访问的延迟。

突发传输和地址选择
突发传输：在DRAM中，突发传输是指在一次行选通（RAS）之后，连续传输多个数据位到内存控制器。突发长度（Burst Length）指定了在行选通后连续传输的数据位数。在突发传输中，列地址用于指定具体的数据块，而行地址用于选通整行数据。

地址选择的过程：

o行地址选择（RAS操作）：内存控制器发送行地址（RAS信号），DRAM根据此地址选中特定的行，使得该行中的数据可以被访问。

o列地址选择（CAS操作）：在行选通后，内存控制器发送列地址（CAS信号），DRAM接收此地址并选中特定的列，以准备读取或写入数据。

数据传输时序与数据同步
数据传输时序：数据传输时序是指数据在传输过程中的时间安排和协调。它包括了数据在传输前后稳定的时间间隔，以确保数据能够正确读取或写入。时序信号（如CK）和同步信号（如DQS）都是用于控制和锁存数据传输的关键信号。

CK同步：时钟信号（CK）用于控制数据传输的时序和节奏，确保数据在传输时按照正确的时钟节奏进行。CK信号来自系统的时钟源，是整个系统各个部件同步操作的基准。

DQS同步：数据锁存信号（DQS）用于在数据传输时同步和锁存数据。每个数据位都伴随着一个DQS信号，确保数据在传输过程中能够按照正确的时序被读取或写入。DQS信号提供了数据位的同步和时序控制，是确保数据传输正确性的关键。

LPDDR5 DRAM 工作流程详解

1. 发送地址和命令
   1.CPU发送地址和命令：当CPU需要访问LPDDR5内存中的数据时，它会向内存控制器发送一个内存地址和相应的命令（如读取或写入）。

2. 地址解码和行选通
   1.行地址选择：内存控制器根据收到的行地址信号（RAS）选择特定的行。

2.行选通延迟（tRCD）：从RAS信号发出到列地址信号（CAS）发出之间有一个时间延迟，这段时间用于激活选中的行并准备数据操作。

3. 选中行并准备数据
   列地址选择和数据准备：内存控制器发送列地址信号（CAS）并选择特定的列来准备数据的读取或写入。

CAS延迟（CL）：从CAS信号发出到数据准备好之间有一个时间延迟，称为CAS延迟。这个延迟由CL值决定。

1.PREFETCH：LPDDR5采用了32倍预取（Prefetch）技术，在每个存储周期内能预取32个数据位，提高了数据访问效率。

4. 数据传输和操作时序
数据传输：

1.DQS（Data Strobe）：用于数据传输时的同步信号，确保数据的准确传输和接收。

2.DQM（Data Mask）：数据掩码信号，用于指示哪些数据位在传输时应该被忽略或不处理。

3.CK（Clock）：时钟信号，用于同步数据传输的时序。

4.DLL（延迟锁存器）：用于控制数据信号的延迟，确保数据的正确读取和写入。

数据传输时序：

1.Setup Time：数据在有效触发沿到来之前需要保持稳定的时间。

2.Hold Time：数据在有效触发沿到来之后需要保持稳定的时间。

5. 预充电和刷新过程
   1.预充电（Precharge）：在进行下一次读取或写入操作之前，LPDDR5对未使用的存储单元进行预充电，清空其电荷状态。

2.刷新过程：LPDDR5定期刷新存储单元以保持电荷状态，防止数据丢失。

6. 特殊信号处理
   1.ODT（On-Die Termination）：内存总线终端，用于匹配信号阻抗以减少反射和功耗。

2.ZQ校准：用于在LPDDR5初始化阶段对内部的电阻进行校准。

LPDDR5 工作示例
假设以下LPDDR5参数：

·CL = 18

·tRCD = 20

·tRP = 24

·tRAS = 45

·数据传输速率 = 6400 MT/s

·工作电压 = 1.1V

1.CPU发出读取命令：

o内存控制器发送RAS信号选中行，等待tRCD（20个时钟周期）后发送CAS信号选中列。

o根据CL（18个时钟周期），LPDDR5准备好数据并通过DQS同步和锁存。

o数据通过DQM进行掩码处理，并使用CK进行时钟同步。

o在读取数据过程中，LPDDR5保持选中行在tRAS（45个时钟周期）内的活跃状态。

o每次操作后，LPDDR5通过tRP（24个时钟周期）进行预充电，为下一次操作做准备。

写入数据操作示例
假设以下LPDDR5参数：

·CL = 20

·tRCD = 22

·tRP = 24

·tRAS = 42

·数据传输速率 = 6400 MT/s

·工作电压 = 1.1V

1.CPU发送写入命令：

o向内存控制器发送写入命令和目标地址。

o内存控制器解码地址并发送RAS信号给LPDDR5，选择特定的行。

o发送CAS信号和列地址，同时将数据发送给LPDDR5。

oLPDDR5根据设定的CL等待20个时钟周期。

o使用DQS同步数据传输，DQM进行掩码处理，CK提供时钟同步。

oLPDDR5利用32倍预取技术提高写入效率，并支持8或16的突发长度进行连续数据传输。

o写入操作完成后，LPDDR5执行预充电操作（tRP = 24个时钟周期），为下一次操作做准备。

预先存取（PREFETCH）和突发传输（Burst Transfer）
PREFETCH（预取技术）
PREFETCH是一种用于在实际需要之前预先读取数据的技术，以减少访问延迟并提高吞吐量。LPDDR5的32倍预取技术可以在一个存储周期内预先读取32个数据位，从而提高数据访问效率。

·预取的数据存储位置：数据被预先读取到内存芯片内部的缓存或寄存器中，以便快速访问。

突发传输（Burst Transfer）
突发传输是一种连续的数据传输方式，在一次行选通操作后，内存可以连续地传输多个数据位到控制器。LPDDR5支持8或16的数据突发长度，可以一次性传输更多数据，从而减少访问时间和提高效率。

·突发传输的数据来源：数据来自内存（DRAM）内部的存储单元，不是外部存储设备如eMMC。突发传输在读取和写入操作中均适用。

CK同步和DQS同步
CK（Clock）同步
·**CK（Clock）**是内存的时钟信号，用于提供整个数据传输过程中所有操作的时序基准。它确保数据传输按照正确的时序进行。

DQS（Data Strobe）同步
**DQS（Data Strobe）**是用于数据传输时同步数据的信号。DQS信号与数据线一起传输，用于锁存数据，确保数据在传输过程中可以准确同步到接收端。

DQS与CK的区别：虽然CK提供了整体时钟同步，但由于数据传输速度极高，数据与时钟信号之间可能会出现相位偏移和延迟。DQS作为数据锁存信号，可以提供更精确的数据同步功能，确保每个数据位在传输时能够被准确读取或写入。

结论
理解LPDDR5的预先存取和突发传输技术，以及CK和DQS在数据同步中的角色，对于优化内存性能和设计高效的内存子系统至关重要。通过合理应用这些技术，可以显著提高系统的响应速度和数据处理效率。

总结
·内存控制器位于主板上，管理系统中的内存模块，负责DRAM的访问和数据传输。

·CPU的缓存是CPU内部的高速存储器，用于暂存频繁访问的数据和指令。

·突发传输中，列地址用于选择具体的数据块，而行地址用于选通整行数据。

·数据传输时序通过CK和DQS信号控制，CK同步数据传输的时序，而DQS同步数据的实际传输。

内存控制器在LPDDR3里面 还是在SOC里面？

在移动设备中，特别是在集成了低功耗DDR（LPDDR）类型内存的系统中，内存控制器通常是集成在系统芯片（SoC，System on Chip）内部的一部分。因此，对于LPDDR3、LPDDR4、LPDDR5等低功耗DDR类型的内存，内存控制器通常是直接集成在SoC中的。

内存控制器的主要功能是管理和控制系统与内存之间的数据交换，包括处理内存读写请求、数据缓存、数据保护、时序管理等。它与CPU、图形处理单元（GPU）以及其他系统组件协同工作，确保数据在内存和处理器之间的高效传输和处理。

因此，对于移动设备（如智能手机、平板电脑等），LPDDR内存控制器通常是集成在SoC中，以优化功耗、空间和成本，并提供高效的数据传输和处理能力。