【高速PCB电路设计】2.高速电路DDR原理图概述

一.DDR介绍

  • DDR是双倍速率同步动态随机存储器,即内存(之一)。
  • DDR内存是一个时钟周期内传输两次数据,它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据,因此称为双倍速率同步动态随机存储器。注:数据线是双沿采样,地址、控制线是单沿采样。
  • SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据,它是在时钟的上升期进行数据传输。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
  • DDR参数规范:
    DDR在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述

不同阶段内存关注重点:

  • SDRAM:连线,等长。
  • DDR2、DDR3:反射,串扰,建立时间、保持时间,时序误差。
  • DDR4:眼图,误码率。
  • DDR5:数据线预加重。

二.DDR信号描述

DDR信号描述
DDR信号描述
电源、地、配置:
在这里插入图片描述
控制:
在这里插入图片描述
时钟、地址、数据:
在这里插入图片描述

三.DDR设计例程简介

主控端:
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
上图例FPGA端有关DDR设计要点:

  • DQ信号只能接DQ管脚,数据信号。DQ之间可以交换。
  • DM信号只能接DM管脚,掩码信号。
  • 时钟信号只能接时钟信号。
  • 控制信号可以随意接在DDR的BANK内。

DDR端:
DDR原理图示例
上图例DDR参数特点:

  • 数据位宽x16
  • 芯片容量64Mx16=1Gbit;(1/8GB)
  • 最高传输速率1866Mbps(实际速率取决于FPGA端)
  • 工作电压1.5V
  • 无VTT(多片DDR时需要)

上图例DDR设计要点:

  • 两组数据线可分别等长(高8位和低8位),组间可使用FPGA逻辑进行时序调整。
  • R317时钟终端匹配电阻,要靠近DDR管脚。
  • ZQ为内部ODT校准,R316精度要搞。
  • VREF精度要高,要稳定,电阻要用高精度。
  • RESETn、CKE上下拉稳定电平,防止误操作。

待补充

参考引用:
1.相关内容及图片为《电巢》课程的学习记录,侵删。
2.管脚说明列表参考链接,侵删。

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