半导体元件二极管、三极管、MOS管选型

一、二极管

1：二极管 diode
一个单方向传递电流的元件

2：二极管分类
安装方式：插件二极管、贴片二极管
结构：点触型二极管、面触型二极管
用途：整流、保护、稳压、检波、续流等

3：二极管参数
最大正向电流 IF
反向击穿电压 VBR
正向压降 VD 硅管一般0.7V,锗管0.3V 压降随电流变化
反向电流 IR
动态电阻 RD
极间电容 CJ

4：伏安特性
V>0 正向特性 0<V<Vth 死区 V>Vth 导通
UBR<V<0 反向特性
V<UBR 反向击穿

5：二极管选型
（1）根据用途，选择二极管类型
（2）根据工作电流，确定二极管的最大额定电流
（3）结合电路工作电压，确定二极管的最大反向工作电压
（4）再结合温度特性、漏电流等确定二极管封装，并确定二极管具体型号

6：常用二极管型号
整流二极管：1N4007
肖特基二极管：SS14 SS24 SS34
TVS二极管：
齐纳二极管：
ESD二极管：

二、三极管

以下只介绍双极性三极管
1：三极管 BJT
电流控制电流的半导体元件

2：三极管分类
安装方式：插件三极管、贴片三极管
材质：硅管、锗管
结构：PNP、NPN
功率：小功率、中功率、大功率
工作频率：低频管、高频管、超频管
结构工艺：合金管、平面管
功能：开关管、功率管、达林顿管、光敏管

3：三极管参数
电压电流
频率特性
hfe 放大倍数
Vceo 集电极发射机反向击穿电压
Pcm 最大耗散功率

4：三极管的工作状态
截至状态：三极管处于关闭状态
放大状态：电流放大状态，放大电路中工作于此状态
饱和状态：电流处于饱和状态，电流不再继续放大，三极管作为开关使用时，工作在此状态

5：三极管选型
（1）根据电路原理确定三极管类型PNP/NPN
（2）根据频率特性、工作电压和电流、耗散功率，保持一定冗余确定三极管相应参数
（3）再结合温度特性、使用环境、电路板布局、成本等因素，确定三极管封装，乃至具体型号厂家

6：常用三极管
NPN：s8050 ss8050 MMBT3904 9013 9014
PNP：s8550 ss8550 MMBT3906 9012 9015

三、MOS管

以下只介绍金属氧化物半导体场效应管
1：MOS管 MOSFET 金属氧化物半导体场效应管
电压控制电流的半导体元件

2：MOS管分类
安装方式：插件MOS管、贴片MOS管
结构：P沟道、N沟道
功率：小功率、中功率、大功率
工作频率：低频管、高频管、超频管
功能：开关、放大、功率

3：MOS管参数
阈值电压
频率特性
导通电阻
最大漏极源极电压
最大漏极电流
栅极电容
开关时间

4：MOS管的工作状态
截至状态：MOS管处于关闭状态
放大状态：电流放大状态，放大电路中工作于此状态
饱和状态：电流处于饱和状态，电流不再继续放大，MOS管作为开关使用时，工作在此状态

5：MOS管选型
（1）根据电路原理确定MOS管类型是P沟道还是N沟道
（2）根据频率特性、工作电压和电流、耗散功率，保持一定冗余确定MOS管相应参数
（3）再结合温度特性、使用环境、电路板布局、成本等因素，确定MOS管封装，乃至具体型号厂家

6：常用MOS管
N沟道：si2302
P沟道：si2301