保护电路设计 —(2)过温保护

保护电路设计 —(2)过温保护

上一讲讲到自锁电路设计,但有的同学还不太清楚怎么去复位这个电路,在这里给出一个例子,去复位这个电路。复位电路也非常简单,使用以下电路即可。如图1所示。

图1:复位电路

为了防止Q3的电流过大,可以在Q3的发射极以及Q2的发射极串联电阻,防止电流过大损坏此电路。

过流保护有了,但是过温保护又该如何设计。常见的较为便宜的3950电阻一般也要好几毛钱一个,建议还是使用二极管去做过温保护,在之前的LTspice教程中我们已经知道如何使用diode进行测温,这时候只要把之前的电路和自锁电路相结合即可。

复习下,2n2222的特性,如图2所示,我们可以把2n2222当二极管用,给2n2222的Vbe一个固定的电流,温度每上升一度Vbe电压降低2mV。

图2:2n2222温度电流曲线

那么我们构建一个简单的比较器即可,如下图3所示.

图3:过温保护

使用Q1做为传感器,当Q1等于25℃常温时候,X1的IN+高于X1的IN-,X1的IN+用于设定过温保护的阈值,此时过温保护的进度和LMv358的输入offset 有关系,放大器的输入offset的模型如下图4所示.

图4:放大器输入offset 模型

这个offset 如果是2mV,那么大约影响1℃,因为如图2所示,刚好在1~2mA电流时候2mV/℃.好了,这个整完nuo,咱们看看图3电路的仿真结果之前,我们可以看看Simterix怎么设置器件的温度.如下图5所示,点击器件右键.

图5-1:设置器件温度

图5-2:添加温度属性

添加完温度,咱们就可以开始看仿真结果了,仿真结果如图6所示.

图6:仿真结果

Q1等于25℃时约为525mV.

图7:仿真结果

Q1等于35℃时约为504mV.

看到温度上升10℃,二极管温度也差不多下降20mV符合我们的预期,温度保护也不需要太精准的温度检测,大概就行.而且看35℃时候输出已经输出高电平.接下来咱们就把保护电路和这个过温比较器一结合就行,如图8所示.reset用于复位保护,将Q1靠近需要过温保护的位置,其他电路放在常温环境工作即可.

图8:过温保护电路

仿真代码如下所示:

X1 R2_N R1_N V1_P 0 X1_out lmv358 pinnames: inp inn vsp vsn out

V1 V1_P 0 5

R1 R1_P R1_N 3.9k

R2 V1_P R2_N 18k

R3 R2_N 0 2k

R4 Q2_C 0 10k

R5 V1_P R5_N 10k

R6 R5_N Q2_B 1k

R7 V1_P R7_N 1k

D1 R8_P Q2_C D1N4148

R8 R8_P X1_out 1k

D2 Q2_C RESET D1N4148

Q1 R1_N R1_N 0 0 Q2N2222 DTEMP=25

Q2 Q2_C Q2_B R7_N 0 Q2N2904

X$Q3 R5_N Q2_C 0 2N7002 pinnames: D G S

V$IPROBE1 V1_P R1_P 0.0

.GRAPH IPROBE1#p axisType="auto" persistence=-1 curveLabel="IQ" analysis="tran|ac|dc" xLog="auto" yLog="lin" nowarn=true disabled=false

.GRAPH R5_N curveLabel= Q2-base nowarn=true ylog=auto xlog=auto analysis=tran|ac|dc disabled=false PROBEREF=Probe5

.tran 1m

好了,今天就先聊到这里了,上次已白嫖这次别白嫖.点个赞?

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### 回答1: A:全CMOS过温保护电路通常是由温度传感器和比较器组成的。当电路温度超过一定阈值时,比较器会向保护电路发出信号,使其动作,从而防止电路因过热而损坏。这种电路通常用于微处理器、功率放大器等需要高温环境的电路中,保证其可靠性和稳定性。 ### 回答2: 全CMOS过温保护电路是一种用于保护CMOS器件不受过高温度损害的电路。CMOS是一种常见的集成电路技术,具有低功耗、高集成度和稳定性好等优点,但也对温度敏感。过高的温度会导致CMOS器件性能下降、寿命缩短甚至损坏,因此需要采取措施进行过温保护。 全CMOS过温保护电路主要包括温度传感器、比较器和反馈控制电路三部分。温度传感器用于检测环境或器件温度,常使用PN结温度传感器或热敏电阻。传感器将温度信息转换成电信号后输入比较器。比较器将传感器采集到的温度与设定的阈值进行比较,当温度超过阈值时,比较器的输出将变为高电平。 输出高电平后,反馈控制电路将接收到信号并进行相应处理。常见的处理方法包括触发警报、降低功耗或关闭相关电路等。触发警报可以通过驱动报警器或发送警报信号给主控系统来实现,以及时通知用户或采取其他措施。降低功耗可以通过控制电源或调整芯片工作状态来降低热量产生,以减轻温度上升的压力。关闭相关电路可以避免过热对其他电路的影响,保护系统的稳定性。 总之,全CMOS过温保护电路通过温度传感器、比较器和反馈控制电路组成,能够实时监测温度并在超过设定阈值时采取相应措施,以保护CMOS器件免受过高温度的损害。这种电路在各类集成电路中广泛应用,提高了系统的稳定性和可靠性。 ### 回答3: 全CMOS过温保护电路是一种用于防止CMOS集成电路过热损坏的保护电路。CMOS集成电路在工作时会产生一定的热量,如果长时间工作或环境温度过高,会导致芯片温度升高,超过其可承受的范围,进而损坏甚至烧毁。全CMOS过温保护电路的设计目的就是在芯片温度超过安全范围时,及时采取措施避免过热。 这种过温保护电路通常包括三个关键部分:温度传感器、比较器和动作控制逻辑。温度传感器负责监测芯片温度,将温度信号转换为电信号输入给比较器。比较器接收到来自温度传感器的电信号后,通过与事先设置的温度阈值进行比较,确定芯片是否过热。动作控制逻辑根据比较器的输出结果,来控制各种动作,例如发出警告信号、停止芯片工作或控制风扇等散热措施。 全CMOS过温保护电路的设计需要综合考虑一系列因素,包括温度传感器的性能、比较器的精确度、动作控制逻辑的响应速度,以及整个电路的功耗等。另外,对于不同应用场景的芯片,过温保护电路的设计也会有所差异,需要根据具体情况进行优化。 总之,全CMOS过温保护电路是一种重要的设计技术,可以有效防止CMOS集成电路因过热而损坏,提高电路的可靠性和稳定性。

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