硬件---7MOS管---开关电路设计、寄生电容、寄生二极管、做开关电源注意事项

一、MOS管基本概念与结构

1MOS管概念

MOS管是一种广泛应用于电子设备中的场效应晶体管,其主要功能通过电场调节载流子(电子和空穴)的流动来控制电流的大小。

2结构

MOS管分为两种类型,分别为NMOS管和PMOS管。如下图:
在这里插入图片描述

二、MOS管开关电路的设计方法

1MOS管的导通条件

<1>NMOS管导通条件:当NMOS的g极电压比s极电压大于导通电压Vth时,DS之间闭合。
<2>PMOS管导通条件:当PMOS的g极电压比s极电压小于导通电压Vth时,DS之间闭合。

2电路设计方法

三极管是电流控制电流的器件,MOS管是电压控制电流的器件。
MOS管典型电路设计如下:设计方法其实和三极管几乎一致,导通条件就是1中的内容。
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3为什么三极管必须要加Rb电阻,MOS管G极可以不加电阻?

三极管的基极需要加电阻,主要为了限制基极电流,避免过大的电流损坏三极管。基极电阻还可以帮助稳定三极管的工作点,减少噪声,并控制开关特性。
而MOS管的栅极通常是不需要添加电阻的,因为栅极与其他部分之间是由一层绝缘层隔开的,几乎没有电流流入栅极。这使得栅极的电流非常小,通常只需要电压来控制导电通道的开启与关闭。

三、MOS管寄生电容的问题

1MOS管的寄生电容

MOS管中的寄生电容是由其内部结构和电气连接自然形成的电容,这些电容对MOS管的性能(如开关速度、功耗)有着显著的影响。每两个极之间都存在一个寄生电容。

2寄生电容的危害

MOS管的寄生电容对电路性能的影响是非常重要的,尤其在高速电路和高频电路中。
主要危害有如下几个:
<1>影响开关速度
<2>增加功耗
<3>影响信号的质量
<4>带宽限制

3在栅极加一个接地电阻的作用

<1>平缓电压变化
栅极感生电容会存储一定的电荷,当栅极电压变化时,电容会充放电。如果没有电阻,栅极电容可能会快速变化(尤其在高频开关的时候),导致过冲或震荡。加一个电阻可以通过RC时间常数来控制电压的变化率,使栅极的电压变化的更加平滑,避免电压的过渡波动。
<2>释放电压
当栅极电压下降时(比如关闭掉MOS管),栅极电容中存储的电荷需要某种方式去释放。加上接地电阻后,可以通过电阻将电容中的电荷进行释放,如果没有这个电阻的存在,电容没有释放的通道,就会在栅极电容中长期滞留,影响开关特性。

4为什么接地电阻会选的很大,比如100K

<1>限制过快的电压变化
<2>增加RC时间常数
<3>避免过大的功耗
如果电阻过小,栅极的电流过大,会导致过多的功耗。而较大的电阻值能够限制电流,同时有效避免过多的功耗。

5举例说明

如下图,是一个NMOS管做开关,实现LED灯的通断,当存在Rgs电阻的时候,控制信号为高电平时,LED灯亮。关断开关后,LED灯立刻熄灭。当不存在这个电阻,就会出现小灯要延缓一下才熄灭的情况,就是因为寄生电容的存在,去掉电阻后,寄生电容没有放电的回路了。
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说明:三极管就不会这样,因为它不存在寄生电容,并且是电流控制电流的器件,但是同样需要接地电阻是为了抗干扰。MOS管是电压控制电流的器件,由于它的够早产生了寄生电容,需要接地电阻去放电。二者的应用要注意区分。

四、MOS管的寄生二极管问题

MOS管的寄生体二极管不能够忽略,否则容易导致电流反灌的问题。

1MOS管的寄生二极管

如下图
NMOS管的寄生二极管的导通方向是从S极到D极,PMOS管的寄生二极管的导通方向是从D极到S极。
在这里插入图片描述

2寄生二极管不能忽略的原因

寄生二极管为MOS管提供了一条反向电流路径。当外部电路中存在反向电压时,寄生二极管可能会导通,导致电流流过这个路径。这个特性在某些应用中可能是有害的,可能会产生意外的电流波动。
在电路设计中,要将这个二极管考虑进去,假定MOS管不存在时,这里有一个二极管会怎么样。

五、NMOS管做电源开关时的注意事项

NMOS控制负载的工作电源时,需要使用自举电容或者一个比电源更高的控制信号来控制MOS栅极。
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1电路分析

一般情况下MOS管的源级都会连接GND,当不直接连接GND时就会存在一些注意事项,对这个电路进行简单说明,其实也是MOS管的一些特性,当没有上电的时候,所有极都是0V,上电后栅极为5V,假设MOS管导通电压是3V,Vgs大于导通电压,MOS管导通,导通后电流从D极流向S极,因为源级不接GND,所以源级电压会逐渐升高,直到Vgs小于饱和导通电压,从而进入放大区,这个时候MOS管相当于一个电阻,无论D极电压怎么改变,MOS管也不会在进入饱和导通区,一直处于放大区。

2解决方法

<1>提高电源电压,保证Vgs永远保持饱和导通。但是电源不是凭空出现的,这就会导致预算的增加。
<2>修改电路
电路修改后,g极和s极相当于5V电的正负极,这种情况下,g永远比s高,所以会永远饱和导通。
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<3>将NMOS换成PMOS
PMOS做开关时,通常S极接电源,通过这个特性就可以解决上述的问题。但是需要注意的是,大部分场景中用NMOS管的频率要比PMOS管的频率要高。

拓展

1MOS管的电流可以在DS之间流通

三极管的ce之间有电流方向,但MOS没有。只要MOS的gs之间满足导通条件,MOS管DS之间的电流可以双向导通,这是因为寄生二极管的存在。
左侧为12V供电正常接法,右侧为反接,开关不按下时,发现万用表上面有负电压,这就是感生二极管产生的。
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2MOS管的导通电流与Vgs的关系

MOS管的导通电流与Vgs的大小成正比,大部分MOS当Vgs大于4.5V时,进入饱和态。

3MOS管的耐压

在挑选MOS管的时候,额定耐压值要留有余量,比如电源为100V时,尽量选择额定参数150V的管子,具体管子的参数在手册里面都会有详细的标注。

MOS开关电路是一种基于MOS场效应管的开关电路。它由一个MOS场效应管和一个控制信号组成。原理图中通常包含三个主要部分:输入部分、输出部分和驱动部分。 输入部分:输入部分由一个逻辑信号或一组控制信号驱动,将输入信号提供给MOS场效应管。这些信号可以是高电平或低电平,用来控制MOS管的通断状态。 输出部分:输出部分连接到MOS管的漏极或源极。当MOS管处于通状态时,输出电路与输入电路相连,从而实现信号的传递。当MOS管处于断状态时,输出电路与输入电路隔离,不传递信号。 驱动部分:驱动部分负责控制MOS管的通断状态。它通常由一个门级电路或一个驱动电路提供所需的电压或电流。驱动电路将适当的信号传输给MOS管的栅极,以达到控制通断的目的。 整个MOS开关电路的工作原理如下:当输入信号为高电平时,驱动电路将具有足够的能力将足够的电压或电流传递给MOS管的栅极,使得MOS管导通。此时,输出电路与输入电路相连接,信号可以通过。当输入信号为低电平时,驱动电路将不会向MOS管的栅极提供足够的电压或电流,使得MOS管断开。此时,输出电路与输入电路隔离,信号不能通过。 总结起来,MOS开关电路利用MOS场效应管的通断特性,根据控制信号的高低电平来控制信号的传递与隔离。它在数字电路、模拟电路和功率电子等领域广泛应用。
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