MOS管的开关特性

MOS管的开关特性

数字电路中MOS管常被用来作开关管，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，根据构成和导通特性可分为四类MOS管：

g被称为栅极，d为漏极，s为源极，B为衬底，在实际生产中，衬底与源极相连，所以MOS管一般有三个极。四类MOS管增强型运用较为普遍，下图是画原理图时增强型NMOS和PMOS管的符号：

     漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（指有线圈负载的电路，如马达），这个二极管很重要。

    对于NMOS管，通常源极s接地，只要Vgs大于一定的值就会导通，只要在漏极加上一个电压，漏极和源极之间就会形成电流Id。对于PMOS管，通常源极接VCC，只要Vgs小于一定的值就会导通，只要在漏极加上一个电压，漏极和源极之间就会形成电流Id。由于PMOS管导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因， NMOS管使用更为普遍。

以DIODES公司的DMN3030LSS为例，如上图所示，当Vgs达到4.5V 时，Vds等于0.5V时Id等于6安培，漏极和源极间的阻抗只有83毫欧，可以认为压降已经很小了。

MOS管的基本开关电路

截止区、恒流区（放大状态）、可变电阻区（线性电阻）